半导体和导体的导电机理有什么不同

『壹』 半导体和导体的导电机理

一：经典自由电子理论

金属电子被束缚能较低，可以在金属中自由移动。所以加了电压就可以导电。而半导体是以共价键形式存在，原子核对最外层电子的束缚较强，所以电子不可以随意移动。但是由于半导体是体材料，所以有好多的原子就在一起，那么他们的电子壳层就交叠在一起了。如图，那么电子就可以在这些交叠的轨道上运动了，于是也可以导电。

二：量子自由电子理论

这其实半导体和金属都是运用薛定谔的方程，再根据边界条件的值求解能量表达。他们的共同点是大都在纳米量级下才能观察到能量的量子化效应。比方说，普通金属在体材料即大块的时刻，有良好的导电导热性能，但是在纳米颗粒情况下就会绝缘。半导体的量子化可以有量子阱，量子线，量子点等。这些情况下其能级发生分离，不再是连续的。

三：能带理论

这也是区别半导体和金属的比较易理解的方式。首先晶体中电子的分布要满足一定的波函数，而波函数也随这晶格周期性的变化。最终得到电子的分布空间是一些带。带和带之间时禁带，即不能存在电子。晶体能够导电是其中的电子在外电场的作用下做定向运动。电子在外电场下做加速运动，于是电子的能量就发生改变。从而电子从能量较低的带跃迁到高的带。半导体，就是能量较低的带里全部填充电子，能量高的带没有电子，因为满所以就好比大家在一起挤着不能动，那么就没有电流。但是有了外力，电子就跃迁，满的地方就空出位置，从而让旁边的电子移动，从而形成电流。金属的较高地方也有电子那么较高的能带上就有电子有空位（空穴），所以何时都能导电。

『贰』 半导体导电机理和导体的导电机理有什么区别

两者都是第一类导体.
半导体通过空穴和自由电子导电.
金属通过自由电子导电.

『叁』 金属导体的导电机理和半导体有什么区别，金属导体是带负电的么，为什么金属导体内部的电子流动不产生空穴

不知道复你的物理基础是到什制么程度。
简单来讲：金属原子间的结合是金属键，半导体多为共价键，这就导致导电的时候金属没有空穴，半导体因为共价键中一个电子跑了，产生了空位，也就是空穴。
稍微难点来讲：导体和半导体的区别其实并不明显，是看其能量带宽度的差异，这个差异不是阶跃式的，也可以参照http://wenku..com/link?url=Oge6lkN9XNpg--fhQ_qfCH3qy6P_MAiAnfuLS 讲述的去理解，希望能帮到你。

『肆』 半导体的导电能力与导体有什么区别

在能带结构模型中，金属的导电能力是由费米能级附近的电子移动能力内决定的。
而半导体的导容电能力是由价带顶附近的空穴，以及导带底的电子的共同的移动能力决定的。电子，空穴的有效质量不相等(同一个能带中的电子，空穴的有效质量是相等的；我的意思是说导带电子的有效质量与价带中空穴的有效质量不一样)，因此这两者的导电性能要分开讨论。

『伍』 金属，半导体，离子晶体的导电机制有何不同

金属的来导电机制：
金属导体内部源存在大量的可以自由移动的自由电子，这些自由电子在电场力的作用下定向移动而形成电流，使金属能够导电。
半导体的导电机制：
半导体中有自由电子和空穴两种承载电流的粒子（即载流子），使半导体导电

离子晶体的导电机制：
离子晶体不导电，熔化或溶于水后能导电。离子晶体中，离子键较强，离子不能自由移动，即晶体中无自由移动的离子，因此离子晶体不导电。离子化合物溶于水时，阴、阳离子受到水分子的作用后变成了自由移动的离子（或水合离子），在外界电场作用下，阴、阳离子定向移动而导电。

『陆』 半导体导电机理和导体的导电原理有什么区别

半导体导电是靠电子和空穴；导体导电是靠自由电子。

『柒』 半导体和金属导体的导电机理有什么不同

金属的导电机制：
金属导体内部存在大量的可以自由移动的自由电子，这些自由电子在电内场力的作用下定容向移动而形成电流，使金属能够导电。
半导体的导电机制：
半导体中有自由电子和空穴两种承载电流的粒子（即载流子），使半导体导电

离子晶体的导电机制：
离子晶体不导电，熔化或溶于水后能导电。离子晶体中，离子键较强，离子不能自由移动，即晶体中无自由移动的离子，因此离子晶体不导电。离子化合物溶于水时，阴、阳离子受到水分子的作用后变成了自由移动的离子（或水合离子），在外界电场作用下，阴、阳离子定向移动而导电。
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『捌』 急用:半导体和金属导体的导电机理有什么不同

