cv曲线怎么分析半导体

❶ 微电子器件 比如MOS管的C-V曲线如何计算呢 为什么测量时还要加上小信号交流电压

电容的定义是电荷对电压的微分，因此C-V曲线的计算正是从Q-V曲线求导计算出来的回。实答际上MOS结构的C-V曲线测量可以分三种情况讨论，第一种就是只加直流电压信号，且电压的改变速率较小，反应在测量中就是步长较小；第二种就是在第一种所加的直流电压信号上叠加小信号的交流电压；第三种是在第二种情况下加快直流电压信号的改变速率，也就是增大电压改变的步长。这三种情况所得到的的C-V关系各不相同。第二种情况与第一种情况C-V曲线的偏离主要是因为MOS结构的反型电荷来源于热产生，而热产生需要一个特征时间，如果我逐渐延长交流小信号的周期，使得第二种请况能够变成第一种情况的C-V关系，那么我就可以得到热产生的特征时间。详细情况你可以参考施敏的《半导体器件物理》，另外还有一本专门讲MOS结构的书《MOS Physics and Technology》

❷ 请懂的人讲一下二极管PN结电容和C-V曲线怎么测，有什么具体的操作方法。谢谢。

P-N结电容包括势垒电容和扩散电容两部分：C=CT+CD

当结两端的外加电时为负（即n区为正，区接负）时，由于P区、n区的少数载流子

很少，负电压的变化并不引起p区、n区中电荷有多大的变化，所以扩散电容很小，相对势

垒电容来讲，扩算电容可以忽略。即：

C=CT+CD≈CT

所以，在外加负偏压的条件下测得的P-n结电容认为是P-n结势垒电容。

势垒电容CT与势垒区厚度δ的关系同平行板电容器一样：

图中“Ug”为标准高频信号发生器；⊙为视频毫伏表；C为可变电容；Cx为待测的P-n结。

测量前首先把可变电容器旋到最大值（此值用C’表示），然后调节讯号频率，使LC回路

谐振，即“视频毫伏表”指示最大。当接上待测P-n结电容Cx时，由于Cx与可变电容C

并联，因此使谐振回路失去谐振状态，减小可变电容C到某一值（此值用C’’表示）会师谐

振回路重新谐振。显然，C’-C’’=Cx，其中C’为C调到最大值时的电容值。

这里需要指出：

1、量时需要满足小讯号条件，由于P-n结电容与外加电压的关系不是线性的，所以要测量

某一偏压V下的结电容就应该在这一偏压下加一足够的交流电压。实验中我们家的交流

电压为几mV到十几mV。

2、扣除分布电容Cs

我们用上述方法测到的Cx实际上包括了两部分，一部分是P-n结电容，另一部分是分

布电容Cs。在测得Cx后，必须扣除分布电容Cs才是真正的P-n结电容。为扣除Cs，取一

个与待测管同一类型的管壳，测量它的电容就是分布电容Cs，于是P-n结电容CT为：

CT=Cx-Cs

希望可以帮到你呵

❸ 怎样分析碱性环境下的 cv 曲线

【】标准曲线法的应用条件主要有：1、配制浓度、取样量都应该在标准曲线的线性范围内；2、尽量消除式样干扰，使其两者的组成基本一致；3、整个分析过程中，操作条件保持一致。

❹ 怎样分析循环伏安曲线，带图讲解下吧

有一些金属或合金有储氢的能力，不知道是不是跟这个有关。如果我回答的好请给我分谢谢DDDD 我最近在做CV,也有这样的像直线的情况，我的原因是电解

❺ 如何分析CV曲线

选中曲线，在origin里有个analysis-mathmatics-integrate就是积分。计算比电容我用的就是这个公式是S/(2mvU)，m是质量，U是电压窗，2是只计算放电或充电电容

