apd在半导体是什么

⑴ 什么是半导体

锗、硅、硒、砷化镓及许多金属氧化物和金属硫化物等物体，它们的导电能力介于导体和绝版缘体之权间，叫做半导体。

半导体具有一些特殊性质。如利用半导体的电阻率与温度的关系可制成自动控制用的热敏元件（热敏电阻）；利用它的光敏特性可制成自动控制用的光敏元件，像光电池、光电管和光敏电阻等。

半导体还有一个最重要的性质，如果在纯净的半导体物质中适当地掺入微量杂质测其导电能力将会成百万倍地增加。利用这一特性可制造各种不同用途的半导体器件，如半导体二极管、三极管等。

把一块半导体的一边制成P型区，另一边制成N型区，则在交界处附近形成一个具有特殊性能的薄层，一般称此薄层为PN结。图中上部分为P型半导体和N型半导体界面两边载流子的扩散作用（用黑色箭头表示）。中间部分为PN结的形成过程，示意载流子的扩散作用大于漂移作用（用蓝色箭头表示，红色箭头表示内建电场的方向）。下边部分为PN结的形成。表示扩散作用和漂移作用的动态平衡。

⑵ APD什么意思啊

APD是指动作电位时来程自，是一个医学概念，动作电位时程，英文缩写：APD（action potential ration）。

APD的形成条件：

1、细胞膜两侧存在离子浓度差，细胞膜内K+浓度高于细胞膜外，而细胞外Na+、Ca2+、Cl-高于细胞内，这种浓度差的维持依靠离子泵的主动转运。（主要是Na+-K+泵的转运）。

2、细胞膜在不同状态下对不同离子的通透性不同，例如，安静时主要允许K+通透，而去极化到阈电位水平时又主要允许Na+通透。

3、可兴奋组织或细胞受阈上刺激。

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APD的形成机制：

1、阈刺激或阈上刺激使膜对Na+的通透性增加，Na+顺浓度梯度及电位差内流，使膜去极化，形成动作电位的上升支。

2、Na+通道失活，而 K+通道开放，K+外流，复极化形成动作电位的下降支。

3、钠泵的作用，将进入膜内的Na+泵出膜外，同时将膜外多余的 K+泵入膜内，恢复兴奋前时离子分布的浓度。

⑶ 电气中APD代表什么

英文缩写: APD (Avalanche Photo Diode)
中文译名: 雪崩光电二极管
分类: 电信设备
解释: 激光通信专中使用的光敏元件。属在以硅或锗为材料制成的光电二极管的P-N结上加上反向偏压后，射入的光被P-N结吸收后会形成光电流。加大反向偏压会产生“雪崩”（即光电流成倍地激增）的现象，因此这种二极管被称为“雪崩光电二极管”。
资料拓展:APD的材料
理论上，在倍增区中可采用任何半导体材料：
硅材料适用于对可见光和近红外线的检测，且具有较低的倍增噪声（超额噪声）。
锗(Ge)材料可检测波长不超过1.7?m的红外线，但倍增噪声较大。
InGaAs材料可检测波长超过1.6?m的红外线，且倍增噪声低于锗材料。它一般用作异构(heterostructure)二极管的倍增区。该材料适用于高速光纤通信，商用产品的速度已达到10Gbit/s或更高。
氮化镓二极管可用于紫外线的检测。
HgCdTe二极管可检测红外线，波长最高可达14?m，但需要冷却以降低暗电流。使用该二极管可获得非常低的超额噪声。

⑷ APD是什么意思

apd
abbr. action potential ration 可缩短心房肌来;心室肌动作电位源的时程;ai...
[例句]And not only the north east : ireland 's example shows that low corporation tax and cut-price apd can attract businesses from far afield.
并且不仅是东北部：爱尔兰的事例说明，低企业税和廉价的航空乘客税可以将商机由远方吸引过来。

