掺镉的砷是什么半导体

㈠ 铜、铅、锌、镉、铬（六价）、汞、硒、砷这些重金属元素哪些具有顺磁性

写出每个价电子排列方式，看是否有未配对的电子，有就顺磁

㈡ Cds是什么 半导体中有锗、硅、钾、Cds、非晶体、砷等物质 其中Cds是什么

硫化镉 CdS

㈢ 导体和半导体区别

一、概念不同

1、导体

导体（conctor）是指电阻率很小且易于传导电流的物质。导体中存在大量可自由移动的带电粒子称为载流子。在外电场作用下，载流子作定向运动，形成明显的电流。

2、半导体

半导体（ semiconctor），指常温下导电性能介于导体（conctor）与绝缘体（insulator）之间的材料。半导体在收音机、电视机以及测温上有着广泛的应用。如二极管就是采用半导体制作的器件。

二、分类不同

1、导体

1）第一类导体

金属是最常见的一类导体。金属中的原子核和内层电子构成原子实，规则地排列成点阵，而外层的价电子容易挣脱原子核的束缚而成为自由电子，它们构成导电的载流子。

2）第二类导体

电解质的溶液或称为电解液的熔融电解质也是导体，其载流子是正负离子。实验发现，大部分纯液体虽然也能离解，但离解程度很小，因而不是导体。

3）其他导电介质

电的绝缘体又称为电介质。它们的电阻率极高，比金属的电阻率大1014倍以上。绝缘体在某些外界条件（如加热、加高压等）影响下，会被“击穿”，而转化为导体。绝缘体或电介质的主要电学性质反映在电导、极化、损耗和击穿等过程中。

2、半导体

半导体材料很多，按化学成分可分为元素半导体和化合物半导体两大类。锗和硅是最常用的元素半导体；化合物半导体包括第Ⅲ和第Ⅴ族化合物（砷化镓、磷化镓等）、第Ⅱ和第Ⅵ族化合物（ 硫化镉、硫化锌等）、氧化物（锰、铬、铁、铜的氧化物）。

以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物组成的固溶体（镓铝砷、镓砷磷等）。除上述晶态半导体外，还有非晶态的玻璃半导体、有机半导体等。

三、特性不同

1、导体

1）热敏特性

半导体的电阻率随温度变化会发生明显地改变。

2）光敏特性

半导体的电阻率对光的变化十分敏感。有光照时、电阻率很小；无光照时，电阻率很大。

3）掺杂特性

在纯净的半导体中，掺人极微量的杂质元素，就会使它的电阻率发生极大的变化。

2、半导体

半导体五大特性∶掺杂性，热敏性，光敏性，负电阻率温度特性，整流特性。

1）在形成晶体结构的半导体中，人为地掺入特定的杂质元素，导电性能具有可控性。

2）在光照和热辐射条件下，其导电性有明显的变化。

㈣ 半导体是什么

半导体

semiconctor

电导率(conctivity)介于金属和绝缘体(insulator)之间的固体材料。半导体于室温时电导率约在10ˉ10～10000/Ω·cm之间，纯净的半导体温度升高时电导率按指数上升。半导体材料有很多种，按化学成分可分为元素半导体和化合物半导体两大类。锗和硅是最常用的元素半导体；化合物半导体包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物（砷化镓、磷化镓等）、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化镉、硫化锌等)、氧化物(锰、铬、铁、铜的氧化物),以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物组成的固溶体（镓铝砷、镓砷磷等）。除上述晶态半导体外，还有非晶态的有机物半导体等。

本征半导体(intrinsic semiconctor) 没有掺杂且无晶格缺陷的纯净半导体称为本征半导体。在绝对零度温度下，半导体的价带(valence band)是满带(见能带理论)，受到光电注入或热激发后，价带中的部分电子会越过禁带(forbidden band/band gap)进入能量较高的空带，空带中存在电子后成为导带(conction band)，价带中缺少一个电子后形成一个带正电的空位，称为空穴(hole)，导带中的电子和价带中的空穴合称为电子 - 空穴对。上述产生的电子和空穴均能自由移动，成为自由载流子(free carrier)，它们在外电场作用下产生定向运动而形成宏观电流，分别称为电子导电和空穴导电。这种由于电子-空穴对的产生而形成的混合型导电称为本征导电。导带中的电子会落入空穴，使电子-空穴对消失，称为复合(recombination)。复合时产生的能量以电磁辐射（发射光子photon）或晶格热振动（发射声子phonon）的形式释放。在一定温度下，电子 - 空穴对的产生和复合同时存在并达到动态平衡，此时本征半导体具有一定的载流子浓度，从而具有一定的电导率。加热或光照会使半导体发生热激发或光激发，从而产生更多的电子 - 空穴对，这时载流子浓度增加，电导率增加。半导体热敏电阻和光敏电阻等半导体器件就是根据此原理制成的。常温下本征半导体的电导率较小，载流子浓度对温度变化敏感，所以很难对半导体特性进行控制，因此实际应用不多。

