为什么将半导体器件

1. 为什么将为什么半导体器件的温度稳定性差

因为半导体器件都是杂质半导体，通常温度区间（包括常温值）下器内件工作在杂质的强电容离区，载流子浓度是恒定的，基本不受外界影响；如果温度太高，半导体载流子以本征电离为主，则载流子浓度随外界影响太大，半导体的特性就没了，像pn结的整流特性和单向导通性，同样场效应管也不可以正常工作，甚至如果温度太高，pn结会发生击穿！
就知道这么多，希望你能满意！

2. 什么是离散半导体元器件 为什么叫离散半导体元器件

单个的二极管，三极管，MOS管等。离散是相对于集成电路来说的，通常一片集成电路芯片里有很多半导体元件。

3. 为什么将为什么半导体器件的温度稳定性差

半导体的特性就是这样，，
据我所知，不是极端温度影响不大
半导体材料在温度太低的情况下电子不容易漂移，而温度太高的话又会无规则漂移，

4. 我想知道为什么要将半导体变成导电性很差的本征半导体

这是半导体技术中的基本概念问题，提得好。
因为制造半导体器件和集成电内路时，最容重要的是要很好地控制掺入的杂质的种类和数量（浓度）；而且有些杂质对半导体载流子的影响也很不好（例如减短寿命、降低迁移率）。为了达到能够可控的掺杂和去掉有害杂质，就必须事先把作为原始材料的Si片提纯——使之成为本征半导体。否则就难以实现有目的地掺杂和做好器件和电路。

5. 在制造半导体器件时，为什么先将导电性能介于导体和绝缘体之间的硅或锗制成本征半导体

掺入杂质后，在本征半导体与杂质半导体中间就形成了PN结，
在P型半导体中有许多带正电荷的空穴和带负电荷的电离杂质。在电场的作用下，空穴是可以移动的，而电离杂质（离子）是固定不动的。N 型半导体中有许多可动的负电子和固定的正离子。当P型和N型半导体接触时，在界面附近空穴从P型半导体向N型半导体扩散，电子从N型半导体向P型半导体扩散。空穴和电子相遇而复合，载流子消失。因此在界面附近的结区中有一段距离缺少载流子，却有分布在空间的带电的固定离子，称为空间电荷区。P 型半导体一边的空间电荷是负离子，N 型半导体一边的空间电荷是正离子。正负离子在界面附近产生电场，这电场阻止载流子进一步扩散，达到平衡。

在PN结上外加一电压，如果P型一边接正极，N型一边接负极，电流便从P型一边流向N型一边，空穴和电子都向界面运动，使空间电荷区变窄，电流可以顺利通过。如果N型一边接外加电压的正极，P型一边接负极，则空穴和电子都向远离界面的方向运动，使空间电荷区变宽，电流不能流过。这就是PN结的单向导电性。

PN结加反向电压时，空间电荷区变宽，区中电场增强。反向电压增大到一定程度时，反向电流将突然增大。如果外电路不能限制电流，则电流会大到将PN结烧毁。反向电流突然增大时的电压称击穿电压。基本的击穿机构有两种，即隧道击穿（也叫齐纳击穿）和雪崩击穿，前者击穿电压小于6V，有负的温度系数，后者击穿电压大于6V，有正的温度系数。PN结加反向电压时，空间电荷区中的正负电荷构成一个电容性的器件。它的电容量随外加电压改变。

根据PN结的材料、掺杂分布、几何结构和偏置条件的不同，利用其基本特性可以制造多种功能的晶体二极管。如利用PN结单向导电性可以制作整流二极管、检波二极管和开关二极管，利用击穿特性制作稳压二极管和雪崩二极管；利用高掺杂PN结隧道效应制作隧道二极管；利用结电容随外电压变化效应制作变容二极管。使半导体的光电效应与PN结相结合还可以制作多种光电器件。如利用前向偏置异质结的载流子注入与复合可以制造半导体激光二极管与半导体发光二极管；利用光辐射对PN结反向电流的调制作用可以制成光电探测器；利用光生伏特效应可制成太阳电池。此外，利用两个PN结之间的相互作用可以产生放大，振荡等多种电子功能。PN结是构成双极型晶体管和场效应晶体管的核心，是现代电子技术的基础。在二级管中广泛应用

6. 为什么半导体器件有最高工作电压

因为器件工作时有一个PN结处于反偏，如果外加电压过高，会造成PN结击穿，从而使器件失效，所以器件有最高工作电压的限定，一般为击穿电压的一半。

7. 整流二极管是用于将什么转变为什么的半导体器件

当然是用于将交流电转变为直流电的半导体器件。

8. 为什么半导体器件都有一定的极限工作温度

这个是很好解释的，有些材料有半导体这个特性，是在一定温度，湿度等一些列条件下才具有的特性。当温度升高时，材料内部的分子机构有可能改变，也导致半导体特性减小或者消失。所以一般有其极限工作温度。

9. 为什么现在的半导体元件用的都是硅

早年或最初的半导体材料都是用锗。如我国锗类晶体管就是3A系列和3B系列。二极管是回答2A系列。上世纪6，7十年代有半导体收音机基本上都是锗材料。
锗材料的致命弱点就是温度稳定性很差。三极管漏电流很大，门限电压很低0.1V左右。当大规模集成电路时。这些都是致命的缺点。
至于题主用金属与非金属的概念套散热性能并不合适。锗虽属金属元素，但其导电性属于半导体。

10. 模拟电子技术问题之为什么半导体器件有最高工作频率求答案

这是因为半导体器件的主要组成单元是PN结，PN结的显著特征是单向导电性，因为PN结的反向专截止属区是由耗尽层变宽导致截止，而这个过程是需要一定的时间的，如果频率太高导致时间周期小于截止时间就可能造成PN结失去单向导电性，导致半导体器件不能正常工作，所以半导体器件有最高工作频率的限制。