本征半导体掺了什么材料得到p

❶ P型半导体是在本征半导体参入五价元素获得的。

P型半导体不是复在本征半导体制参入五价元素获得的。
在本征半导体中掺入5价的元素可以得到N型半导体。例如，现在用的最多的硅本征半导体，掺入5价的元素磷或锑都可以，使其转变为N型半导体。
在本征半导体中掺入微量的3价元素等元素杂质时的半导体,称为P型半导体。

❷ 在本征半导体中掺入"什么"价元素得N型半导体

本征半导体材料就是没有缺陷和杂质的半导体材料。你说的掺入什么元素回可以得到N型半导体，取答决于你的半导体是什么元素构成的，是元素半导体还是化合物半导体等等这些情况。另外，对于确定的半导体材料，一种确定的杂质掺入后材料显示P型还是N型，和杂质进入半导体材料后在晶格中的位置有关系。常见的，有替位式的，也有间隙式的。

❸ 在本征半导体中加入（ ）元素可形成P型半导体。

在本征半导体硅（或锗）中掺入微量的5价元素,例如磷,则磷原子就取代了硅晶回体中少量的答硅原子,占据晶格上的某些位置.磷原子最外层有5个价电子,其中4个价电子分别与邻近4个硅原子形成共价键结构,多余的1个价电子在共价键之外,只受到磷原子对它微弱的束缚,因此在室温下,即可获得挣脱束缚所需要的能量而成为自由电子,游离于晶格之间.失去电子的磷原子则成为不能移动的正离子.磷原子由于可以释放1个电子而被称为施主原子,又称施主杂质.
在本征半导体中每掺入1个磷原子就可产生1个自由电子,而本征激发产生的空穴的数目不变.这样,在掺入磷的半导体中,自由电子的数目就远远超过了空穴数目,成为多数载流子（简称多子）,空穴则为少数载流子（简称少子）.

❹ 本征半导体掺入三价元素硼为什么会形成P型半导体+3价为什么还是负离子

你看图，在圈里的黑点都是电子，形成了固定的化学键，不能乱动，所以无法回作为载流子。
白点空穴，答就是那个白点没电子，所以白点没有形成固定的化学键，可以移动，作为载流子形成电流。
空穴是载流子的时候就是p型半导体，positive，因为空穴是带正电的。
+3价是最外层电荷数，和阴离子没关系，因为中性的硼最外层3个电子，现在有4个，比原来多1个，所以是阴离子。
比如食盐NaCl，Cl-也是阴离子，最外层电荷+7，现在形成食盐后，最外层有8个电子，比原来多一个，所以是阴离子。

❺ 本征半导体掺入三价元素硼为什么会形成P型半导体+3价为什么还是负离子

你看图，在圈里的黑点都是电子，形成了固定的化学键，不能乱动，所以无法作为载流专子。
白点空穴，就属是那个白点没电子，所以白点没有形成固定的化学键，可以移动，作为载流子形成电流。
空穴是载流子的时候就是p型半导体，positive，因为空穴是带正电的。
+3价是最外层电荷数，和阴离子没关系，因为中性的硼最外层3个电子，现在有4个，比原来多1个，所以是阴离子。
比如食盐NaCl，Cl-也是阴离子，最外层电荷+7，现在形成食盐后，最外层有8个电子，比原来多一个，所以是阴离子。

❻ 本征半导体中掺入（）族元素，例如（），得到p型半导体，p型半导体的空穴浓度（）自由电子浓度，而自由

掺IIIA族元素得到P型半导体，如硼元素，掺VA族元素得到N型半导体，如磷元素。P型中空穴浓度高，N型中自由电子多。

❼ p型半导体是在本征半导体中渗透了什么物质形成的

答案：p型半导体是在本征半导体中渗透了（三价元素（如硼））物质形成的
P型半导体回，也称为答空穴型半导体。P型半导体即空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体。是在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位子，就形成P型半导体。在P型半导体中，空穴为多子，自由电子为少子，主要靠空穴导电。掺入的杂质越多，多子（空穴）的浓度就越高，导电性能就越强。

❽ 设计一个实验,首先将一块本征半导体变为p型半导体，然后再设浓度使它变成n型半导体

硅(Si)材料中离子注入硼或者硼源高温炉管参杂低浓度。比如1e14，这时候为版p型半导体，再对该权材料子注入磷或或者磷源(如PH3,POCl3)高温炉管参杂高浓度，比如5e14，这时候该材料转为N型半导体。

通过注入、气态源、液态源、固态源扩散进行掺杂可获得N型或P型半导体，例如，掺入硼可得到P型，掺入磷或砷可得到N型。

比如硅材料中参入3价元素杂质（如硼），杂质原子贡献一个空穴，使得原本征半导体成为P型半导体，参入5价元素（如砷）可使得杂质原子贡献1个自由价电子，使得原本征半导体成为N型半导体。

(8)本征半导体掺了什么材料得到p扩展阅读：

在一定温度下，电子－空穴对的产生和复合同时存在并达到动态平衡，此时本征半导体具有一定的载流子浓度，从而具有一定的电导率。加热或光照会使半导体发生热激发或光激发，从而产生更多的电子－空穴对，这时载流子浓度增加，电导率增加。

半导体热敏电阻和光敏电阻等半导体器件就是根据此原理制成的。常温下本征半导体的电导率较小，载流子浓度对温度变化敏感，所以很难对半导体特性进行控制，因此实际应用不多。

❾ 本征半导体掺杂成p型半导体中杂质的要求

1）首先要选择什么杂质
-
如果要掺杂成P型半导体可以选择B和BF和In.
-B是最常用的
-In和BF的质量比较大，适合于浅掺杂
-BF中的F可能对HCI或者NBTI