为什么杂质半导体中少数

『壹』 在杂质半导体中多子与少子浓度不同为什么半导体呈中性

杂质半导体中除了可以自由移动的载流子(多子\少子)之外, 还有不能自由移动的电荷内(电离的施主\受主), 总的容正电荷(空穴+电离施主所带的正电荷)和总的负电荷(自由电子+电离受主所带的负电荷)相等，因而呈电中性。

『贰』 为什么杂质半导体中少数载流子的浓度比本征半导体中少数载流子的浓度小

因为半导体中的少数载流子浓度×多数载流子浓度＝本征载流子浓度的平方。
而多数载流子浓度大于本征载流子浓度，所以少数载流子的浓度比本征载流子浓度要小

『叁』 为什么，在室温附近，温度升高，杂质半导体中少数载流子浓度升高

^我以N型半导体给你举一个例子：单位体积的硅原子数为10^22cm^-3,若杂质含量为内10^-4（万分之一），则容杂质原子浓度为10^18cm^-3。在常温下，杂质能级上的电子即使只有十分之一被激发到导带中，其浓度也为10^17cm^-3。而常温下硅的本征载流子浓度只有10^10cm^-3的量级。可见N型半导体中多数载流子是电子，而少数载流子是本征载流子（电子空穴对）。可见，在室温附近，许多元素半导体本征载流子为数极少，所以本征半导体电阻仍很高。而在同一温度下，掺杂半导体的导电能力为本征半导体的数百倍及其以上。

『肆』 半导体中的少数截流子产生的原因是

第48题 多数载流子的浓度主要取决于掺入的杂质浓度,少数载流子的浓度与温度密切相关
第49题 这个我认为应该选掺杂
第50题 该管工作在放大区

『伍』 为什么，在室温附近，温度升高，杂质半导体中少数载流子浓度升高。求高手。谢谢了

从0T开始，随着温度升高，所掺杂质的电离逐渐增强，载流子浓度增加。但当温度足够高，杂质几乎全部电离之后，起主要作用的就不再是这个，而是本征激发。

『陆』 杂质半导体中,多数载流子和少数载流子的浓度由什么决定和温度有什么关系

多数载流子是少数载流子的杂质浓度是一个共同决定的本征载流子浓度和杂质浓度

『柒』 杂质半导体中的多数载流子和少数载流子是如何产生的

本征半导体中抄的载流子袭都是由本征激发所产生的，一般数量不多（随温度而指数函数式增大）。
但是，掺入施主杂质或者受主杂质以后，则杂质可提供大量的电子或者空穴，这就是多数载流子；这时，还是存在少数载流子，那就是本征激发出来的一些载流子。

『捌』 杂质半导体中的少数载流子浓度取决于什么 求答案

在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的杂质浓度，而少数载流子的浓度主要取决于温度。

『玖』 掺杂杂质半导体中影响多数和少数载流子数量的最主要原因是什么急！！！！

主要原因是杂质在禁带里占的位置和杂质浓度。

『拾』 为什么在纯净的半导体中渗入微量的杂质

半导体中掺入微量抄杂质时,杂质原子附近的周期势场受到干扰并形成附加的束缚状态,在禁带中产加的杂质能级.
杂质能级位于禁带上方靠近导带底附近.杂质能级上的电子很易激发到导带成为电子载流子.这种能提供电子载流子的杂质称为施主,相应能级称为施主能级.施主能级上的电子跃迁到导带所需能量比从价带激发到导带所需能量小得多.在锗或硅晶体中掺入微量三价元素硼、铝、镓等杂质原子时,杂质原子与周围四个锗（或硅）原子形成共价结合时尚缺少一个电子,因而存在一个空位,与此空位相应的能量状态就是杂质能级,通常位于禁带下方靠近价带处.价带中的电子很易激发到杂质能级上填补这个空位,使杂质原子成为负离子.