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半导体蒸镀干什么的

发布时间: 2021-03-07 03:23:34

⑴ 蒸镀生产光学镜片时有什么优缺点相比溅镀又如何

蒸镀 (Evoaporation)及溅镀 (Sputtering)

所谓的物理气相沉积 (Physical Vapor Deposition, PVD),就是以物理现象的方式,來近进行薄膜沉积的一种技术。在半导体制程中主要的PVD技术,有蒸镀 (Evoaporation)及溅镀 (Sputtering) 等兩种。前者是藉著对被蒸镀物体
加热,利用被蒸镀物在接近熔点时的高温所具备的饱和蒸气压,來进行薄膜沉积;而后者,则是利用电浆所产生的離子,藉著離子对被溅镀物电极(Electrode) 的轰击(Bombardment),使电浆的气相 (Vapor phase) 内具有被镀物的原子,然后产
生沉积镀膜。本次微机电的实验为使用溅镀的方式來进行薄膜沉积。

http://www2.nkfust.e.tw/~jcyu/Course/MEMS Lab/q.pdf

蒸镀
蒸镀镀膜就是在真空中通过电流加热、电子束轰击加热和镭射加热等方法,使薄膜材料蒸镀成为原子或分子,它们随即以较大的自由程作直线运动,碰撞基片表面而凝结,形成一层薄膜.蒸镀镀膜要求镀膜室内残余气体分子的平均自由程大於蒸镀源到基片的距离,尽可能减少蒸镀物的分子与气体分子碰撞的机会,这样才能保证薄膜纯净和牢固,蒸镀物也不至於氧化
在蒸镀镀膜过程中,要想控制蒸镀速率,必须精确控制蒸镀源的温度.蒸镀镀膜最常用的加热方法是电阻大电流加热.采用钨、钼、钽、铂等高熔点化学性能稳定的金属,做成适当形状的加热源,其上装入待蒸镀材料,让电流通过,对蒸镀材料进行直接加热蒸镀,或者把待蒸镀材料放入氧化铝、氮化硼或石墨等坩埚中进行间接加热蒸镀.例如蒸镀铝膜,铝的熔点为659 ℃,到1100 ℃时开始迅速蒸镀,常选用钨丝作为加热源,钨的熔化温度为380 ℃.在真空镀膜中,飞抵基片的气化原子或分子,除一部分被反射外,其於的被吸附在基片的表面上.被吸附的原子或分子在基片表面上进行扩散运动,一部分在运动中因相互碰撞而结聚成团,另一部分经过一段时间的滞留后,被蒸镀而离开基片表面.聚团可能会与表面扩散原子或分子发生碰撞时捕获原子或分子而增大,也可能因单个原子或分子脱离而变小.当聚团增大到一定程度时,便会形成稳定的核,核再捕获到飞抵的原子或分子,或在基片表面进行扩散运动的原子或分子就会生长.在生长过程中核与核合成而形成网路结构,网路被填实即生成连续的薄膜.显然,基片的表面条件(例如清洁度和不完整性)、基片的温度以及薄膜的沉积速率都将影响薄膜的品质.

http://www.phys.ncyu.e.tw/~science/Textbook/95-NCYU-DAP-2-Thin-Film.doc

溅镀
一般溅镀现象多在两极间施加一直流电压,因此又称为直流溅镀,通常是利用气体的辉光放电效应,产生正离子束撞击靶原子。直流溅镀不能用来溅镀绝缘体,因为在直流溅镀时,撞击阴极靶材的离子所带的电荷不能被中和而停留在靶面上,使靶材变成带正电而阻止正电荷离子靠近,但用射频(RF)溅镀则可避免这个问题。所谓的射频溅镀是在介电质靶材背面加一金属电极且改用射频交流电(13.56 MHz),因为电子比正离子跑得快,在射频的正半周期已飞向靶面中和了负半周期所累积的正电荷,由於频率相当快,正离子一直留在电浆区,对靶材(阴极)仍维持相当高的正电位,因此溅射得以继续进行。所以射频溅镀法不仅可以溅镀金属,也可以溅镀绝缘体材料,其镀膜速率较直流溅镀快、成膜均匀、致密度高、成分与靶材差异小且与基板附著性佳。直流溅镀及射频溅镀,带电粒子的行进路线是沿著电场方向作直线运动,产生的电浆游离率并不高,大多数的气体原子都是不带电的,此种不带电的原子无法被加速而产生溅镀,导致溅镀效率降低,为了提高气体的游离率及溅镀效率,一般会在靶材上加装磁场,形成所谓的磁控溅镀。

http://www.ntut.e.tw/~wwwemo/instrument_manual/sputter.htm

⑵ 蒸镀机的工作原理是什么

通过在真空蒸镀机复上设置对于从蒸发制室(18)侧朝玻璃基板(12)侧流入的蒸镀材料(15)的蒸气量在玻璃基板(12)的板宽度方向L均匀地控制的阀部件(21);以及在玻璃基板(12)的下面侧以平行于玻璃基板(12)的被蒸镀面的方式配置,且在蒸镀室(25a)内对蒸镀材料(15)的蒸气进行面内分布和流动的调整的多孔挡板(23),从而谋求对于玻璃基板(12)的板宽度方向L的蒸镀均匀化。由此,本发明能够提供一种即使对大型基板也能形成蒸镀材料的蒸气的均匀流动同时,还能控制蒸气分布,从而能够对蒸镀进行均匀化的真空蒸镀机。

