半导体物理能带怎么形成的
⑴ 半导体物理中的能带图怎么画
能带图就是晶体电子能量与波矢的关系曲线。对于半导体,可简单地画出价带和导回带的能量高低,这时横坐答标没有特殊的意义。参见“http://blog.163.com/xmx028@126/”中的有关说明。
⑵ 半导体中的能带图是怎么回事儿,最好是普通语言解释,谢谢!
我们看到的能带抄图,有导带底、价带袭顶,杂质半导体中还有施主能级和受主能级。
所谓能带图就是用水平横线表示各个能带的能量极值及定义值,可以直观的看到不同能级的能量的大小的一种表示方法。
如果你希望了解更深入的理论或者对一些定义不太了解,建议你看刘恩科版《半导体物理》。
⑶ 半导体物理中电场的存在对半导体能带的具体影响
请再把你要问的问题说清楚."也一起随着上升或下降了",这句话,不能理解.
你前面说的对呀,存在电场版就是有附加势权能.重复一下你的反例?
电场能够使空间电势变化,没有电场电势不变化.电势的绝对值是没有意义的,所以半导体中无电场部分必然是"近邻"半导体区域中电势的延伸(就是和最近邻等势),所以由于结中电势的变化,导致pn两侧产生电势差.而"结"是维持两侧电势差的原因.
所以你的理解,有电场电势才变化,本身是对的,但你用错了,因为这意味着无电场电势不变化,变化指的是,都无电场的那部分区域的电势比较,无变化.
⑷ 半导体物理中,能带宽度与禁带宽度的区别是什么
1、概念不同:
能带宽度:为价带和导带的宽度,即电子能量分裂的一个个密集能级组成的宽度。禁带宽度:为导带和价带的间距。能带宽度就是通电的能力,禁带宽度就是组电的能力。
2、所含电子不同:
能带:是用量子力学的方法研究固体内部电子运动的理论。始于20世纪初期,在量子力学确立以后发展起来的一种近似理论。
它曾经定性地阐明了晶体中电子运动的普遍特点,并进而说明了导体与绝缘体、半导体的区别所在,解释了晶体中电子的平均自由程问题。
禁带宽度:是指一个能带宽度,固体中电子的能量是不可以连续取值的,而是一些不连续的能带,要导电就要有自由电子存在,自由电子存在的能带称为导带(能导电),被束缚的电子要成为自由电子,就必须获得足够能量从而跃迁到导带,这个能量的最小值就是禁带宽度。
例如:锗的禁带宽度为0.66ev;硅的禁带宽度为1.12ev;砷化镓的禁带宽度为1.46ev。‘
(4)半导体物理能带怎么形成的扩展阅读:
结构
固体材料的能带结构由多条能带组成,能带分为传导带(简称导带)、价电带(简称价带)和禁带等,导带和价带间的空隙称为能隙。
能带结构可以解释固体中导体、半导体、绝缘体三大类区别的由来。材料的导电性是由“传导带”中含有的电子数量决定。当电子从“价带”获得能量而跳跃至“传导带”时,电子就可以在带间任意移动而导电。
⑸ 半导体物理中的金属半导体接触,怎么看看能带向上弯曲还是向下
如果你抄说的是半导体袭与电解液接触的话,那么:能带弯曲与 半导体/电解液结 有关
对于一个n型半导体当其费米能级等于平带电势时,半导体与电解液之间没有电荷流转,在半导体与电解液接触界面两侧没有多余电荷,因此在固液界面的半导体一侧不会出现能带弯曲。如果电子从电解液流向半导体(即半导体的费米能级低于电解液中氧化还原电对电势),此时在固液界面的半导体一侧得到的是累积层,半导体靠近界面处的能带弯曲方向朝下。如果电子从半导体流入电解液(即半导体的费米能级高于电解液中氧化还原电对电势),此时在固液界面的半导体一侧得到的是耗尽层(由不能移动的带正电的电子施主形成),半导体靠近界面处的能带弯曲方向朝上。如果电子过多的从半导体流入电解液以至于固液界面处的电子浓度低于半导体的本征电子浓度,此时在固液界面的半导体一侧得到的是反型层,半导体靠近界面处的能带弯曲朝上加剧,同时半导体表面呈现p型特征(半导体体相依旧为n型)。p型半导体与电解液接触形成半导体/电解液结的原理与n型半导体相同,只是在p型半导体中可移动的载流子为空穴。(来自冯建勇博士论文:(氧)氮化物的制备及其光电化学水分解性能的研究)
⑹ 半导体物理的能带是k空间定义的,但物理量却都是由坐标空间给出的,那k空间和坐标空间的变换是怎样的
k空间是一个虚空间,是不能和实空间进行转换的。k空间中的能带图反应了实空间中载流子所处的能量状态。拿pn结能带图来说,大致上可以相互对应上去,但这只能是为了方便理解,实际上是不可以的。
⑺ 请问半导体物理里的能带的特点有哪些,谢谢
你前面说的对呀,但你用错了.而",所以半导体中无电场部分必然是".电势的绝对值是没有意义的,本身是对的
⑻ 半导体物理中,能带中的电子为什么会存在-k状态k状态中的k的具体含义是k层的电子么
k是波矢量,能带中存在电子和空穴的运动方向归一化之后就有一个—k,所以能带有两只,但是因为空穴和电子的有效质量不一样,实际上能带图不是对称的。
⑼ 半导体物理中能带论怎么解释请高手简单点解释一下。
晶体边缘电压差形成的势垒
⑽ 半导体物理的能级数、能带数的问题
N是晶体原胞的数目,每个原胞中有两个原子,故总的原子数是2N,这正好是状态数目。
详见版“权http://blog.163.com/xmx028@126/”中的有关说明。