半导体元件中F代表什么

❶ 电路板中的字母代表什么啊电路板中的字母"E,T,U,D,J"代表什么电子元器件啊

电路板中的字母代表各电子元件的缩写。

1、截止到2019年2月22日为止电子元件中还没有缩写为E的电子元器件。

2、T代表变压器。

3、U代表集成电路。

4、D代表晶体二极管，如: D5表示编号为5的二极管。

5、J代表跳线或跳接点。

电子元器件包括：电阻、电容器、电位器、电子管、散热器、机电元件、连接器、半导体分立器件、电声器件、激光器件、电子显示器件、光电器件、传感器、电源、开关、微特电机、电子变压器、继电器、印制电路板、集成电路、各类电路、压电、晶体、石英、陶瓷磁性材料、印刷电路用基材基板、电子功能工艺专用材料、电子胶（带）制品、电子化学材料及部品等。

(1)半导体元件中F代表什么扩展阅读：

电子元器件的分类：

1、电路类元件：二极管，电阻器等等。

2、连接类元件：连接器，插座，连接电缆，印刷电路板(PCB)。

电路板中组合字母介绍：

1、COB（Chip On Board）：通过帮定将IC裸片固定于印刷线路板上

2、COF (Chip On FPC)：将芯片固定于TCP上

3、COG (Chip On Glass)：将芯片固定于玻璃上

4、El (Electro Luminescence)：电致发光，EL层由高分子量薄片构成，用作LCD的EL光源

5、FTN (Formutated STN)：一层光程补偿片加于STN，用于黑白显示

6、LED (Light Emitting Diode)：发光二极管

7、PCB (Print Circuit Board)：印刷线路板

❷ 电子元件符号、作用、单位大全

电子元器件基础知识（1）——电阻

导电体对电流的阻碍作用称为电阻，用符号R表示，单位为欧姆、千欧、兆欧，分别用Ω、KΩ、MΩ表示。一、电阻的型号命名方法：

国产电阻器的型号由四部分组成（不适用敏感电阻）第一部分：主称，用字母表示，表示产品的名字。如R表示电阻，W表示电位器。第二部分：材料，用字母表示，表示电阻体用什么材料组成，T-碳膜、H-合成碳膜、S-有机实心、N-无机实心、J-金属膜、Y-氮化膜、C-沉积膜、I-玻璃釉膜、X-线绕。第三部分：分类，一般用数字表示，个别类型用字母表示，表示产品属于什么类型。1-普通、2-普通、3-超高频、4-高阻、5-高温、6-精密、7-精密、8-高压、9-特殊、G-高功率、T-可调。第四部分:序号，用数字表示，表示同类产品中不同品种，以区分产品的外型尺寸和性能指标等例如：RT11型普通碳膜电阻

电子元器件基础知识（2）——电容

电容是电子设备中大量使用的电子元件之一，广泛应用于隔直，耦合，旁路，滤波，调谐回路，能量转换，控制电路等方面。用C表示电容，电容单位有法拉（F）、微法拉（uF）、皮法拉（pF）,1F=10^6uF=10^12pF

电容器的型号命名方法国产电容器的型号一般由四部分组成（不适用于压敏、可变、真空电容器）。依次分别代表名称、材料、分类和序号。第一部分：名称，用字母表示，电容器用C。第二部分：材料，用字母表示。第三部分：分类，一般用数字表示，个别用字母表示。第四部分：序号，用数字表示。用字母表示产品的材料：A-钽电解、B-聚苯乙烯等非极性薄膜、C-高频陶瓷、D-铝电解、E-其它材料电解、G-合金电解、H-复合介质、I-玻璃釉、J-金属化纸、L-涤纶等极性有机薄膜、N-铌电解、O-玻璃膜、Q-漆膜、T-低频陶瓷、V-云母纸、Y-云母、Z-纸介

电子元器件基础知识（3）——电感线圈

电感线圈是由导线一圈*一圈地绕在绝缘管上，导线彼此互相绝缘，而绝缘管可以是空心的，也可以包含铁芯或磁粉芯，简称电感。用L表示，单位有亨利(H)、毫亨利(mH)、微亨利(uH)，1H=10^3mH=10^6uH。

