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三代半导体后市怎么

发布时间: 2021-03-07 14:34:45

1. 国内第三代化合物半导体发展如何

这样的高科技项目,国家很重视,公司人士应该讲爱国报国情怀,把这些项目产业化,为国家服务,而不是圈钱套取国家资金为目的。如果能产业化,未来就有前途,否则,就会昙花一现。

2. 在第三代氮化镓芯片时代,中国可能会来者居上吗

最近随着5G的普及,第三代半导体的应用也越来越被行业和大众所关注,在5G芯片上也被大量应用,那究竟什么是第三代半导体氮化镓呢?它有什么过人之处?在新一代半导体的应用研发上我们能否做到后来居上,打破关键技术被外国“卡脖子”的命运呢?

什么是第三代半导体氮化镓?

说到第三代半导体,我们就应该回顾一下半导体的发展历史。第一代半导体最早是锗,后来应用最广泛的是硅,它们的特点是原料易得,所以被大规模使用,包括我们现在许多芯片都是近乎纯净的硅制备成硅单晶后在经过各种加工做成的。

而现在全世界最强大的5G领域国家是以中国,美国和欧洲为核心的,在这次全世界的5G标准的立项并且通过的企业也是中国占了大头,一共就有21项,其中包括中国移动10项,华为8项,中兴2项,联通1项,而以前一直处于霸主地位的美国只有9项。这些也足以可以说明5G标准的主导者当然是中国了。同时中国在5G上应用第三代半导体的技术也位居世界前列。

5G它是个庞大的体系,他的强大得由多方力量支撑,在这个体系中,我们中国除了芯片方面要稍微弱势一点,其他都是排在世界前列,而第三代氮化镓芯片时代也打破了以前一无所有的境遇。中国5G的发展,绝不仅仅是通信技术本身的开阔,更是对社会发展的影响,也会在很大程度上改变中国的实力。让我们的国家在国际上有着更大的话语权。

3. 第三代半导体是中国“芯”崛起的希望吗

全球半导体业己处于成熟阶段,如增长缓慢,兼并加剧,以及”大者恒大”。除了三星,回台积电,英特尔,东答芝,海力士等少数超级大厂仍继续投资之外,更多的IDM芯片制造厂是执行“轻晶园厂策略”,”Fablite”,它们的作法是纷纷售出芯片生产线

4. 第一代、第二代、第三代半导体材料分别是

1.第一代半导体材料主要是指硅(Si)、锗元素(Ge)半导体材料。作为第一代半导体材料的锗和硅,在国际信息产业技术中的各类分立器件和应用极为普遍的集成电路、电子信息网络工程、电脑、手机、电视、航空航天、各类军事工程和迅速发展的新能源、硅光伏产业中都得到了极为广泛的应用,硅芯片在人类社会的每一个角落无不闪烁着它的光辉。

2.第二代半导体材料主要是指化合物半导体材料,如砷化镓(GaAs)、锑化铟(InSb);三元化合物半导体,如GaAsAl、GaAsP;还有一些固溶体半导体,如Ge-Si、GaAs-GaP;玻璃半导体(又称非晶态半导体),如非晶硅、玻璃态氧化物半导体;有机半导体,如酞菁、酞菁铜、聚丙烯腈等。

3.第三代半导体材料主要以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝(AlN)为代表的宽禁带半导体材料。在应用方面,根据第三代半导体的发展情况,其主要应用为半导体照明、电力电子器件、激光器和探测器、以及其他4个领域,每个领域产业成熟度各不相同。在前沿研究领域,宽禁带半导体还处于实验室研发阶段。

(4)三代半导体后市怎么扩展阅读

Si和化合物半导体是两种互补的材料,化合物的某些性能优点弥补了Si晶体的缺点,而Si晶体的生产工艺又明显的有不可取代的优势,且两者在应用领域都有一定的局限性,因此在半导体的应用上常常采用兼容手段将这二者兼容,取各自的优点,从而生产出符合更高要求的产品,如高可靠、高速度的国防军事产品。因此第一、二代是一种长期共同的状态。

但是第三代宽禁带半导体材料,可以被广泛应用在各个领域,消费电子、照明、新能源汽车、导弹、卫星等,且具备众多的优良性能可突破第一、二代半导体材料的发展瓶颈,故被市场看好的同时,随着技术的发展有望全面取代第一、二代半导体材料。

参考资料网络——半导体材料

5. 中国优先布局第三代半导体,其暂不能用做芯片,如此投入是为何呢

国务院发布的《“十三五”国家科技创新规划》中,第三代半导体被列为国家面向2030年重大项目之一。厦门市也把第三代半导体产业列入着力培育的具有发展潜力的十大未来产业。近年来在中央和各地政府出台政策的大力支持下,以及伴随新能源、智能制造、人工智能、5G通信等现代产业兴起所带来的庞大市场需求的推动下,一大批行业龙头企业近年来纷纷展开大规模投资,以期赢得发展先机。目前国内厂商在第三代半导体有全产业链的布局,产业已呈现快速发展势头。



产业的发展有其自然规律,我们可以通过政策、资金等推动加快发展,而不应是光想着跳过、绕过或其他取巧的方式。要改变我们在半导体芯片方面的被动局面,光靠第三代半导体是不够的,更不是一朝一夕就能实现的,需要上游的材料和设备,中游的芯片设计、制造和封测,下游的应用等全产业链较长时期的共同努力,补上我们在半导体基础技术、工艺、设备等方面的短板,夯实基础,才有可能实现在第三代半导体突破性发展。
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