❻ 这个电化学CV图怎么分析

好熟悉的图案啊，当年一天扫几千圈都有
好久没见了，太久没玩了，脑筋全锈了，说错了请纠正哈
这个问题吧，有一些信息没有：NaOH的浓度，参比电极是什么
—为什么这个CV图不像以往那些有两个峰的
——你说的是亚铁氰化钾的那个S型的两个峰吧，很多电化学的CV图都不长那个样的，在高的电位下会有氧的溶出（当然这个点位得看pH值），不过这边应该是铜先溶出
这边是：高电位，发生氧化反应，铜被氧化，氢氧根会减少，
—扫了十圈，图像越来越低，这代表了什么？
——扫了十圈，电极表面发生变化，氧化铜增多，影响电极有效活性面积，电极表面的溶液组成也会发生变化，氢氧根离子被消耗，溶剂扩散速度有限（看你的扫描速率，快的话影响小）所以电流会降低
说错了请纠正哈

❼ 初入电化学，求教这个CV曲线该如何解释

这个是出现了一对氧化还原峰，而且极化现象严重，可以缩小电压区间重新测试。
具体的解释就要根据你做的东西去进行了。
还有一对峰不明显没有注意到，可以低扫速下测试看看是不是的确会出现两对峰

❽ 怎么分析OBOS曲线

OBOS曲线主要复分析如下：制
1.当OBOS曲线由下向上突破其长期压力线时，预示着大盘可能由弱势转强势，即将展开一轮中期上升行情
2.当OBOS曲线由上向下跌破其长期支撑线时，预示着大盘可能由强势转为弱势，即将展开一轮中期下跌行情

❾ 完全不懂电化学的我，求助配合物的CV曲线的测试

你的工作抄站是啥牌子的，不同品袭牌的工作站操作上有些差别。

可采用三电极体系：绿色夹子和灰色夹子（感应电极）接工作电极WE；红色夹子接(对电极/辅助电极)；白色夹子接参比电极RE。

两电极体系的话没有参比电极，两电极体系：绿灰夹子连接工作电极，红白夹子连接辅助电极。

三电极体系，工作电极连接你的材料，参比电极要靠近工作电极（最好用鲁金毛细管），对电极/辅助电极一般用铂片或石墨板。

首先选择电压窗口，从-1V到+1.5V，扫面速度可以从50mV/s开始，圈数先设置个10圈.CV图形出来后，观察特征峰在哪里，把出峰位置的电压窗口记下。后面再扫CV可以把电压窗口缩小，只包含你需要的氧化还原峰即可。

电压窗口确定后，你可以调整扫描速度，比如40,30,20,10或5mV/s，峰越明显越好，扫速慢的话，电流会变小，但是小扫速下峰会很明显，不像高扫速下的大包一样。

确定扫速和电压窗口，就可以对比不同材料的CV啦。

CV曲线怎么分析，根据实际情况再说。

❿ 怎样分析二极管的伏安特性曲线

二极管的性能可用其伏安特性来描述。在二极管两端加电压U，然后测出流过二极管的电流I，电压与电流之间的关系i=f(u)即是二极管的伏安特性曲线，如图所示。
二极管伏安特性曲线如图
二极管的伏安特性表达式可以表示为式
iD=IS*(e^uD/UT-1)
其中iD为流过二极管两端的电流，uD为二极管两端的加压，UT在常温下取26mv。IS为反向饱和电流。
1、正向特性
特性曲线1的右半部分称为正向特性，由图可见，当加二极管上的正向电压较小时，正向电流小，几乎等于零。只有当二极管两端电压超过某一数值Uon时，正向电流才明显增大。将Uon称为死区电压。死区电压与二极管的材料有关。一般硅二极管的死区电压为0.5V左右，锗二极管的死区电压为0.1V左右。
当正向电压超过死区电压后，随着电压的升高，正向电流将迅速增大，电流与电压的关系基本上是一条指数曲线。由正向特性曲线可见，流过二极管的电流有较大的变化，二极管两端的电压却基本保持不变。通过在近似分析计算中，将这个电压称为开启电压。开启电压与二极管的材料有关。一般硅二极管的死区电压为0.7V左右，锗二极管的死区电压为0.2V左右。
2、反向特性
特性曲线1的左半部分称为反向特性，由图可见，当二极管加反向电压，反向电流很小，而且反向电流不再随着反向电压而增大，即达到了饱和，这个电流称为反向饱和电流，用符号IS表示。
如果反向电压继续升高，当超过UBR以后，反向电流急剧增大，这种现象称为击穿，UBR称为反向击穿电压。