半导体干刻蚀怎么样

1. 南通同方半导体生产线上刻蚀站工作对人身体有什么伤害求专业人士回答

阿萨发放

2. 半导体工艺工程师怎么样要几年出师。薪资待遇怎么样。

不同工种的工复艺工制程师差不少呢。
我觉得光刻相关的最值钱，毕竟目前人工湿法刻蚀还很难被机器完全取代。
出师呢，至少2-3年才有资本说自己干过。一个有经验的工艺工程师大约需要5-10年的时间吧。毕竟很多异常状况少见，需要时间和经验。

3. 半导体行业干久了对身体真的不好吗

有这么一说 毕竟行业涉及到了太多的酸碱溶液及有毒化学品，且生产车间属于封闭式空间，长时间会造成毒素累积。且很多生产设备有诸多的强磁强辐射，对人体都有影响

4. 光刻 \湿刻＼干法刻蚀有何不同

呵呵，我以前在半导体做了两年啊！懂一点点吧！
以前我在的是蚀刻区！半导体制蚀刻(Etching)

(三)蚀刻(Etching)
蚀刻的机制，按发生顺序可概分为「反应物接近表面」、「表面氧化」、「表面反应」、「生成物离开表面」等过程。所以整个蚀刻，包含反应物接近、生成物离开的扩散效应，以及化学反应两部份。整个蚀刻的时间，等于是扩散与化学反应两部份所费时间的总和。二者之中孰者费时较长，整个蚀刻之快慢也卡在该者，故有所谓「reaction limited」与「diffusion limited」两类蚀刻之分。
1、湿蚀刻
最普遍、也是设备成本最低的蚀刻方法，其设备如图2-10所示。其影响被蚀刻物之蚀刻速率 (etching rate) 的因素有三：蚀刻液浓度、蚀刻液温度、及搅拌 (stirring) 之有无。定性而言，增加蚀刻温度与加入搅拌，均能有效提高蚀刻速率；但浓度之影响则较不明确。举例来说，以49%的HF蚀刻SiO2，当然比BOE (Buffered-Oxide- Etch；HF：NH4F =1：6) 快的多；但40%的KOH蚀刻Si的速率却比20%KOH慢！ 湿蚀刻的配方选用是一项化学的专业，对于一般不是这方面的研究人员，必须向该化学专业的同侪请教。一个选用湿蚀刻配方的重要观念是「选择性」(selectivity)，意指进行蚀刻时，对被蚀物去除速度与连带对其他材质 (如蚀刻掩膜；etching mask， 或承载被加工薄膜之基板；substrate ) 的腐蚀速度之比值。一个具有高选择性的蚀刻系统，应该只对被加工薄膜有腐蚀作用，而不伤及一旁之蚀刻掩膜或其下的基板材料。
(1)等向性蚀刻 (isotropic etching)
大部份的湿蚀刻液均是等向性，换言之，对蚀刻接触点之任何方向腐蚀速度并无明显差异。故一旦定义好蚀刻掩膜的图案，暴露出来的区域，便是往下腐蚀的所在；只要蚀刻配方具高选择性，便应当止于所该止之深度。
然而有鉴于任何被蚀薄膜皆有其厚度，当其被蚀出某深度时，蚀刻掩膜图案边缘的部位渐与蚀刻液接触，故蚀刻液也开始对蚀刻掩膜图案边缘的底部，进行蚀掏，这就是所谓的下切或侧向侵蚀现象 (undercut)。该现象造成的图案侧向误差与被蚀薄膜厚度同数量级，换言之，湿蚀刻技术因之而无法应用在类似「次微米」线宽的精密制程技术！
(2)非等向性蚀刻 (anisotropic etching)
先前题到之湿蚀刻「选择性」观念，是以不同材料之受蚀快慢程度来说明。然而自1970年代起，在诸如Journal of Electro-Chemical Society等期刊中，发表了许多有关碱性或有机溶液腐蚀单晶硅的文章，其特点是不同的硅晶面腐蚀速率相差极大，尤其是<111>方向，足足比<100>或是<110>方向的腐蚀速率小一到两个数量级！因此，腐蚀速率最慢的晶面，往往便是腐蚀后留下的特定面。
这部份将在体型微细加工时再详述。
2、干蚀刻
干蚀刻是一类较新型，但迅速为半导体工业所采用的技术。其利用电浆 (plasma) 来进行半导体薄膜材料的蚀刻加工。其中电浆必须在真空度约10至0.001 Torr 的环境下，才有可能被激发出来；而干蚀刻采用的气体，或轰击质量颇巨，或化学活性极高，均能达成蚀刻的目的。
干蚀刻基本上包括「离子轰击」(ion-bombardment)与「化学反应」(chemical reaction) 两部份蚀刻机制。偏「离子轰击」效应者使用氩气(argon)，加工出来之边缘侧向侵蚀现象极微。而偏「化学反应」效应者则采氟系或氯系气体(如四氟化碳CF4)，经激发出来的电浆，即带有氟或氯之离子团，可快速与芯片表面材质反应。
干蚀刻法可直接利用光阻作蚀刻之阻绝遮幕，不必另行成长阻绝遮幕之半导体材料。而其最重要的优点，能兼顾边缘侧向侵蚀现象极微与高蚀刻率两种优点，换言之，本技术中所谓「活性离子蚀刻」(reactive ion etch；RIE) 已足敷「次微米」线宽制程技术的要求，而正被大量使用中。

