半导体一般霍尔系数多少

Ⅰ 霍尔系数

霍尔效应是指当磁场影响流经导体(或半导体)的电流时，通过导体内(或半导体)的可测量电压容。由于Lorentz力和电流的平衡，产生了垂直于外加电流的横向电压。

这种物理效应在许多解决方案中都有应用，特别是在现代家电和汽车应用领域。霍尔传感器的使用提高了可靠性和耐久性，消除了运动的机械磨损。

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霍尔效应在应用技术中特别重要。例如汽车点火系统，设计者将霍尔传感器放在分电器内取代机械断电器，用作点火脉冲发生器。这种霍尔式点火脉冲发生器随着转速变化的磁场在带电的半导体层内产生脉冲电压，控制电控单元（ECU）的初级电流。

相对于机械断电器而言，霍尔式点火脉冲发生器无磨损免维护，能够适应恶劣的工作环境，还能精确地控制点火正时，能够较大幅度提高发动机的性能，具有明显的优势。

Ⅱ 如何利用霍尔效应测量某种半导体材料的霍尔系数

固定励磁电流的值，在一固定已知磁场中给半导体材料通入工作电流测出相应内的霍尔电压，再由式子容：霍尔电压=霍尔元件灵敏度×磁场强度×工作电流.可得霍尔元件灵敏度，又因为霍尔元件灵敏度=霍尔系数÷霍尔元件厚度.可得半导体材料霍尔系数

Ⅲ 怎样用霍尔效应判断半导体种类

霍尔效应可以测定载流子浓度及载流子迁移率等重要参数，以及判断材料的导电类型，是研究半导体材料的重要手段。还可以用霍尔效应测量直流或交流电路中的电流强度和功率以及把直流电流转成交流电流并对它进行调制、放大。用霍尔效应制作的传感器广泛用于磁场、位置、位移、转速的测量。
霍尔电势差是这样产生的：当电流IH通过霍尔元件（假设为P型）时，空穴有一定的漂移速度v，垂直磁场对运动电荷产生一个洛沦兹力
（3－14－1）
式中q为电子电荷。洛沦兹力使电荷产生横向的偏转，由于样品有边界，所以有些偏转的载流子将在边界积累起来，产生一个横向电场E，直到电场对载流子的作用力FE=qE与磁场作用的洛沦兹力相抵消为止，即
（3－14－2）
这时电荷在样品中流动时将不再偏转，霍尔电势差就是由这个电场建立起来的。
如果是N型样品，则横向电场与前者相反，所以N型样品和P型样品的霍尔电势差有不同的符号，据此可以判断霍尔元件的导电类型。
设P型样品的载流子浓度为p，宽度为b，厚度为d。通过样品电流IH＝pqvbd，则空穴的速度v＝IH／pqbd，代入（3－14－2）式有
（3－14－3）
上式两边各乘以b，便得到
（3－14－4）
称为霍尔系数。在应用中一般写成
UH＝KHIHB. （3－14－5）
比例系数KH＝RH／d＝1／pqd称为霍尔元件灵敏度，单位为mV/(mA·T)。一般要求KH愈大愈好。KH与载流子浓度p成反比。半导体内载流子浓度远比金属载流子浓度小，所以都用半导体材料作为霍尔元件。KH与片厚d成反比，所以霍尔元件都做的很薄，一般只有0.2mm厚。
由（3－14－5）式可以看出，知道了霍尔片的灵敏度KH，只要分别测出霍尔电流IH及霍尔电势差UH就可算出磁场B的大小。这就是霍尔效应测磁场的原理。

Ⅳ 霍尔效应中霍尔系数Rh与半导体中载流子类型有什么关系

霍尔效应可以测定载流子浓度及载流子迁移率等重要参数，以及判断材料的导电版类型，是研权究半导体材料的重要手段。还可以用霍尔效应测量直流或交流电路中的电流强度和功率以及把直流电流转成交流电流并对它进行调制、放大。

Ⅳ 为什么半导体中霍尔效应特别显著

霍尔效应是载流子在磁场作用（洛伦兹力作用）下而偏离电场方向所专产生的一种现象。霍属尔电压与电场和磁场成正比，其比例系数称为霍尔系数；霍尔系数与载流子浓度成反比，所以非简并半导体的霍尔效应较显著，而简并半导体和金属的霍尔效应就较弱。
因为霍尔效应中需要产生一个平衡洛伦兹力作用的横向电压，电阻率越高（载流子浓度越低）的半导体，其中越容易产生出这个电压，所以半导体的霍尔效应要比金属的强。

Ⅵ 如何利用霍尔效应测量某种半导体材料的霍尔系数

量子霍尔效应：U/I=B/(nqd),其中的参数我就不解释了，而霍尔系数Rh=1/(nq);
那么我们只要改变B的大小版，尽量多测权几组数据就可以在R-B曲线上计算得十分精确地Rh值；
那么首先我们考虑R-B曲线，经典电磁学认为应该是一条通过坐标原点的直线，事实上由于霍尔量子效应图像呈现的是类似振荡衰减的曲线，而且随着B的增大，曲线振荡偏离的越远。曲线和拟合直线（经典理论中的理论直线）的交点的纵坐标为h/(k*e^2),h为普朗克常数，k取正整数。

Ⅶ 实验室用的霍尔效应仪器的霍尔系数是多少

一般为4.62KGS/A，表示的为B/Is的大小。

霍尔效应（Hall effect）是指当固体导体放置在一个磁场内，且有电流通过时，导体内的电荷载子受到洛伦兹力而偏向一边，继而产生电压（霍尔电压）的现象。

电压所引致的电场力会平衡洛伦兹力。通过霍尔电压的极性，可证实导体内部的电流是由带有负电荷的粒子（自由电子）之运动所造成。霍尔效应中霍尔元件的灵敏度与霍尔元件的厚度和载流子的浓度两个因素有关

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由于通电导线周围存在磁场，其大小和导线中的电流成正比，故可以利用霍尔元件测量出磁场，就可确定导线电流的大小。利用这一原理可以设计制成霍尔电流传感器。其优点是不和被测电路发生电接触，不影响被测电路，不消耗被测电源的功率，特别适合于大电流传感。

若把霍尔元件置于电场强度为E、磁场强度为H的电磁场中，则在该元件中将产生电流I，元件上同时产生的霍尔电位差和电场强度E成正比，如果再测出该电磁场的磁场强度，则电磁场的功率密度瞬时值P可由P=EH确定。

Ⅷ 霍尔系数 与半导体中载流子类型有何关系

P型半导体 空穴导电 霍尔系数R=1/pq>0
N型半导体 电子导电 霍尔系数R=-1/nq<0
其中p与n为载流子浓度，q为电量，一个载流子的带电量。

Ⅸ 半导体的霍尔系数的数量级是多少啊

那要根据你产品的类型来分，一般大学试验中的半导体霍尔系数大约为10的三次方数量级
。工厂里的药跟踪霍尔器件的应用来考虑

Ⅹ 从霍尔系数的测量中可以求出半导体材料的哪些重要参数

通过霍尔效应测量的霍尔系数，可确定半导体的导电类型、载流子浓度及迁移率等重要参数。