⑶ 真空镀膜机是干什么用的

真空镀膜机 主要指一类需要在较高真空度下进行的镀膜,具体包括很多种类,包括版真空离子蒸发,权磁控溅射,MBE分子束外延,PLD激光溅射沉积等很多种。主要思路是分成蒸发和溅射两种

适用范围:
1.建筑五金:卫浴五金(如水龙头).门锁.门拉手.卫浴、五金合叶、家具等。
2.制表业:可用于表壳.表带的镀膜、水晶制品。
3.其它小五金:皮革五金.不锈钢餐具.眼镜框、刀具、模具等.
4.大型工件:汽车轮毂、不锈钢板.招牌.雕塑等。
5、不锈钢管和板(各种类型表面)
6、家具、灯具、宾馆用具。
7、锁具、拉手、卫浴五金、高尔夫球头、不锈钢餐具、器血等五金制品镀超硬装饰膜。
8、手表、表带、眼镜、首饰等装饰品镀超耐磨装饰(金银)纳米膜和纳米膜和纳米叠层膜。

操作程序:
真空镀膜机操作程序具体操作时请参照该设备说明书和设备上仪表盘指针显示及各旋钮下的标注说明。

⑷ 真空镀膜是真空蒸镀吗两者范围大小我不太清楚 还事说真空镀膜还包括了溅射镀膜

【古德邦】在真空中制备膜层,包括镀制晶态的金属、半导体、绝缘体等单质或化合物膜。虽然化学汽相沉积也采用减压、低压或等离子体等真空手段,但一般真空镀膜是指用物理的方法沉积薄膜。真空镀膜有三种形式,即蒸发镀膜、溅射镀膜和离子镀。
通过加热蒸发某种物质使其沉积在固体表面,称为蒸发镀膜。这种方法最早由M.法拉第于1857年提出,现代已成为常用镀膜技术之一。蒸发镀膜与其他真空镀膜方法相比,具有较高的沉积速率,可镀制单质和不易热分解的化合物膜。
溅射镀膜是指用高能粒子轰击固体表面时能使固体表面的粒子获得能量并逸出表面,沉积在基片上。溅射现象于1870年开始用于镀膜技术,1930年以后由于提高了沉积速率而逐渐用于工业生产。
蒸发物质的分子被电子碰撞电离后以离子沉积在固体表面,称为离子镀。这种技术是D.麦托克斯于1963年提出的。离子镀是真空蒸发与阴极溅射技术的结合。离子镀工艺综合了蒸发(高沉积速率)与溅射(良好的膜层附着力)工艺的特点,并有很好的绕射性,可为形状复杂的工件镀膜。更多真空镀膜技术请参看http://www.goodbong.cn

⑸ 二极管气敏传感器的工作原理是什么

有两种原理不同的气敏二极管。
其中的“金属氧化物气敏二极管”是在硅半导体材料表面(隔着一层氧化硅绝缘层)蒸镀一层对各种气体敏感的金属氧化物,比如氧化镉,氧化钛,氧化锌...等等。这些金属氧化物遇到特定的敏感气体分子时会改变介电常数,导致二极管的结电容发生变化。通过测量二极管的结电容可以测量敏感气体的浓度。

⑹ 蒸镀的蒸镀优点

1.能在金属、半导体、绝缘体甚至塑料、纸张、织物表面上沉积金属、半导体版、权绝缘体、不同成分比的合金、化合物及部分有机聚合物等的薄膜,其适用范围之广是其它方法无法与之比拟的
2.可以不同的沉积速率、不同的基板温度和不同的蒸气分子入射角蒸镀成膜,因而可得到不同显微结构和3.结晶形态(单晶、多晶或非晶等)的薄膜;
4.薄膜的纯度很高
5.易于在线检测和控制薄膜的厚度与成分。厚度控制精度最高可达单分子层量级
6.排出污染物很少且基本上没有,无“三废”公害;

