为什么半导体表面能带会发生弯曲

① 能带弯曲是由极化效应还是内建电场引起的

如果你说的是半导体与电解液接触的话，那么：能带弯曲与半导体/电解液结有关回对于一个n型半导体当答其费米能级等于平带电势时，半导体与电解液之间没有电荷流转，在半导体与电解液接触界面两侧没有多余电荷，因此在固液界面的半导体一侧不会出现能带弯曲。如果电子从电解液流向半导体（即半导体的费米能级低于电解液中氧化还原电对电势），此时在固液界面的半导体一侧得到的是累积层，半导体靠近界面处的能带弯曲方向朝下。如果电子从半导体流入电解液（即半导体的费米能级高于电解液中氧化还原电对电势），此时在固液界面的半导体一侧得到的是耗尽层（由不能移动的带正电的电子施主形成），半导体靠近界面处的能带弯曲方向朝上。如果电子过多的从半导体流入电解液以至于固液界面处的电子浓度低于半导体的本征电子浓度，此时在固液界面的半导体一侧得到的是反型层，半导体靠近界面处的能带弯曲朝上加剧，同时半导体表面呈现p型特征（半导体体相依旧为n型）。p型半导体与电解液接触形成半导体/电解液结的原理与n型半导体相同，只是在p型半导体中可移动的载流子为空穴。（来自冯建勇博士论文：(氧)氮化物的制备及其光电化学水分解性能的研究）

② 半导体表面区的能带图，并说明会出现何种现象，回答正偏强反型的条件是什么

半导体表面能带弯曲，出现反型层时，就认为是强反型，这时半导体的表面势专=Fermi势。参见“http://blog.163.com/xmx028@126/”中的有关说明属。

③ TiO2势垒高度受表面态控制吗

表面态是由晶体表面的离子键不饱和或者表面落入灰尘离子等杂质造成的，因回为在表面的带电答粒子都会有向内扩散的趋势，必然会引起能带弯曲。前者引起的能带弯曲多数是向上的，因为表面态为游离电子，体内电子到达表面难度增加，势垒向上弯曲。这种表面态的引入是可控的。后者引起的能带弯曲是不可控的，而且是有害的，因为半导体向着未知的性能变化，如果引入了离子杂质如Na，更会向半导体内部扩展，变成废品。不饱和离子键引起的能带弯曲可以由公式得到 Vbi是禁带宽度，Nd1是表面态浓度，Na2是体内掺杂浓度（or硅离子的有效浓度）。在后半导体中表面态不明显，在薄半导体中表面态浓度不能被忽略，当表面态浓度状态足够大时会出现箝位现象，即势垒高度完全有表面态浓度决定，无论形成肖特基二极管是何种金属都不会改变势垒高度。通过这种技术可以有效自由地控制肖特基二极管的势垒高度，在微电子甚至纳电子领域都有所影响。

④ 金半接触时，半导体的真空能级会弯曲吗

因为N型半导体抄的功函数小于金属袭的功函数，所以当N型半导体与金属接触时，N型半导体中的电子将向金属一边转移，结果就造成半导体表面空间电荷区中有正电荷，在金属表面（界面）上有负电荷，从而产生一个由半导体指向金属表面的电场。.....可参见“”网页中的有关说明以及网络中的“pn结势垒”词条。

⑤ 半导体器件能带图

1.上升下降是相对的，当电势在p和n两边都有降低时（一般都是这样，单边突变结某一边将版的更多），那接触权时就是p上升，n下降
2.真空能级未变
3.异质结看费米能级，保持接触点能级位置升降到两边费米能级一致即可

⑥ 半导体物理中电场的存在对半导体能带的具体影响

请再把你要问的问题说清楚."也一起随着上升或下降了",这句话,不能理解.
你前面说的对呀,存在电场版就是有附加势权能.重复一下你的反例?

电场能够使空间电势变化,没有电场电势不变化.电势的绝对值是没有意义的,所以半导体中无电场部分必然是"近邻"半导体区域中电势的延伸(就是和最近邻等势),所以由于结中电势的变化,导致pn两侧产生电势差.而"结"是维持两侧电势差的原因.
所以你的理解,有电场电势才变化,本身是对的,但你用错了,因为这意味着无电场电势不变化,变化指的是,都无电场的那部分区域的电势比较,无变化.

⑦ 【固体物理学】为什么金属与半导体接触，内建场会造成能带弯曲

您好，小复子不才，愿尝试制为您解答。
（1）半导体禁带宽度不变，导带向上弯曲，价带自然向上弯曲；既然是N型半导体，空穴就是少子，它的变化可以忽略。纠结它的能量变化没什么意义。
（2）稳定之后的系统，费米能级是水平的，不是弯曲的。空间电荷区外应该具体一点。如果是半导体内部，费米能级是水平的，Efs没有弯曲，保持电中性。如果是金属一侧，Efm也是与Efs在一条水平线上，也没有弯曲。费米能级对x的变化率与nu的积等于电流密度。

⑧ 半导体物理中的金属半导体接触，怎么看看能带向上弯曲还是向下

如果你抄说的是半导体袭与电解液接触的话，那么：能带弯曲与 半导体/电解液结 有关
对于一个n型半导体当其费米能级等于平带电势时，半导体与电解液之间没有电荷流转，在半导体与电解液接触界面两侧没有多余电荷，因此在固液界面的半导体一侧不会出现能带弯曲。如果电子从电解液流向半导体（即半导体的费米能级低于电解液中氧化还原电对电势），此时在固液界面的半导体一侧得到的是累积层，半导体靠近界面处的能带弯曲方向朝下。如果电子从半导体流入电解液（即半导体的费米能级高于电解液中氧化还原电对电势），此时在固液界面的半导体一侧得到的是耗尽层（由不能移动的带正电的电子施主形成），半导体靠近界面处的能带弯曲方向朝上。如果电子过多的从半导体流入电解液以至于固液界面处的电子浓度低于半导体的本征电子浓度，此时在固液界面的半导体一侧得到的是反型层，半导体靠近界面处的能带弯曲朝上加剧，同时半导体表面呈现p型特征（半导体体相依旧为n型）。p型半导体与电解液接触形成半导体/电解液结的原理与n型半导体相同，只是在p型半导体中可移动的载流子为空穴。（来自冯建勇博士论文：(氧)氮化物的制备及其光电化学水分解性能的研究）

⑨ MIS半导体表面能带

取决于复M I S的三个的费米能级，制S的掺杂是P型还是N型，金属的费米能级就是功函数，这个和二极管原理一样的。 把三个费米能级计算出来，平移下就可以了，所有的Ef在你条直线上，把其它能级用曲线连接起来就好了。能级计算 Ei-Ef=kt/q*ln(Na/Ni)