电感的分类按电感形式分类：固定电感、可变电感。按导磁体性质分类：空芯线圈、铁氧体线圈、铁芯线圈、铜芯线圈。按工作性质分类：天线线圈、振荡线圈、扼流线圈、陷波线圈、偏转线圈。按绕线结构分类：单层线圈、多层线圈、蜂房式线圈。

电感线圈的主要特性参数1、电感量L电感量L表示线圈本身固有特性，与电流大小无关。除专门的电感线圈（色码电感）外，电感量一般不专门标注在线圈上，而以特定的名称标注。2、感抗XL电感线圈对交流电流阻碍作用的大小称感抗XL，单位是欧姆。它与电感量L和交流电频率f的关系为XL=2πfL3、品质因素Q品质因素Q是表示线圈质量的一个物理量，Q为感抗XL与其等效的电阻的比值，即：Q=XL/R线圈的Q值愈高，回路的损耗愈小。线圈的Q值与导线的直流电阻，骨架的介质损耗，屏蔽罩或铁芯引起的损耗，高频趋肤效应的影响等因素有关。线圈的Q值通常为几十到几百。4、分布电容线圈的匝与匝间、线圈与屏蔽罩间、线圈与底版间存在的电容被称为分布电容。分布电容的存在使线圈的Q值减小，稳定性变差，因而线圈的分布电容越小越好。

电子元器件基础知识（4）——半导体器件

中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。五个部分意义如下：第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、G-高频小功率管（f>3MHz,Pc<1W）、D-低频大功率管（f<3MHz,Pc>1W）、A-高频大功率管（f>3MHz,Pc>1W）、T-半导体晶闸管（可控整流器）、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。第四部分：用数字表示序号第五部分：用汉语拼音字母表示规格号例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管