当半导体两端加上外施电压后，半导体中有两类作相反运动的导电粒子形成的专电子流：一类是自由属电子作定向运动形成的电子流，另一类是被原子核束缚的价电子填补空穴而形成的空穴电流。因此，在半导体中有自由电子和空穴两种承载电流的粒子（即载流子），这就是半导体导电方式的最大特点，也是半导体与金属导体在导电机理上的本质差别。

『玖』 半导体导电机理和导体的导电机理有什么区别

两者都是第一类导体。
半导体通过空穴和自由电子导电。
金属通过自由电子导电。

『拾』 半导体导电原理和金属导体导电原理不同之处

半导体导电原理 半导体一般是由4 价的硅或锗为主体材料，它们的晶体结构也和金刚石一样，每个原子由4 个价和运转在空间等距、有序环绕，构成金刚石结构，很纯的单晶硅基本不导电。

N型半导体  在纯硅晶体中加了少量的磷元素后，就形成了N型半导体。5价的磷原子镶嵌在硅晶体中，本来硅晶体的每个原子通过4个结构元相互联接，价和速率相同，而磷的5个价电子参入硅中价和运转，尚有一个电子无价和轨道，它杂混在其它价和轨道中，扰乱了原均匀的速率，使得整个晶体中的价和电子出现了拥挤和等待的紊乱现象，于是晶体中出现了临时性的电子空位(临时性空位在晶体中占有一定概率)，外来电子可乘虚而入，晶体的导电能力增加，形成的N型半导体。

P型半导体 在硅晶体中加入少量的硼元素后，硼在价和结构中顶替了一个硅原子，因硼外层只有3个价电子，使得与硼相连的4个结构元中有一个是单电子价和运转，于是就有了电子空位，与这个结构元相连的6个结构元外端又连着18个结构元，这样电子空位呈2×3 扩展，所以该晶体的导电能力也呈几何级数增加。电子空位扩展之后空位出现的时间越来越短，也就不成其为空位了。
以上论述说明，不管是N型还是P型半导体，其导电能力都是由电子空位提供的。电子空位则是由晶体中杂质分布引起价和电子紊乱运行所致，所出现的电子空位是瞬时的、随机的。这也导致了半导体的"测不准"及温升，热敏等诸多物理性质。
晶体管的PN结的实质是疏通或堵塞电子空位。

二极管 把N 型和P 型半导体材料紧密结合起来，两端连上导线，就形成了半导体二极管。二极管最关键的部位在两种材料的结合处，人们称之为P N 结。
由于N 型半导体是5 价的磷镶嵌在以4 价为主体硅晶体中，有多出的电子。而在P 型半导体中是3 价的硼在以硅为主体的结构元连接中，顶替了一个硅原子的位置，在整体上有缺少电子的趋势。把这两种晶体紧密结合：N 型半导体中多出的电子向缺少电子的P 型半导体中扩散。这样，在结合部附近，各结构元的价和电子数正好达到平衡，（图9-1）每个原子周围的价和电子平稳运转，没有了电子的紊乱和等待，也就没有了电子空位。这就是在不导电时的P N 结。
金属导电原理 电流是电子的定向流动，这就像水流是水的定向流动一样。这叫人联想到一个常用的中国词"流通"，通则流，不通则不流。水流不是因为该物体内有水(桶里的水，池塘里的水就不能形成水流)。除了压力差之外还必须得"通"——必须得有让水定向通过的空间(如渠道、管道等)；电流不是因为该物体内的电子有自由，除了电压差之外还必须得"通"——必须得有让电子定向通过的空间。
那么，是什么使得物体能够导电？——是该物体内原子间有电子的通路。前提条件是：该物体价和电子数量较少并且运转不够饱满（在平面运转，没能形成饱满的球状），在价和电子运转的同时，存在着能让外电子窜入的间隙和时机；存在着能让电子在其间穿越运动的空位，我们把原子外层所呈现的这种空位叫做电子空位。电子空位是电子流动的通路，有了这样的通路，外来的电子才能在其间运动，形成电子的流动——电流。

导电原理是： 某物质的原子的价电子较少，外电子层不饱满，或速率很低，存在着电子空位，在电压的作用下外来的电子进入电子空位，电子在电子空位间换位移动，形成电流。
有了电子空位，外来电子才能进入，才能在物质内定向运动形成电流。导体、半导体、液体导电都是如此，超导原理也是如此。
电子空位是由价和电子的数量、速率及线路所决定。金属原子外层电子较少，组合成结构元之后，每个原子的外层仅有一、二个价和运转围绕，原子的外层仍存在较多的电子空位，能容外来电子进入、移动，因而易于导电。
在绝缘体内，因原子的价电子多，多个价和运转包围着一个原子，使原子的外电子层趋近饱和，没有电子空位(或很少)，不能容外界电子进入，因而不能导电。