本征半导体存在什么现象

A. 什么叫做本征半导体

顾名思义：导电性能介于导体(conctor)与绝缘体(insulator)之间的材料，叫做半导体（semiconctor）． 物质存在的形式多种多样，固体、液体、气体、等离子体等等。我们通常把导电性和导电导热性差或不好的材料，如金刚石、人工晶体、琥珀、陶瓷等等，称为绝缘体。而把导电、导热都比较好的金属如金、银、铜、铁、锡、铝等称为导体。可以简单的把介于导体和绝缘体之间的材料称为半导体。与导体和绝缘体相比，半导体材料的发现是最晚的，直到20世纪30年代，当材料的提纯技术改进以后，半导体的存在才真正被学术界认可。 半导体的分类，按照其制造技术可以分为：分立器件、光电半导体、逻辑IC、模拟IC、储存器等大类，一般来说这些还会被分成小类。此外还有以应用领域、设计方法等进行分类，最近虽然不常用，单还是按照IC、LSI、VLSI（超大LSI）及其规模进行分类的方法。此外，还有按照其所处理的信号，可以分成模拟、数字、模拟数字混成及功能进行分类的方法。 [编辑本段]半导体定义 电阻率介于金属和绝缘体之间并有负的电阻温度系数的物质。 半导体室温时电阻率约在10E-5～10E7欧·米之间，温度升高时电阻率指数则减小。 半导体材料很多，按化学成...

B. 本征半导体怎么回事

这种说法是有问题的，首先，电荷定向移动才可以形成电流，而本征半导体这个名词只代表一类物质，并不能说其中存在电流，正确的说法应该是：电子和空穴电荷量相等，净电荷为0，表现为电中性。

C. 本征半导体的特征

本征半导体(intrinsic semiconctor)是完全不含杂质且无晶格缺陷的纯净半导体。
特点：电子浓度＝空穴浓度，载流子少，导电性差，温度稳定性差，所以，实际上少用，要掺杂后才实用。

D. 什么是本征半导体

本征半导体是一种理想的状态
定义为：完全没有掺杂并且没有缺陷的纯净的半导版体称为本证半权导体
这种半导体在实际中是难以达到的，纯净度方面，杂质是很难避免的，无论再怎么样提纯也都只能增加99.999%小数点后面的9，缺陷方面，在材料形成的过程中，无论是点缺陷，线缺陷，面缺陷还是体缺陷，都会或多或少存在于晶格结构之内。

E. 本征半导体与参杂半导体有什么不同

本征半导体费米能级位于导带底和价带顶之间的中线上，导带中的自由电子和价回带中的空穴均很少，答因此常温下导电能力低，但在光和热的激励下导电能力增强。

n型掺杂半导体的费米能级接近导带底，导带中的自由电子数高于本征半导体，导电能力随掺杂浓度提高而增强，属于电子导电为主的半导体。

p型掺杂半导体的费米能级接近价带顶，价带中的空穴数高于本征半导体，导电能力随掺杂浓度提高而增强，属于空穴导电为主的半导体。

F. 半导体有些什么性质(效应)

没有半导体你就提不了这个问了
在半导体中杂质 半导体中的杂质对电阻率的影响非常大。半导体中掺入微量杂质时，杂质原子附近的周期势场受到干扰并形成附加的束缚状态，在禁带中产加的杂质能级。例如四价元素锗或硅晶体中掺入五价元素磷、砷、锑等杂质原子时，杂质原子作为晶格的一分子，其五个价电子中有四个与周围的锗（或硅）原子形成共价结合，多余的一个电子被束缚于杂质原子附近，产生类氢能级。杂质能级位于禁带上方靠近导带底附近。杂质能级上的电子很易激发到导带成为电子载流子。这种能提供电子载流子的杂质称为施主，相应能级称为施主能级。施主能级上的电子跃迁到导带所需能量比从价带激发到导带所需能量小得多（图2）。在锗或硅晶体中掺入微量三价元素硼、铝、镓等杂质原子时，杂质原子与周围四个锗（或硅）原子形成共价结合时尚缺少一个电子，因而存在一个空位，与此空位相应的能量状态就是杂质能级，通常位于禁带下方靠近价带处。价带中的电子很易激发到杂质能级上填补这个空位，使杂质原子成为负离子。价带中由于缺少一个电子而形成一个空穴载流子（图3）。这种能提供空穴的杂质称为受主杂质。存在受主杂质时，在价带中形成一个空穴载流子所需能量比本征半导体情形要小得多。半导体掺杂后其电阻率大大下降。加热或光照产生的热激发或光激发都会使自由载流子数增加而导致电阻率减小，半导体热敏电阻和光敏电阻就是根据此原理制成的。对掺入施主杂质的半导体，导电载流子主要是导带中的电子，属电子型导电，称N型半导体。掺入受主杂质的半导体属空穴型导电，称P型半导体。半导体在任何温度下都能产生电子-空穴对，故N型半导体中可存在少量导电空穴，P型半导体中可存在少量导电电子，它们均称为少数载流子。在半导体器件的各种效应中，少数载流子常扮演重要角色
PN结 P型半导体与N型半导体相互接触时，其交界区域称为PN结。P区中的自由空穴和N区中的自由电子要向对方区域扩散，造成正负电荷在 PN 结两侧的积累，形成电偶极层(图4 )。电偶极层中的电场方向正好阻止扩散的进行。当由于载流子数密度不等引起的扩散作用与电偶层中电场的作用达到平衡时，P区和N区之间形成一定的电势差，称为接触电势差。由于P 区中的空穴向N区扩散后与N区中的电子复合，而N区中的电子向P区扩散后与P 区中的空穴复合，这使电偶极层中自由载流子数减少而形成高阻层，故电偶极层也叫阻挡层，阻挡层的电阻值往往是组成PN结的半导体的原有阻值的几十倍乃至几百倍。
PN结具有单向导电性，半导体整流管就是利用PN结的这一特性制成的。PN结的另一重要性质是受到光照后能产生电动势，称光生伏打效应，可利用来制造光电池。半导体三极管、可控硅、PN结光敏器件和发光二极管等半导体器件均利用了PN结的特性。
基于PN结,就有了晶体管,才有了集成电路,电子产品中的各种芯片都是集成电路

G. 什么本征半导体什么是杂质半导体它们各有什么特征

纯净晶体结构的半导体称为本征半导体，其自由电子浓度等于空穴浓度；掺入杂志的半导体称为杂质半导体，其载流子明显增多，导电性加强，其中N型半导体n>>p,P型半导体p>>n（n为自由电子浓度，p为空穴浓度）。

H. 什么是本征半导体

本征半导体（intrinsic semiconctor)）

完全不含杂质且无晶格缺陷的纯净半导体称为本征半导体。实版际半导体不能绝对地纯净，权本征半导体一般是指导电主要由材料的本征激发决定的纯净半导体。更通俗地讲，完全纯净的半导体称为本征半导体或I型半导体。硅和锗都是四价元素，其原子核最外层有四个价电子。它们都是由同一种原子构成的“单晶体”，属于本征半导体。

I. 什么是本征半导体

完全纯净的､不含杂质的半导体称为本征半导体｡常见代表有硅､锗这两种元素的单晶体结构｡硅､锗在元素周期表中属于四族元素