半导体禁带宽度随温度怎么变

㈠ 半导体的电阻随温度的改变而怎样变

半导体的电阻 你是说热敏电阻吗？ 材料不同，温度系数也不同的，还有正温度系数和负温度系数的区分，你要是想具体了解某个半导体的电阻的温度变化，最好找厂家要份规格书，他们会做的很详细的

㈡ 半导体物理中，能带宽度与禁带宽度的区别是什么

1、概念不同：

能带宽度：为价带和导带的宽度，即电子能量分裂的一个个密集能级组成的宽度。禁带宽度：为导带和价带的间距。能带宽度就是通电的能力，禁带宽度就是组电的能力。

2、所含电子不同：

能带：是用量子力学的方法研究固体内部电子运动的理论。始于20世纪初期，在量子力学确立以后发展起来的一种近似理论。

它曾经定性地阐明了晶体中电子运动的普遍特点，并进而说明了导体与绝缘体、半导体的区别所在，解释了晶体中电子的平均自由程问题。

禁带宽度：是指一个能带宽度，固体中电子的能量是不可以连续取值的，而是一些不连续的能带，要导电就要有自由电子存在，自由电子存在的能带称为导带（能导电），被束缚的电子要成为自由电子，就必须获得足够能量从而跃迁到导带，这个能量的最小值就是禁带宽度。

例如：锗的禁带宽度为0.66ev；硅的禁带宽度为1.12ev；砷化镓的禁带宽度为1.46ev。‘

(2)半导体禁带宽度随温度怎么变扩展阅读：

结构

固体材料的能带结构由多条能带组成，能带分为传导带（简称导带）、价电带（简称价带）和禁带等，导带和价带间的空隙称为能隙。

能带结构可以解释固体中导体、半导体、绝缘体三大类区别的由来。材料的导电性是由“传导带”中含有的电子数量决定。当电子从“价带”获得能量而跳跃至“传导带”时，电子就可以在带间任意移动而导电。

㈢ 半导体随温度变化吗

以硅为例,在一定的温度范围内,半导体的电阻率随温度的升高,而变小.因为半导体价带上的电专子,随着属温度的升高,不断地被激发到导带,使载流子的数量增加,其导电性得到不断加强,电阻率变小；
当温度上升到一定高度,价带电子的激发到了极限,同时晶格的热振动加剧,对载流子的散射作用也增强.这时,随着温度的进一步升高,半导体的电阻率则反而会增大.

㈣ 影响半导体禁带宽度的因素有哪些分别是怎么影响的

我来回答一下，来本人某电微自电子科学与工程专业，有表述不当之处，望批评指正。
影响半导体禁带宽度的因素主要有两种：温度与掺杂浓度。（以si、Ge、GaAs半导体为主）
1、半导体禁带宽度具有负温度系数：
从原子到晶体，经过价键杂化（即：sp3杂化），一条原子能级一般对应多个能带。当温度升高时，晶体的原子间距增大，能带宽度虽然变窄，但禁带宽度却是减小的。（这里解释一下，虽然原子间距增大了，并且能带宽度变窄了，但是此时有多条能带，相对来说，禁带宽度是变小的）；
2、掺杂浓度升高时，由于杂质能级的出现，可能导致禁带宽度变窄：
其实这一点从本质来解释是不太好理解的，我这里举个例子，再给出我个人的一些理解，希望可以帮助你理解这一点。例：在BJT中，发射区高掺杂会导致禁带宽度变窄。我个人理解是，有了杂质能级的加入，导电性增强，就像把禁带宽度一分为二，原先的阻碍减少了一部分，相当于禁带宽度变窄了。（纯属个人理解）

㈤ 半导体的禁带宽度大小对它的用途有何影响请举例说明

禁带宽度对于半导体器件性能的影响非常大，它直接决定着器件的耐压和专最高工作温度；比属如氮化镓禁带宽度很大，即便高温价带电子也很难吸收大于Eg的热辐射的能量跳变到导带，这样就能继续发挥半导体作用，同理因为跃迁能量较大，所以GaN更难被击穿，因此常用作高压耐高温器件，也有很高的抗辐射性能。