⑸ 什么是半导体

半导体（ semiconctor），指常温下导电性能介于导体（conctor）与绝缘体（insulator）之间的材料。半导体在收音机、电视机以及测温上有着广泛的应用。

如二极管就是采用半导体制作的器件。半导体是指一种导电性可受控制，范围可从绝缘体至导体之间的材料。无论从科技或是经济发展的角度来看，半导体的重要性都是非常巨大的。

今日大部分的电子产品，如计算机、移动电话或是数字录音机当中的核心单元都和半导体有着极为密切的关连。常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等，而硅更是各种半导体材料中，在商业应用上最具有影响力的一种。

分类：

半导体材料很多，按化学成分可分为元素半导体和化合物半导体两大类。

锗和硅是最常用的元素半导体；化合物半导体包括第Ⅲ和第Ⅴ族化合物（砷化镓、磷化镓等）、第Ⅱ和第Ⅵ族化合物（ 硫化镉、硫化锌等）、氧化物（锰、铬、铁、铜的氧化物）,以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物组成的固溶体（镓铝砷、镓砷磷等）。

除上述晶态半导体外，还有非晶态的玻璃半导体、有机半导体等。

半导体的分类，按照其制造技术可以分为：集成电路器件，分立器件、光电半导体、逻辑IC、模拟IC、储存器等大类，一般来说这些还会被分成小类。

此外还有以应用领域、设计方法等进行分类，虽然不常用，但还是按照IC、LSI、VLSI（超大LSI）及其规模进行分类的方法。此外，还有按照其所处理的信号，可以分成模拟、数字、模拟数字混成及功能进行分类的方法。

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发展历史：

半导体的发现实际上可以追溯到很久以前。

1833年，英国科学家电子学之父法拉第最先发现硫化银的电阻随着温度的变化情况不同于一般金属，一般情况下，金属的电阻随温度升高而增加，但巴拉迪发现硫化银材料的电阻是随着温度的上升而降低。这是半导体现象的首次发现。

不久，1839年法国的贝克莱尔发现半导体和电解质接触形成的结，在光照下会产生一个电压，这就是后来人们熟知的光生伏特效应，这是被发现的半导体的第二个特征。

1873年，英国的史密斯发现硒晶体材料在光照下电导增加的光电导效应，这是半导体又一个特有的性质。

半导体的这四个效应，(jianxia霍尔效应的余绩──四个伴生效应的发现)虽在1880年以前就先后被发现了，但半导体这个名词大概到1911年才被考尼白格和维斯首次使用。而总结出半导体的这四个特性一直到1947年12月才由贝尔实验室完成。

在1874年，德国的布劳恩观察到某些硫化物的电导与所加电场的方向有关，即它的导电有方向性，在它两端加一个正向电压，它是导通的；如果把电压极性反过来，它就不导电，这就是半导体的整流效应，也是半导体所特有的第三种特性。同年，舒斯特又发现了铜与氧化铜的整流效应。

很多人会疑问，为什么半导体被认可需要这么多年呢？主要原因是当时的材料不纯。没有好的材料，很多与材料相关的问题就难以说清楚。

参考资料：

网络-半导体

⑹ 半导体中BOAC是什么

BOAC,是一种焊垫设于有源电路上方焊接的集成电路结构，也叫“有源电路上凸点”。

下面的英文段落供参考。
A BOAC/COA of a semiconctor device is manufactured by forming a conctive pad over a semiconctor device, forming a passivation oxide film over the semiconctor device including the conctive pad, forming an oxide film over the entire surface of the conctive pad and the passivation oxide film, forming an oxide film pattern defining a bond pad region on the conctive pad, sequentially forming a barrier film and a metal seed layer over the oxide film pattern, the passivation oxide film and the conctive pad, forming a metal layer over the metal seed layer, planarizing the metal layer exposing the oxide film pattern and portions of the barrier film and the metal seed layer, and removing the oxide film pattern by an etching process.