p型半导体中什么多什么少
① 什么是P型半导体和N型半导体其多数载流子和少数载流子各是什么能否说P型半导体带正电、N型半导体带负
P型半导体即空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体
N型半导体即自由电子浓度远大于内空穴浓度的杂质半容导体
如果半导体中电子浓度大时，电子就是多数载流电子，空穴就是少数载流电子。相反，如果该半导体中空穴浓度大时，空穴就是多数载流电子，电子就是少数载流电子。
P型半导体、N型半导体都是电中性
② P型半导体中的多数载流子是空穴,少数载流子是自由电子。这句话是正确的么
正确
③ p型半导体中的自由电子比空穴多很多吗
P型半导体中空穴多。
P型半导体中，空穴为多子，自由电子为少子，主要靠空穴导电。掺入的杂质越多，多子（空穴）的浓度就越高，导电性能就越强。
④ PN结中,什么叫多子和少子
多子和少子的形成:五价元素的原子有五个价电子，当它顶替晶格中的四价硅原子时，每个五价元素原子中的四个价电子与周围四个硅原子以共价键形式相结合，而余下的一个就不受共价键束缚，它在室温时所获得的热能足以便它挣脱原子核的吸引而变成自由电子，如图所示。出于该电子不是共价键中的价电子，因而不会同时产生空穴。而对于每个五价元素原子，尽管它释放出一个自由电子后变成带一个电子电荷量的正离子，但它束缚在晶格中，不能象载流子那样起导电作用。这样，与本征激发浓度相比，N型半导体中自由电子浓度大大增加了，而空穴因与自由电子相遇而复合的机会增大，其浓度反而更小了。
多子---在N型半导体中，将自由电子称为多数载流子，简称多子；
少子---在N型半导体中，空穴称为少数载梳子，简称少子。
施主杂质---将五价元素称为施主杂质，它是受晶格束缚的正离子。
在硅或锗晶体中掺入少量的五价元素磷（或锑）是施主杂质，晶体点阵中的某些半导体原子被杂质取代，磷原子的最外层有五个价电子，其中四个与相临的半导体原子形成共价键，必定多出一个电子，这个电子几乎不受束缚，很容易被激发而成为自由电子，这样磷原子就成了不能移动的带正电的离子。每个磷原子给出一个电子，称为施主原子。
⑤ 简述N型半导体与P型半导体的形成过程并指出多子与少子各是什么
在半来导体材料硅或锗晶体中掺入源三价元素杂质可构成缺壳粒的P型半导体，掺入五价元素杂质可构成多余壳粒的N形半导体。 （ 两种半导体接触在一起的点或面构成PN结，在接触点或面上N型半导体多余壳粒趋向P型半导体，并形成阻挡层或接触电位差。当P型接正极，N型接负极，N型半导体多余壳粒和PN结上壳粒易往正移动，且阻挡层变薄接触电位差变小，即电阻变小，可形成较大电流；反之当P型接负极，N型接正极，因为P半导体缺壳粒，热运动也难分离出壳粒往正极运动，且阻挡层变厚接触电位差变大，电阻变大，形成较小电流，即具有单向通过电流属性。 ）
多子与少子是相对概念。
如：在N型半导体中自由电子是多数载流子，简称为“多子”；空穴为小数载流子，称为“少子”。而在P型中则相反。
----考试的话，答概念就可以了，具体的作用过程你就不用记了。
⑥ n型半导体和p型半导体中的多数载流子和少数的载流子是怎样产生的它的数量各由什么因数控制（那个大
以n型半导体为例，其中的多数载流子电子是由于在半导体中掺杂N型杂质（专例如磷、砷、锑等）产生的。掺属入的杂质越多，多子（自由电子）的浓度就越高，导电性能就越强。由于N型半导体中正电荷量与负电荷量相等，故N型半导体呈电中性。自由电子（多子）主要由杂质原子提供，空穴（少子）由热激发形成。p型半导体刚好相反。
⑦ p型半导体有哪些
在半导体材料硅或锗晶体中掺入三价元素杂质可构成缺壳粒的P型半导体，掺入五价元素杂回质可构成多余壳答粒的N形半导体。 （ 两种半导体接触在一起的点或面构成PN结，在接触点或面上N型半导体多余壳粒趋向P型半导体，并形成阻挡层或接触电位差。当P型接正极，N型接负极，N型半导体多余壳粒和PN结上壳粒易往正移动，且阻挡层变薄接触电位差变小，即电阻变小，可形成较大电流；反之当P型接负极，N型接正极，因为P半导体缺壳粒，热运动也难分离出壳粒往正极运动，且阻挡层变厚接触电位差变大，电阻变大，形成较小电流，即具有单向通过电流属性。 ） 多子与少子是相对概念。 如：在N型半导体中自由电子是多数载流子，简称为“多子”；空穴为小数载流子，称为“少子”。而在P型中则相反。 ----考试的话，答概念就可以了，具体的作用过程你就不用记了。
⑧ N型半导体和P型半导体中的多子和少子分别是什么 分别依靠哪种载流子导电
N型半导体的多子是电子,少子是空穴
P型半导体的多子是空穴,少子是电子
⑨ P型半导体中的【 】是多数载流子【 】是少数载流子 多子主要来自【 】少子主要来自【 】
P型半导体中的【空穴 】是多数载流子【电子 】是少数载流子 多子主要来自【受主杂质电离 】少子主要来自【本征激发 】。
⑩ P型半导体中多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。怎么解释
在纯净的硅晶体中掺入三价元素 使其取代晶格中硅原子的位置 由于少一个最外层电子与硅配对 便产生大量空穴少数自由电子由热激发形成