为什么P型半导体不掺其他价

⑴ 关于P型半导体的问题

是你的假设问题，在同一个P型硅片中，3个空穴与5个空穴相比，空穴的浓度是不一样的，所以导电性也不一样。或者说，5个空穴允许电子流过的能力，要比3个空穴强一些。

⑵ p型半导体中掺入的三价元素是什么

p型半导体中掺入的三价元素是硼、铟、镓等。

要产生较多的空穴浓度就需版依赖掺杂或缺陷。在纯净的硅权晶体中掺入三价元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成P型半导体。

对于Ⅳ族元素，半导体(锗、硅等)需进行Ⅲ族元素的掺杂;对于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体(如砷化镓)，常用掺杂Ⅱ族元素来提供所需的空穴浓度。

在纯硅中掺入微量3价元素铟或铝，由于铟或铝原子周围有3个价电子，与周围4价硅原子组成共价结合时缺少一个电子，形成一个空穴。空穴相当于带正电的粒子，在这类半导体的导电中起主要作用。

(2)为什么P型半导体不掺其他价扩展阅读：

在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成P型半导体。在P型半导体中，空穴为多子，自由电子为少子，主要靠空穴导电。

由于P型半导体中正电荷量与负电荷量相等，故P型半导体呈电中性。空穴主要由杂质原子提供，自由电子由热激发形成。

⑶ P型半导体掺入价元素,多子是

选D
P型半导体的复P是 Postive的意思，意思是载流子制的带电性，空穴带正电。
因为多子为空穴，所以需要掺杂，使得杂质获得电子，与Si形成4电子稳定型。（杂质与Si共用电子）。从而多于的空穴作为载流子存在于半导体中。

⑷ 可以将2价元素掺入半导体从而形成p型半导体吗

从理论上来说没有不抄可以的，但是实际操作不见得可行，你可以从晶体成键的方面来考虑，而且就算理论成立，在单晶生长过程中可能会因为多空穴而产生晶格错位形成层错等，估计最后拉制出来的应该是高密度位错的晶棒，可以说是多晶棒了吧~
这是我个人的观点，仅供参考~！

⑸ P型半导体是掺杂三价元素而来，产生空穴属于多子，电子属于少子，这里的电子是从哪里来的

电子是半导体的原子核中本身就存在的。少子指的是当半导体处于本征激发状态时的电子浓度。掺杂以后电子浓度比本征时的电子浓度还小。

⑹ 本征半导体掺入三价元素硼为什么会形成P型半导体+3价为什么还是负离子

你看图，在圈里的黑点都是电子，形成了固定的化学键，不能乱动，所以无法作为载流专子。
白点空穴，就属是那个白点没电子，所以白点没有形成固定的化学键，可以移动，作为载流子形成电流。
空穴是载流子的时候就是p型半导体，positive，因为空穴是带正电的。
+3价是最外层电荷数，和阴离子没关系，因为中性的硼最外层3个电子，现在有4个，比原来多1个，所以是阴离子。
比如食盐NaCl，Cl-也是阴离子，最外层电荷+7，现在形成食盐后，最外层有8个电子，比原来多一个，所以是阴离子。

⑺ 在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。为什么不对

N型半导体中，多出未形成的共价键的电子为自由电子，此时磷原子已取代硅原子的位置，各有四个共价键，然后掺杂硼 ，但晶格中硅原子的位置已被磷取代，故不能再被硼取代。所以不对。

⑻ 本征半导体为何只掺杂3价或者5价的元素而不用其它价

半导体材料一般是锗或者硅，他们最外层电子是4，一次是四价元素，这些硅原回子或者锗原子答之间形成共价键，而加入三价元素后，形成共价键时由于要形成四个共价键，而三价元素外只有三个电子，故形成一个空位，其他自由电子来补充，形成空穴，形成p型半导体，其中导电的是那些带正电的空穴。
同理，加入五价元素后，由于只需要四个原子形成共价键，多出一个电子，形成N型半导体，因此N型半导体中导电的为电子。
而其他价的元素与四价元素结构相差很多，其它价元素性质活泼，不能与四价元素形成共价键。

⑼ 自由电子才能导电。那为什么P型半导体，空穴都在价带中也能导电呢

自由电子可以导电是因为自由电子可以在物体中自由移动。同样，空穴也是可以移动的。所以在半导体中，空穴也可以导电 。
空穴又称电洞（Electron hole），在固体物理学中指共价键上流失一个电子，最后在共价键上留下空位的现像。即共价键中的一些价电子由于热运动获得一些能量，从而摆脱共价键的约束成为自由电子，同时在共价键上留下空位，我们称这些空位为空穴。
空穴-原理
一个呈电中性的原子，其正电质子和负电电子的数量是相等的。现在由于少了一个负电的电子，所以那里就会呈现出一个正电性的空位——电洞。当有外面一个电子进来掉进了电洞，就会发出电磁波——光子。 电洞不是正电子，电子与正电子相遇湮灭时，所发出来的光子是非常高能的。那是两粒子的质量所完全转化出来的电磁波能（通常会转出一对光子）。而电子掉入电洞所发出来的光子，其能量通常只有几个电子伏特。 半导体由于禁带较窄，电子只需不多的能量就能从价带激发到导带，从而在价带中留下空穴。周围电子可以填补这个空穴，同时在原位置产生一个新的空穴，因此实际上的电子运动看起来就如同是空穴在移动。 在半导体的制备中，要在4价的本征半导体（纯硅、锗等的晶体）的基础上掺杂。若掺入3价元素杂质（如硼、镓、铟、铝等），则可产生大量空穴，获得P型半导体，又称空穴型半导体。空穴是P型半导体中的载流子，为多子。 在半导体里，出现了电洞这样一个名词。 当参杂B进入Si内此时B会以B+e-=B-和Si形成稳定共价键，即每个B会接受一个电子(电子来自其他Si之间的共价键中的价电子) 使自己周围价电子变成4个才能和周围的4个Si形成稳定共价键故每加入1个B原子将产生一个电洞 空穴并不是真实存在的,只是对大量电子运动的一种等效,空穴的流动其实就是大量电子运动的等效的反运动,这从空穴的定义和特性就可以知道;

⑽ 本征半导体掺入三价元素硼为什么会形成P型半导体+3价为什么还是负离子

你看图，在圈里的黑点都是电子，形成了固定的化学键，不能乱动，所以无法回作为载流子。
白点空穴，答就是那个白点没电子，所以白点没有形成固定的化学键，可以移动，作为载流子形成电流。
空穴是载流子的时候就是p型半导体，positive，因为空穴是带正电的。
+3价是最外层电荷数，和阴离子没关系，因为中性的硼最外层3个电子，现在有4个，比原来多1个，所以是阴离子。
比如食盐NaCl，Cl-也是阴离子，最外层电荷+7，现在形成食盐后，最外层有8个电子，比原来多一个，所以是阴离子。