杂质半导体(extrinsic semiconctor) 半导体中的杂质对电导率的影响非常大，本征半导体经过掺杂就形成杂质半导体，一般可分为n型半导体和p型半导体。半导体中掺入微量杂质时，杂质原子附近的周期势场受到干扰并形成附加的束缚状态，在禁带中产生附加的杂质能级。能提供电子载流子的杂质称为施主(donor)杂质，相应能级称为施主能级,位于禁带上方靠近导带底附近。例如四价元素锗或硅晶体中掺入五价元素磷、砷、锑等杂质原子时，杂质原子作为晶格的一分子，其五个价电子中有四个与周围的锗（或硅）原子形成共价键，多余的一个电子被束缚于杂质原子附近，产生类氢浅能级-施主能级。施主能级上的电子跃迁到导带所需能量比从价带激发到导带所需能量小得多，很易激发到导带成为电子载流子，因此对于掺入施主杂质的半导体，导电载流子主要是被激发到导带中的电子，属电子导电型，称为n型半导体。由于半导体中总是存在本征激发的电子空穴对，所以在n型半导体中电子是多数载流子，空穴是少数载流子。相应地，能提供空穴载流子的杂质称为受主(acceptor)杂质，相应能级称为受主能级，位于禁带下方靠近价带顶附近。例如在锗或硅晶体中掺入微量三价元素硼、铝、镓等杂质原子时，杂质原子与周围四个锗（或硅）原子形成共价结合时尚缺少一个电子，因而存在一个空位，与此空位相应的能量状态就是受主能级。由于受主能级靠近价带顶，价带中的电子很容易激发到受主能级上填补这个空位，使受主杂质原子成为负电中心。同时价带中由于电离出一个电子而留下一个空位，形成自由的空穴载流子，这一过程所需电离能比本征半导体情形下产生电子空穴对要小得多。因此这时空穴是多数载流子，杂质半导体主要靠空穴导电，即空穴导电型，称为p型半导体。在p型半导体中空穴是多数载流子，电子是少数载流子。在半导体器件的各种效应中，少数载流子常扮演重要角色。
参考资料：网络

㈤ 硼，硅，砷都属于半导体吗

硅是半导体材料，而硼和砷都是掺杂剂，也就是为了改变半导体材料的导电性能而加入的杂质，不属于半导体材料。

㈥ 半导体砷化锑是什么有什么用处啊 谢谢了

砷化锑SbAs
可以用来制造晶体管、电子管、集成电路等等

㈦ 砷具有半导体特性么

硅是半导体材料。
而硼和砷都是掺杂剂，也就是为了改变半导体材料的导电性能而加入的杂质，
其本身不属于半导体材料.

㈧ 半导体特性的化合物半导体材料制成的太阳能电池(硫化镉、 砷化稼、碲化镉、硒

（1）①同一周期元素，元素的第一电离能随着原子序数的增大而呈增大趋势，但第IIA族、第VA族元素第一电离能大于相邻元素，As和Se属于同一周期元素，且As属于第VA族元素、Se属于第VIA族元素，所以第一电离能As＞Se，故答案为：＞；②SeO2中Se原子价层电子对个数=2+1 2 ×（6-2×2）=3且含有一个孤电子对，所以其空间构型为V形，故答案为：V形；③砷化铝晶体结构与硅相似，硅晶体中每个硅原子和四个硅原子形成四个共价键，所以在砷化铝晶体中，每个Al原子与4个As原子相连，故答案为：4；（2）①钙原子最外排入的电子是s电子，所以在周期表中Ca处于周期表s区，故答案为：s；??②Cu是29号元素，其原子核外有29个电子，根据构造原理知其原子核外电子排布式为：1s22s22p63s23p63d104s1，故答案为：1s22s22p63s23p63d104s1；③由晶胞结构可知，Ca原子处于顶点，晶胞中含有Ca原子数目为8×1 8 =1，Cu原子处于晶胞内部与面上、面心，晶胞中Cu数目为1+4×1 2 +4×1 2 =5，故该合金中Ca和Cu的原子个数比为1：5，镧镍合金、铜钙合金及铈钴合金都具有相同类型的晶胞结构XYn，所以LaNin中，n=5，氢在合金中的密度=4.5×1 NA 9.0×10?23 g/cm3=0.083g/cm3，故答案为：5；0.083g/cm3；（3）A．元素的非金属性越强，其电负性越大，钙的金属性小于锶，则钙的电负性大于锶，故错误；B．C60中每个碳原子含有3个σ键，所以采用杂化方式为sp2，故错误；C．Ca32C60储氢过程中没有新物质生成，发生物理变化，故错误；????D．吸附相同数目氢分子时，储氢质量分数M32C60的相对分子质量成反比，Ca32C60的相对分子质量小于Sr32C60高，则吸附相同数目氢分子时，储氢质量分数Ca32C60比Sr32C60高，故正确；故选D．

㈨ 砷和锗组成半导体叫什么半导体

半导体采用的元素材料一般为外层电子数为4的元素（如硅和锗），这些元素的原子的导电性不稳定，外层电子很容易离开原子核的引力范围，成为自由电子，同时在原子内部留下呈现正电性的原子结构。
如果在硅基体中掺入少量的价电子数为3的元素（如硼），当硼和硅形成共价键的时候，因为硼的外层电子不足以完全填补硅原子的空轨道，必然要吸收一个多余的自由电子来成键，于是在半导体内部形成一个“空壳”，这个空壳呈现出正电性。硅和硼的这种混合物被称为P型半导体(Positive Semiconct)。

如果硅基体中掺入少量的价电子数为5的元素（如磷），当磷和硅形成共价键的时候，因为磷的外层电子在完全填补硅原子的空轨道还有富余，必然会脱离原子核成为自由电子，于是在半导体内部呈现出负电性。硅和磷的这种混合物被称为N型半导体(Negative Semiconct)。
P型和N型半导体是二极管和三极管制作的基础。
砷作为外层电子数为5的元素，它和锗的组合将会产生N型半导体。但是考虑到原料成本因素，通常半导体工业都会选择磷而非砷作为N型半导体的制作原料。