⑺ 半导体是什么

半导体
锗、硅、硒、砷化镓及许多金属氧化物和金属硫化物等物体,它们的导电能力回介于导体和绝答缘体之间,叫做半导体。
半导体具有一些特殊性质。如利用半导体的电阻率与温度的关系可制成自动控制用的热敏元件(热敏电阻);利用它的光敏特性可制成自动控制用的光敏元件,像光电池、光电管和光敏电阻等。
半导体还有一个最重要的性质,如果在纯净的半导体物质中适当地掺入微量杂质测其导电能力将会成百万倍地增加。利用这一特性可制造各种不同用途的半导体器件,如半导体二极管、三极管等。
把一块半导体的一边制成P型区,另一边制成N型区,则在交界处附近形成一个具有特殊性能的薄层,一般称此薄层为PN结。图中上部分为P型半导体和N型半导体界面两边载流子的扩散作用(用黑色箭头表示)。中间部分为PN结的形成过程,示意载流子的扩散作用大于漂移作用(用蓝色箭头表示,红色箭头表示内建电场的方向)。下边部分为PN结的形成。表示扩散作用和漂移作用的动态平衡。

⑻ 为什么金属表面不能做真空蒸镀加工

为什么金属表面不能做真空蒸镀加工
金属加热至蒸发温度。然后蒸汽从真空室转移,内在低温容零件上凝结。该工艺在真空中进行,金属蒸汽到达表面不会氧化。
在对树脂实施蒸镀时,为了确保金属冷却时所散发出的热量不使树脂变形,有必须对蒸镀时间进行调整。此外,熔点、沸点太高的金属或合金不适合于蒸镀。在真空中制备膜层,包括镀制晶态的金属、半导体、绝缘体等单质或化合物膜。虽然化学汽相沉积也采用减压、低压或等离子体等真空手段,但一般真空镀膜是指用物理的方法沉积薄膜。真空镀膜有三种形式,即蒸发镀膜、溅射镀膜和离子镀。

⑼ 蒸镀的蒸镀工艺

1、cvd用原料化合物及其制造方法及铱或铱化合物薄膜的化学气相蒸镀法
2、cvd用原料化合物及铱或铱化合物薄膜的化学气相蒸镀方法
3、cvd用原料化合物以及钌或钌化合物薄膜的化学气相蒸镀方法
4、彩色阴极射线管及其制造方法和蒸镀用复合材料
5、层压薄膜和使用它的蒸镀薄膜
6、除尘装置、蒸镀机台及以其进行清洁遮罩的方法
7、带有磁铁的等离子体的连续蒸镀装置
8、等离子体蒸镀设备防止凝缩装置
9、电激发光显示板的制造方法及蒸镀遮罩
10、电激发光元件的制造方法及蒸镀遮罩
11、改进型蒸镀方法
12、高温超导薄膜双面蒸镀技术及其装置
13、金属蒸镀薄膜、其制造方法及使用它的电容器
14、利用等离子体的高分子膜连续蒸镀装备的电极固定装置
15、利用等离子体的高分子膜连续蒸镀装置清洗方法
16、利用蒸镀夹具的手机外壳emi层真空蒸镀方法及夹具
17、连续式蒸镀溅镀机
18、免蒸镀的硬式带式自动焊接封装方法
19、锌蒸镀薄膜及金属化薄膜电容器
20、掩模蒸镀方法及装置、掩模及其制造方法、显示板制造装置
21、氧化镁蒸镀材料
22、一氧化硅蒸镀材料及其制造方法、制造原料和制造装置
23、一氧化硅蒸镀材料及其制造方法
24、一种利用强电场的真空热蒸镀成膜方法
25、一种用于半导体激光器腔面蒸镀的非接触固定方式的夹具
26、阴极电弧蒸镀方式淀积类金刚石碳膜的制备方法
27、用于镭射压印蒸镀的双向拉伸聚丙烯基膜
28、用于镭射压印蒸镀的双向拉伸聚丙烯基膜及其制造方法
29、用于生产高折射率光学涂层的蒸镀用材料
30、用于制作有机电致发光显示器的蒸镀装置
31、有机el元件制造用蒸镀装置的室内的清洗方法
32、有机场致发光膜蒸镀用蒸镀源
33、有机发光二极管蒸镀机台
34、有机膜蒸镀方法
35、在光学基片上蒸镀镀膜的方法
36、在光学基片上蒸镀镀膜的真空镀膜设备
37、真空电弧蒸镀方法及装置
38、真空蒸镀设备用的蒸镀装置
39、蒸镀材料及其利用该材料制造光学薄膜
40、蒸镀材料其制备方法和用该材料制备光学涂层方法
41、蒸镀方法及显示装置的制造方法
42、蒸镀方法及蒸镀装置
43、蒸镀膜
44、蒸镀掩模及制法、显示装置及制法以及具有其的电子机器
45、蒸镀用坩锅
46、蒸镀用掩模及其制造方法
47、蒸镀装置
48、蒸镀装置
49、蒸镀装置
50、蒸镀装置
51、直接蒸镀用树脂组合物、使用该组合物的模塑制品以及表面金属化处理的灯罩
52、制作电致发光显示器的、使用电磁铁的蒸镀装置及采用此装置的蒸镀方法

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