半导体二极管工作在什么区时
A. 二极管特性曲线中,稳压管工作在哪段区域(譬如单向导通,反向截止还是反向击穿)
在二极管特性曲线中,稳压管工作在击穿区。
稳压二极管的正向特性与普通二极专管相同,而属反向特性却比较特殊:当反向电压加到 一定程度时,虽然管子呈现击穿状态,通过较大电流,却不损毁,并且这种现象的重复性很好;反过来看,只要管子处在击穿状态,尽管流过管子的电在变化很大, 而管子两端的电压却变化极小起到稳压作用。
所以只有稳压管工作在反向击穿区,才能起到稳压作用。
B. 半导体稳压二极管工作在稳压状态的时候,它的PN结处于一个什么样的状态呢
半导体稳压二极管工作在稳压状态的时候,它的PN结当然是处于反向导通状态啦!
C. 稳压二极管一般工作在哪个区
稳压二极管是利用PN结反向击穿特性所表现出的稳压性能制成的器件。稳压二极管也称齐纳二极管或反向击穿二极管,在电路中起稳定电压作用。它是利用二极管被反向击穿后,在一定反向电流范围内反向电压不随反向电流变化这一特点进行稳压的。稳压二极管通常由硅半导体材料采用合金法或扩散法制成。它既具有普通二极管的单向导电特性,又可工作于反向击穿状态。在反向电压较低时,稳压二极管截止;当反向电压达到一定数值时,反向电流突然增大,稳压二极管进入击穿区,此时即使反向电流在很大范围内变化时,稳压二极管两端的反向电压也能保持基本不变。但若反向电流增大到一定数值后,稳压二极管则会被彻底击穿而损坏。稳压二极管根据其封装形式、电流容量、内部结构的不同可以分为多种类型。稳压二极管根据其封装形式可分为金属外壳封装稳压二极管、玻璃封装(简称玻封)稳压二极管和塑料封装(简称塑封)稳压二极管。塑封稳压二极管又分为有引线型和表面封装两种类型。稳压管的主要参数有:①稳压值VZ。指当流过稳压管的电流为某一规定值时,稳压管两端的压降。②电压温度系数。稳压管的稳压值VZ的温度系数在VZ低于4V时为负温度系数值;当VZ的值大于7V时,其温度系数为正值;而VZ的值在6V左右时,其温度系数近似为零。目前低温度系数的稳压管是由两只稳压管反向串联而成,利用两只稳压管处于正反向工作状态时具有正、负不同的温度系数,可得到很好的温度补偿。③动态电阻rZ。表示稳压管稳压性能的优劣,一般工作电流越大,rZ越小。④允许功耗PZ。由稳压管允许达到的温升决定,小功率稳压管的PZ值为100~1000mW,大功率的可达50W。⑤稳定电流IZ。测试稳压管参数时所加的电流。实际流过稳压管的电流低于IZ时仍能稳压,但rZ较大。稳压管的最主要的用途是稳定电压。在要求精度不高、电流变化范围不大的情况下,可选与需要的稳压值最为接近的稳压管直接同负载并联。在稳压、稳流电源系统中一般作基准电源,也有在集成运放中作为直流电平平移。其存在的缺点是噪声系数较高,稳定性较差。
2011/8/618:43:12
D. 二极管工作在反向击穿区时
稳压二极复管是一个特殊的制面接触型的半导体硅二极管,其v-a特性曲线与普通二极管相似,但反向击穿曲线比较陡~稳压二极管工作于反向击穿区,由于它在电路中与适当电阴配合后能起到稳定电压的作用,故称为稳压管。稳压管反向电压在一定范围内变化时,反向电流很小,当反向电压增高到击穿电压时,反向电流突然猛增,稳压管从而反向击穿,此后,电流虽然在很大范围内变化,但稳压管两端的电压的变化却相当小,利于这一特性,稳压管访问就在电路到起到稳压的作用了。而且,稳压管与其它普能二极管不同之反向击穿是可逆性的,当去掉反向电压稳压管又恢复正常,但如果反向电流超过允许范围,二极管将会发热击穿,所以,与其配合的电阻往往起到限流的作用。
参考资料:新浪
E. 稳压二极管工作在什么区为什么能够起到稳压作用
稳压二极管抄(英文名voltage stabilizing diode也叫雪崩二极袭管)此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件.在这临界击穿点上,反向电阻降低到一个很小的数值,在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定,稳压二极管是根据击穿电压来分档的,因为这种特性,稳压管主要被作为稳压器件或电压基准元件使用.
F. 半导体二极管工作在击穿区,是否一定被损坏为什么
不一定,只要不发生热击穿,一般就不会损坏,二极管(PN结)的击穿分为雪崩击穿、隧道(齐纳)击穿、热击穿。例如隧道二极管的工作原理就是隧道击穿,另外稳压二极管也可在击穿区反复工作
G. 半导体二极管的工作原理
半导体二极管又称晶体二极管,简称二极管(diode)。它是一种能够单向传导电流的电子器件版。在半导体二极管内部有一权个PN结两个引线端子,这种电子器件按照外加电压的方向,具备单向电流的传导性。
工作原理:
半导体二极管是一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结,在其界面处两侧形成了空间电荷层,并且建有自建电场,当不存在外加电压时,因为p-n结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。 当产生正向电压偏置时,外界电场与自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流(也就是导电的原因)。 当产生反向电压偏置时,外界电场与自建电场进一步加强,形成在一定反向电压范围中与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0(这也就是不导电的原因)。
当外加的反向电压高到一定程度时,p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程,产生大量电子空穴对,产生了数值很大的反向击穿电流,称为二极管的击穿现象。
H. 稳压二极管正常工作时应工作在什么区
D反向击穿区。
I. 半导体二极管的扩散区在哪
首先得先了解pn结的形成。在N型半导体和P型半导体的结合面上,因浓度差所以多子的扩回散运动;自由答电子与空穴复合,此时由杂质离子形成空间电荷区(p区是负电荷,n区是正电荷),便有n指向p的内电场,阻止多子扩散,最后,多子的扩散和少子的漂移达到动态平衡。在P型半导体和N型半导体的结合面处,留下离子薄层,这个离子薄层形成的空间电荷区(耗尽层)称为PN结。当在pn结(二极管)两端加正向电压时,内电场减弱,多子扩散大于少子漂移,使得载流子越过耗尽层,进入对面,并与其相反电荷载流子复合,形成扩散区(p区、n区各有一个)。
J. 半导体二极管有哪几个工作区其特点是什么
半导体二极管有三个工作区分别是源极 闸极 渠极
源极是信号电源入口
闸极是开关
渠极是信号或电源出口