5. 金属蚀刻怎么样

金属蚀刻(etching)是将材料使用化学反应或物理撞击作用而移除的技术。金属蚀刻技术可以分为湿蚀刻(wetetching)和干蚀刻(dryetching)两类。

金属蚀刻的原理

通常所指金属蚀刻也称光化学金属蚀刻（photochemicaletching），指通过曝光制版、显影后，将要金属蚀刻区域的保护膜去除，在金属蚀刻时接触化学溶液，达到溶解腐蚀的作用，形成凹凸或者镂空成型的效果。最早可用来制造铜版、锌版等印刷凹凸版，也广泛地被使用于减轻重量(WeightRection)仪器镶板，铭牌及传统加工法难以加工之薄形工件等的加工；经过不断改良和工艺设备发展，亦可以用于航空、机械、化学工业中电子薄片零件精密金属蚀刻产品的加工，特别在半导体制程上，金属蚀刻更是不可或缺的技术。金属蚀刻(etching)是将材料使用化学反应或物理撞击作用而移除的技术。金属蚀刻技术可以分为湿蚀刻(wetetching)和干蚀刻(dryetching)两类通常所指金属蚀刻也称光化学金属蚀刻（photochemicaletching），指通过曝光制版、显影后，将要金属蚀刻区域的保护膜去除，在金属蚀刻时接触化学溶液，达到溶解腐蚀的作用，形成凹凸或者镂空成型的效果。

曝光法：开料→清洗板材(不锈钢其它金属材料)→烘干→涂布→烘干→曝光→显影→蚀刻→脱膜→OK

网印法：开料→清洗板材(不锈钢其它金属材料)→丝网印→蚀刻→脱膜→OK

6. 有知道半导体晶圆制造的腐蚀工艺工程师的吗，对身体有害吗，有前途吗

我不知道这个行业的事情

不过目前我在实验室里搞这些玩意。。关于腐蚀工艺，内你会用到很多高强容度的酸碱，有一定危害~目前腐蚀工艺里面伤害最大的是HF，氢氟酸。这玩意算是气体，用的时候一般是做成溶液的，如果沾到手上就很麻烦，一开始没什么感觉，疼的时候就太晚了。。最严重的时候是要截肢的。不过一般来说是有保护措施的，一般是：里面一层无尘服，口罩，橡胶手套；外面一层专门的防酸手套，防溅的外套，防酸或者防碱的头盔。

一般液体腐蚀工艺会用到HF，NaOH，HNO3等等，有毒气体除了HF倒没啥~

如果是干燥腐蚀工艺（Dry Etch）就更没事了，都是用机器做的，一般是用离子腐蚀

所以结论是，做好个人防护就没有事情~没什么太大害处~

前途这个，我不好说~抱歉鸟~

7. 半导体制备中 各向异性刻蚀与干法刻蚀的不同 干法刻蚀相比较各向异性刻蚀有什么优点 小白求解

Anisotropic Etch 主要是在etch的时抄候对材料的各个方向的腐蚀速度不一样~比如说硅，用KOH对100向和110向的硅蚀刻的时候，速度就完全不一样~100会快很多~

Dry etch的话，主要是将一些气体电离成离子态，然后用电磁加速打向目标，与目标材料反应~

其实我觉得你说的这两个东西其实不是一个横向可比的东西。。

etch可以根据腐蚀是否有方向性分为 Anisotropic 和 Isotropic两种。

如果以用作蚀刻的材料来分，可以分为wet（比如上面说的KOH）和dry（典型是RIE，Reactive Ion Etch）两种。

如果硬要比的话，dry etch要比anisotropic etch好，因为dry etch可以提供一个非常好的side wall~就是说蚀刻后的那个洞的内壁和底部可以做到几乎垂直~不过具体效果要看dry etch的方法和材料以及目标材料~

8. 刻蚀工程师有前景吗

不同工种的工艺工程师差不少呢。
我觉得光刻相关的最值钱，毕竟目前人工专湿法刻蚀还很属难被机器完全取代。
出师呢，至少2-3年才有资本说自己干过。一个有经验的工艺工程师大约需要5-10年的时间吧。毕竟很多异常状况少见，需要时间和经验。