电流表PA

电压表PV

有功电度表PJ

无功电度表PJR

频率表PF

相位表PPA

最大需量表(负荷监控仪)PM

功率因数表PPF

有功功率表PW

无功功率表PR

无功电流表PAR

声信号HA

光信号HS

指示灯HL

红色灯HR

绿色灯HG

黄色灯HY

蓝色灯HB

白色灯HW

连接片XB

插头XP

插座XS

端子板XT

电线,电缆,母线W

直流母线WB

插接式(馈电)母线WIB

电力分支线WP

照明分支线WL

应急照明分支线WE

电力干线WPM

照明干线WLM

应急照明干线WEM

滑触线WT

合闸小母线WCL

控制小母线WC

信号小母线WS

闪光小母线WF

事故音响小母线WFS

预告音响小母线WPS

电压小母线WV

事故照明小母线WELM

避雷器F

熔断器FU

快速熔断器FTF

跌落式熔断器FF

限压保护器件FV

电容器C

电力电容器CE

正转按钮SBF

反转按钮SBR

停止按钮SBS

紧急按钮SBE

试验按钮SBT

复位按钮SR

限位开关SQ

接近开关SQP

手动控制开关SH

时间控制开关SK

液位控制开关SL

湿度控制开关SM

压力控制开关SP

速度控制开关SS

温度控制开关,辅助开关ST

电压表切换开关SV

电流表切换开关SA

整流器U

可控硅整流器UR

控制电路有电源的整流器VC

变频器UF

变流器UC

逆变器UI

电动机M

异步电动机MA

同步电动机MS

直流电动机MD

绕线转子感应电动机MW

鼠笼型电动机MC

电动阀YM

电磁阀YV

防火阀YF

排烟阀YS

电磁锁YL

跳闸线圈YT

合闸线圈YC

气动执行器YPA,YA

电动执行器YE

发热器件(电加热)FH

照明灯(发光器件)EL

空气调节器EV

电加热器加热元件EE

感应线圈,电抗器L

励磁线圈LF

消弧线圈LA

滤波电容器LL

电阻器,变阻器R

电位器RP

热敏电阻RT

光敏电阻RL

压敏电阻RPS

接地电阻RG

放电电阻RD

启动变阻器RS

频敏变阻器RF

限流电阻器RC

光电池,热电传感器B

压力变换器BP

温度变换器BT

速度变换器BV

时间测量传感器BT1,BK

液位测量传感器BL

温度测量传感器BH,BM

❸ 电路图中C，D，E，F都代表一些什么元件

C表示电容（Capacitor）
D表示二极管（Diode）
E不常见，我一时想不出来它是什么元器件
F一般表示熔丝（Fuse）

❹ 电路图中的F是表示什么元件

一般表示为保险，
自定义的就没准了。

❺ 通用电子元件都用什么字母表示

一、中国半导体器件型号命名方法
半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。五个部分意义如下：
第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管
第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。
第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(f<3MHz,Pc<1W)、G-高频小功率管（f>3MHz,Pc<1W)、D-低频大功率管（f<3MHz,Pc>1W)、A-高频大功率管（f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管（可控整流器）、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。
第四部分：用数字表示序号
第五部分：用汉语拼音字母表示规格号例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管。 二、日本半导体分立器件型号命名方法
日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：
第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。0-光电（即光敏）二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。
第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。
第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。A-PNP型高频管、B-PNP型低频管、C-NPN型高频管、D-NPN型低频管、F-P控制极可控硅、G-N控制极可控硅、H-N基极单结晶体管、J-P沟道场效应管、K-N沟道场效应管、M-双向可控硅。
第四部分：用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号。两位以上的整数-从“11”开始，表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号；不同公司的性能相同的器件可以使用同一顺序号；数字越大，越是近期产品。
第五部分：用字母表示同一型号的改进型产品标志。A、B、C、D、E、F表示这一器件是原型号产品的改进产品。 三、美国半导体分立器件型号命名方法
美国晶体管或其他半导体器件的命名法较混乱。
美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下：
第一部分：用符号表示器件用途的类型。JAN-军级、JANTX-特军级、JANTXV-超特军级、JANS-宇航级、（无）-非军用品。
第二部分：用数字表示pn结数目。1-二极管、2=三极管、3-三个pn结器件、n-n个pn结器件。
第三部分：美国电子工业协会（EIA）注册标志。N-该器件已在美国电子工业协会（EIA）注册登记。
第四部分：美国电子工业协会登记顺序号。多位数字-该器件在美国电子工业协会登记的顺序号。
第五部分：用字母表示器件分档。A、B、C、D、┄┄-同一型号器件的不同档别。如：JAN2N3251A表示PNP硅高频小功率开关三极管，JAN-军级、2-三极管、N-EIA注册标志、3251-EIA登记顺序号、A-2N3251A档。 四、国际电子联合会半导体器件型号命名方法
德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家，大都采用国际电子联合会半导体分立器件型号命名方法。这种命名方法由四个基本部分组成，各部分的符号及意义如下：
第一部分：用字母表示器件使用的材料。A-器件使用材料的禁带宽度Eg=0.6~1.0eV如锗、B-器件使用材料的Eg=1.0~1.3eV如硅、C-器件使用材料的Eg>1.3eV如砷化镓、D-器件使用材料的Eg<0.6eV如锑化铟、E-器件使用复合材料及光电池使用的材料。
第二部分：用字母表示器件的类型及主要特征。A-检波开关混频二极管、B-变容二极管、C-低频小功率三极管、D-低频大功率三极管、E-隧道二极管、F-高频小功率三极管、G-复合器件及其他器件、H-磁敏二极管、K-开放磁路中的霍尔元件、L-高频大功率三极管、M-封闭磁路中的霍尔元件、P-光敏器件、Q-发光器件、R-小功率晶闸管、S-小功率开关管、T-大功率晶闸管、U-大功率开关管、X-倍增二极管、Y-整流二极管、Z-稳压二极管。
第三部分：用数字或字母加数字表示登记号。三位数字-代表通用半导体器件的登记序号、一个字母加二位数字-表示专用半导体器件的登记序号。
第四部分：用字母对同一类型号器件进行分档。A、B、C、D、E┄┄-表示同一型号的器件按某一参数进行分档的标志。
除四个基本部分外，有时还加后缀，以区别特性或进一步分类。常见后缀如下：
1、稳压二极管型号的后缀。其后缀的第一部分是一个字母，表示稳定电压值的容许误差范围，字母A、B、C、D、E分别表示容许误差为±1%、±2%、±5%、±10%、±15%；其后缀第二部分是数字，表示标称稳定电压的整数数值；后缀的第三部分是字母V，代小数点，字母V之后的数字为稳压管标称稳定电压的小数值。
2、整流二极管后缀是数字，表示器件的最大反向峰值耐压值，单位是伏特。
3、晶闸管型号的后缀也是数字，通常标出最大反向峰值耐压值和最大反向关断电压中数值较小的那个电压值。
如：BDX51-表示NPN硅低频大功率三极管，AF239S-表示PNP锗高频小功率三极管 五、欧洲早期半导体分立器件型号命名法
欧洲有些国家，如德国、荷兰采用如下命名方法。
第一部分：O-表示半导体器件。
第二部分：A-二极管、C-三极管、AP-光电二极管、CP-光电三极管、AZ-稳压管、RP-光电器件。
第三部分：多位数字-表示器件的登记序号。
第四部分：A、B、C┄┄-表示同一型号器件的变型产品。