另一方面，通过掺杂调节禁带宽度可以制作高电子迁移率晶体管（HEMT，High Electron Mobility Transistor）。这种器件及其集成电路都能够工作于超高频（毫米波）、超高速领域，原因就在于它采用了异质结及其中的具有很高迁移率的所谓二维电子气来工作的；而高迁移率的原因部分在于禁带宽度不同的半导体组成异质结。
相关的东西很多，我也在学习之中，互勉~

㈥ 半导体电导率随温度变化

你这个“一般情复况”说的不清制楚。对于半导体的电阻率对温度变化的性质，要分两种情况讨论。
第一，本征半导体，载流子全部由自身产生，温度升高，载流子浓度增加，电导率提升，电阻率下降；
第二，杂质半导体，这个要结合本征激发和杂质电离综合讨论，还要考虑温度升高对晶格散射的影响，只能结合实例分析。
你找到的第二个应该可以参考硅基半导体掺杂后电阻率随温度变化的情况，可以翻一翻刘恩科的《半导体物理》，讲的很清楚。

㈦ 为什么半导体LED温度升高，电子与空穴的浓度会增加，禁带宽度会减小，电子迁移率将减小

温度升高导致杂质电离增加，载流子浓度加大，由于重掺杂效应，禁带宽度变窄。
由于载流子增多，其与晶格碰撞几率增大，导致单位数量电子速度降低，载流子迁移率下降。
这个与LED有什么关系？

㈧ 按照紧束缚近似，为什么si，ge等半导体的禁带宽度随温度升高而降低

Si，Ge都是金刚石结构的半导体。
原子在结合成为晶体时，价键要产生所谓的杂化（S太和P太的内杂化，SP3杂化）容，结果使一条原子能级并不是简单的对应一条能带。温度升高时，原子间间距变大，虽然能带变窄，但是禁带宽度也是变窄的（负温度系数）。
在一定温度下，半导体中的大量电子不停地做无规则的热运动，电子可以通过晶格热振动获得能量。
随着温度的升高，晶格运动剧烈程度越高，晶格内原子对电子的束缚能力越弱，价带电子更容易脱离原子束缚而进入导带，所以相应的禁带宽度会变窄。

㈨ 如何精确计算半导体禁带宽度

对于常用的Si、Ge和GaAs等半导体，在由原子结合而成为晶体的时候，价键将要产内生所谓杂化（s态与p态混容合——sp3杂化），结果就使得一条原子能级并不是简单地对应于一个能带。所以，当温度升高时，晶体的原子间距增大，能带宽度虽然变窄，但禁带宽度却是减小的——负的温度系数。
当掺杂浓度很高时，由于杂质能带和能带尾的出现，而有可能导致禁带宽度变窄。
禁带宽度对于半导体器件性能的影响是不言而喻的，它直接决定着器件的耐压和最高工作温度；对于BJT，当发射区因为高掺杂而出现禁带宽度变窄时，将会导致电流增益大大降低

㈩ 半导体热敏电阻大小随温度怎么变

半导体热敏电阻的基本特性是它的温度特性，而这种特性又是与半导体材料的导电机制密切相关的。由于半导体中的载流子数目随温度升高而按指数规律迅速增加。温度越高，载流子的数目越多，导电能力越强，电阻率也就越小。因此热敏电阻随着温度的升高，它的电阻将按指数规律迅速减小。

热敏半导体陶瓷材料就是利用它的电阻、磁性、介电性等性质随温度而变化，用它作成的器件可作为温度的测定、线路温度补偿及稳频等，且具有灵敏度高、稳定性好、制造工艺简单及价格便宜等特点。
按照热敏陶瓷的电阻-温度特性，一般可分为三大类：
1电阻随温度升高而增大的热敏电阻称为正温度系数热敏电阻，简称PTC热敏电阻；
2电阻随温度的升高而减少的热敏电阻称为负温度系数热敏电阻，简称NTC热敏电阻；
3电阻在某特定温度范围内急剧变化的热敏电阻，简称为CTR临界温度热敏电阻。