为什么碳不能做半导体

⑴ 碳 是半导体吗

首先纠正一下，碳有很多同素异形体，也不是每种异形体都可以导电版，典型的石墨导权电是因为在石墨结构（SP2杂化，不规则六棱柱晶体结构堆积）中存在广泛的离域电子（派电子），电子可以自由移动所以可以导电。但金刚石则不能导电，因为此时的碳杂化是严格的Sp3的，没有自由移动的电子，且空间利用度较大，也就不能通过改良填充形成导电体因此不具有导电性。

⑵ 为什么c不能做半导体

其实是可以的，目前最高频的器件就是用石墨(C)做的。
在240nm工艺下可以达到专石墨器件可以跑属到100G Hz。同样工艺下的Si器件只能做到40G Hz.
但是，跑得快并不是IC的唯一考虑。从综合性能看来，目前还是Si器件比较稳健。

lie2010说的不对。
石墨的载流子迁移率是很高的(比Si要高1倍多)，所以才能做出非常高频的器件。只是石墨器件比较难做。
器件中，Si，Ge的空穴和自由电子主要不是本征电离得到的， 而是掺杂电力得来的。

详细资料可以看 2010-2-5 Science
100-GHz Transistors from Wafer-Scale Epitaxial Graphene

⑶ 为啥碳元素不能做半导体材料呀

单质碳的跃迁能级太大。
硅的比较合适，但是在半导体里也是比较大的。
跃迁能级较大的为绝缘体，较小的为半导体，为零的为导体。
比较详细的可以阅读一下固体物理学的书。

⑷ 为什么半导体一般用硅做材料而不是碳

碳的石墨和无定形形式是良导体、金刚石形式是绝缘体，均不是半导体

⑸ 为啥碳元素不能做半导体材料呀

A、在该反应中，碳与氧结合生成了一氧化碳，发生了氧化反应．故A说法错误；
B、由于碳、内硅原子的最外层容的电子数相同，所以，硅的化学性质与碳相似．故B说法正确；
C、在SiO2中，氧的化合价为-2价，则硅的化合价为+4价．故C说法正确；
D、在上述反应中，一种单质与一种化合物反应，生成了另一种单质和另一种化合物，属于置换反应．故D说法正确．故选A．

⑹ 为什么二氧化硅不能做半导体

二氧化硅复电阻率决定了它不能作制为半导体
电阻率介于金属和绝缘体之间并有负的电阻温度系数的物质叫做半导体
锗和硅是最常用的元素半导体；化合物半导体包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物（砷化镓、磷化镓等）、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化镉、硫化锌等)、氧化物(锰、铬、铁、铜的氧化物),以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物组成的固溶体（镓铝砷、镓砷磷等）。除上述晶态半导体外，还有非晶态的玻璃半导体、有机半导体等

化合物能做半导体

⑺ 碳为什么不可以作为杂质掺入半导体

对于半导体而言的杂质是指相对于纯半导体（硅等）而言的改变半导体导电特性的一种物质。通常有硼、磷等。而碳并不能起到这个改变半导体导电特性的作用。

⑻ 为什么加入碳材料可以改变半导体的能带

分析半导体能带理论,必须从能级,能带,禁带,价带,导带开始.因此分析如下：
能级（Enegy Level）：在孤立原子中,原子核外的电子按照一定的壳层排列,每一壳层容纳一定数量的电子.每个壳层上的电子具有分立的能量值,也就是电子按能级分布.为简明起见,在表示能量高低的图上,用一条条高低不同的水平线表示电子的能级,此图称为电子能级图.能带（Enegy Band）：晶体中大量的原子集合在一起,而且原子之间距离很近,以硅为例,每立方厘米的体积内有5×1022个原子,原子之间的最短距离为0.235nm.致使离原子核较远的壳层发生交叠,壳层交叠使电子不再局限于某个原子上

⑼ 碳60几乎不导电,为什么却广泛应用于半导体方面

据报道，对C60分子进行掺杂，使C60分子在其笼内或笼外俘获其它原子或集团，形成类C60的衍生物。如，把K、Cs、Tl等金属原子掺进C60分子的笼内，就能使其具有超导性能。