杂质半导体中少子与什么有关

① 杂质半导体中,多数载流子和少数载流子的浓度由什么决定和温度有什么关系

多数载流子是少数载流子的杂质浓度是一个共同决定的本征载流子浓度和杂质浓度

② 杂质半导体中的少数载流子浓度取决于什么 求答案

在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的杂质浓度，而少数载流子的浓度主要取决于温度。

③ 杂志半导体中，少子的来源是什么吗

少子即少数载流子，相对的是多数载流子，两种载流子的浓度乘积是固定的。
掺杂半导体中的掺杂物在常温下完全电离（电离出电子或空穴，依掺杂物种类而异），电离出的载流子远远多于半导体本征电离，于是掺杂半导体便出现两种载流子的严重浓度差异，低的是少数载流子，多的是多数载流子。

④ 掺杂半导体中少数载流子的浓度与什么有很大关系

温度。 导体在任复何制温度下，都将遵从 热平衡条件：np=ni2。因此多数载流子与少 数载流子是相互制约着的。多数载流子主要 来自于掺杂，而少数载流子都来自于本征激 发（属于本征载流子）。当通过掺杂、增大 多数载流子浓度时，则多数载流子与少数载 流子相互复合的机会增加，将使得少数载流 子浓度减小；当升高温度，少数载流子浓度 将指数式增大，并且它与多数载流子相互复 合的机会也增加，仍然维持着热平衡关系。 在温度不是很高时，增加的本征载流子浓度 将远小于掺杂所提供的多数载流子浓度，因 此对于多数载流子而言，可以认为其浓度基 本上就等于掺杂浓度，与温度的关系不大。 当然，在温度高到使得本征载流子浓度增大 到等于或大于多数载流子浓度时，就变成以 本征载流子导电为主的半导体了，即为本征 半导体，这时掺杂的贡献即可忽略了。

⑤ 工程实际中,影响半导体材料少子寿命的因素有哪些

1.少量深能级杂抄质能大大降低少子寿命。过渡金属杂质往往是深能级杂质，如Fe、Cr、Mo等杂质。
2. 电阻率的影响
随着电阻率的增大，少子寿命也不断增大。
3. 温度变化强烈影响少子寿命。但是影响规律十分复杂。一般为随温度上升少子寿命先降后升。

⑥ 掺杂杂质半导体中影响多数和少数载流子数量的最主要原因是什么急！！！！

主要原因是杂质在禁带里占的位置和杂质浓度。

⑦ 杂质半导体中少数载流子浓度与什么有关

少数截流子即。自由电子。 于空穴有关

⑧ 在杂质半导体中多子与少子浓度不同为什么半导体呈中性

杂质半导体中除了可以自由移动的载流子(多子\少子)之外, 还有不能自由移动的电荷内(电离的施主\受主), 总的容正电荷(空穴+电离施主所带的正电荷)和总的负电荷(自由电子+电离受主所带的负电荷)相等，因而呈电中性。

⑨ 问个半导体多子少子的问题

多子主要是靠半导体本身特性决定，即主要靠参杂浓度决定。温度升高虽然会使多回子挣脱原子束缚，但多子数答量已经很多了，这一点脱离对多子数目影响不大
少子顾名思义，在半导体中不占主导地位，那么参杂浓度对其影响就不大了，而温度的上升却可以使更多的少子脱离原子的束缚，因而少子数量主要由温度决定

⑩ 在杂质半导体中,多数截流子的浓度主要取决于 而少数截流子的浓度则与（ ）有很大关系

在杂质半导体中,多数截流子的浓度主要取决于掺入的施主浓度或者受主浓度；在全内电离时,多数截流子浓度≈容掺杂浓度,并且基本上与温度无关.
而少数截流子的浓度则与（温度）有很大关系（因为是本征激发的关系）.