❻ F在电子元器件中表示什么

F在电子元器件表示保险管，在电子元器件单位表示电容容量F（法拉）

❼ 原理图中F代表什么元件

FUSE保险管

❽ 电气图纸中的F(符号）表示什么

《GB-T6988.1-2008电气制图国家标准》中规定，文字符号F为保护器件类的回文字符号。
文字符号可以组合使用，答常用的保护器件类的组合文字符号有下面几种：

F－过电压放电器件避雷器(Over voltage discharge device Arrester)。

FA－具有瞬时动作的限流保护器件(Current threshold protective device withInstantaneous action)。

FR－具有延时动作的限流保护器件(Current threshold protective device withTime-lag action)。

FS－具有延时和瞬时动作的限流保护器件(Current threshold protective device withInstantaneous and time-lag action)。

FU－熔断器(Fuse)。
FV－限压保护器件(Voltage threshold protective device)。

❾ 电路中符号F是什么元件

fuse 保险丝，保险管

❿ 求，求所有电子元件用什么字母符号代表、都有什么作用、怎么计算、计算方式中的字母代表什么

对于初学者建议看一下《电子电路识图速成全图解》，这个会详细介绍电子元件的作用符号等等

电路图符号大全

导电体对电流的阻碍作用称为电阻，用符号R表示，单位为欧姆、千欧、兆欧，分别用?、K?、M?表示。
一、电阻的型号命名方法：
国产电阻器的型号由四部分组成（不适用敏感电阻）第一部分：主称 ，用字母表示，表示产品的名字。如R表示电阻，W表示电位器。第二部分：材料 ，用字母表示，表示电阻体用什么材料组成，T-碳膜、H-合成碳膜、S-有机实心、N-无机实心、J-金属膜、Y-氮化膜、C-沉积膜、I-玻璃釉膜、X-线绕。第三部分：分类，一般用数字表示，个别类型用字母表示，表示产品属于什么类型。1-普通、2-普通、3-超高频 、4-高阻、5-高温、6-精密、7-精密、8-高压、9-特殊、G-高功率、T-可调。第四部分:序号，用数字表示，表示同类产品中不同品种，以区分产品的外型尺寸和性能指标等 例如：R T 1 1 型普通碳膜电阻

电子元器件基础知识（2）——电容
电容是电子设备中大量使用的电子元件之一，广泛应用于隔直，耦合， 旁路，滤波，调谐回路， 能量转换，控制电路等方面。用C表示电容，电容单位有法拉（F）、微法拉（uF）、皮法拉（pF）,1F=10^6uF=10^12pF
电容器的型号命名方法 国产电容器的型号一般由四部分组成（不适用于压敏、可变、真空电容器）。依次分别代表名称、材料、分类和序号。 第一部分：名称，用字母表示，电容器用C。 第二部分：材料，用字母表示。 第三部分：分类，一般用数字表示，个别用字母表示。 第四部分：序号，用数字表示。 用字母表示产品的材料：A-钽电解、B-聚苯乙烯等非极性薄膜、C-高频陶瓷、D-铝电解、E-其它材料电解、G-合金电解、H-复合介质、I-玻璃釉、J-金属化纸、L-涤纶等极性有机薄膜、N-铌电解、O-玻璃膜、Q-漆膜、T-低频陶瓷、V-云母纸、Y-云母、Z-纸介
电子元器件基础知识（3）——电感线圈
电感线圈是由导线一圈*一圈地绕在绝缘管上，导线彼此互相绝缘，而绝缘管可以是空心的，也可以包含铁芯或磁粉芯，简称电感。用L表示，单位有亨利(H)、毫亨利 (mH)、微亨利(uH)，1H=10^3mH=10^6uH。
电感的分类 按 电感形式 分类：固定电感、可变电感。 按导磁体性质分类：空芯线圈、铁氧体线圈、铁芯线圈、铜芯线圈。 按 工作性质 分类：天线线圈、振荡线圈、扼流线圈、陷波线圈、偏转线圈。 按 绕线结构 分类：单层线圈、多层线圈、蜂房式线圈。
电感线圈的主要特性参数 1、电感量L 电感量L表示线圈本身固有特性，与电流大小无关。除专门的电感线圈（色码电感）外，电感量一般不专门标注在线圈上，而以特定的名称标注。 2、感抗XL 电感线圈对交流电流阻碍作用的大小称感抗XL，单位是欧姆。它与电感量L和交流电频率f的关系为XL=2πfL 3、品质因素Q 品质因素Q是表示线圈质量的一个物理量，Q为感抗XL与其等效的电阻的比值，即：Q=XL/R 线圈的Q值愈高，回路的损耗愈小。线圈的Q值与导线的直流电阻，骨架的介质损耗，屏蔽罩或铁芯引起的损耗，高频趋肤效应的影响等因素有关。线圈的Q值通常为几十到几百。 4、分布电容 线圈的匝与匝间、线圈与屏蔽罩间、线圈与底版间存在的电容被称为分布电容。分布电容的存在使线圈的Q值减小，稳定性变差，因而线圈的分布电容越小越好。

电子元器件基础知识（4）——半导体器件
中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。五个部分意义如下：第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、G-高频小功率管（f>3MHz,Pc<1W）、D-低频大功率管（f<3MHz,Pc>1W）、A-高频大功率管（f>3MHz,Pc>1W）、T-半导体晶闸管（可控整流器）、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。第四部分：用数字表示序号第五部分：用汉语拼音字母表示规格号例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管

电流表 PA
电压表 PV
有功电度表 PJ
无功电度表 PJR
频率表 PF
相位表 PPA
最大需量表(负荷监控仪) PM
功率因数表 PPF
有功功率表 PW
无功功率表 PR
无功电流表 PAR
声信号 HA
光信号 HS
指示灯 HL
红色灯 HR
绿色灯 HG
黄色灯 HY
蓝色灯 HB
白色灯 HW
连接片 XB
插头 XP
插座 XS
端子板 XT
电线,电缆,母线 W
直流母线 WB
插接式(馈电)母线 WIB
电力分支线 WP
照明分支线 WL
应急照明分支线 WE
电力干线 WPM
照明干线 WLM
应急照明干线 WEM
滑触线 WT
合闸小母线 WCL
控制小母线 WC
信号小母线 WS
闪光小母线 WF
事故音响小母线 WFS
预告音响小母线 WPS
电压小母线 WV
事故照明小母线 WELM
避雷器 F
熔断器 FU
快速熔断器 FTF
跌落式熔断器 FF
限压保护器件 FV
电容器 C
电力电容器 CE
正转按钮 SBF
反转按钮 SBR
停止按钮 SBS
紧急按钮 SBE
试验按钮 SBT
复位按钮 SR
限位开关 SQ
接近开关 SQP
手动控制开关 SH
时间控制开关 SK
液位控制开关 SL
湿度控制开关 SM
压力控制开关 SP
速度控制开关 SS
温度控制开关,辅助开关 ST
电压表切换开关 SV
电流表切换开关 SA
整流器 U
可控硅整流器 UR
控制电路有电源的整流器 VC
变频器 UF
变流器 UC
逆变器 UI
电动机 M
异步电动机 MA
同步电动机 MS
直流电动机 MD
绕线转子感应电动机 MW
鼠笼型电动机 MC
电动阀 YM
电磁阀 YV
防火阀 YF
排烟阀 YS
电磁锁 YL
跳闸线圈 YT
合闸线圈 YC
气动执行器 YPA,YA
电动执行器 YE
发热器件(电加热) FH
照明灯(发光器件) EL
空气调节器 EV
电加热器加热元件 EE
感应线圈,电抗器 L
励磁线圈 LF 消
弧线圈 LA
滤波电容器 LL
电阻器,变阻器 R
电位器 RP
热敏电阻 RT
光敏电阻 RL
压敏电阻 RPS
接地电阻 RG
放电电阻 RD