半导体的界面能带为什么会弯曲

『壹』 金半接触时，半导体的真空能级会弯曲吗

因为N型半导体抄的功函数小于金属袭的功函数，所以当N型半导体与金属接触时，N型半导体中的电子将向金属一边转移，结果就造成半导体表面空间电荷区中有正电荷，在金属表面（界面）上有负电荷，从而产生一个由半导体指向金属表面的电场。.....可参见“”网页中的有关说明以及网络中的“pn结势垒”词条。

『贰』 能带弯曲是由极化效应还是内建电场引起的

如果你说的是半导体与电解液接触的话，那么：能带弯曲与半导体/电解液结有关回对于一个n型半导体当答其费米能级等于平带电势时，半导体与电解液之间没有电荷流转，在半导体与电解液接触界面两侧没有多余电荷，因此在固液界面的半导体一侧不会出现能带弯曲。如果电子从电解液流向半导体（即半导体的费米能级低于电解液中氧化还原电对电势），此时在固液界面的半导体一侧得到的是累积层，半导体靠近界面处的能带弯曲方向朝下。如果电子从半导体流入电解液（即半导体的费米能级高于电解液中氧化还原电对电势），此时在固液界面的半导体一侧得到的是耗尽层（由不能移动的带正电的电子施主形成），半导体靠近界面处的能带弯曲方向朝上。如果电子过多的从半导体流入电解液以至于固液界面处的电子浓度低于半导体的本征电子浓度，此时在固液界面的半导体一侧得到的是反型层，半导体靠近界面处的能带弯曲朝上加剧，同时半导体表面呈现p型特征（半导体体相依旧为n型）。p型半导体与电解液接触形成半导体/电解液结的原理与n型半导体相同，只是在p型半导体中可移动的载流子为空穴。（来自冯建勇博士论文：(氧)氮化物的制备及其光电化学水分解性能的研究）

『叁』 半导体物理中的金属半导体接触，怎么看看能带向上弯曲还是向下

如果你抄说的是半导体袭与电解液接触的话，那么：能带弯曲与 半导体/电解液结 有关
对于一个n型半导体当其费米能级等于平带电势时，半导体与电解液之间没有电荷流转，在半导体与电解液接触界面两侧没有多余电荷，因此在固液界面的半导体一侧不会出现能带弯曲。如果电子从电解液流向半导体（即半导体的费米能级低于电解液中氧化还原电对电势），此时在固液界面的半导体一侧得到的是累积层，半导体靠近界面处的能带弯曲方向朝下。如果电子从半导体流入电解液（即半导体的费米能级高于电解液中氧化还原电对电势），此时在固液界面的半导体一侧得到的是耗尽层（由不能移动的带正电的电子施主形成），半导体靠近界面处的能带弯曲方向朝上。如果电子过多的从半导体流入电解液以至于固液界面处的电子浓度低于半导体的本征电子浓度，此时在固液界面的半导体一侧得到的是反型层，半导体靠近界面处的能带弯曲朝上加剧，同时半导体表面呈现p型特征（半导体体相依旧为n型）。p型半导体与电解液接触形成半导体/电解液结的原理与n型半导体相同，只是在p型半导体中可移动的载流子为空穴。（来自冯建勇博士论文：(氧)氮化物的制备及其光电化学水分解性能的研究）

『肆』 半导体中的能带图是怎么回事儿，最好是普通语言解释，谢谢！

我们看到的能带抄图，有导带底、价带袭顶，杂质半导体中还有施主能级和受主能级。
所谓能带图就是用水平横线表示各个能带的能量极值及定义值，可以直观的看到不同能级的能量的大小的一种表示方法。
如果你希望了解更深入的理论或者对一些定义不太了解，建议你看刘恩科版《半导体物理》。

『伍』 影响半导体能带结构的因素有哪些

半导体( semiconctor)，指常温下导电性能介于导体(conctor)与绝缘体(insulator)之间的材料。半导体在收音机、电视机以内及测温容上有着广泛的应用。如二极管就是采用半导体制作的器件。半导体是指一种导电性可受控制，范围可从绝缘体至导体之间的材料。无论从科技或是经济发展的角度来看，半导体的重要性都是非常巨大的。今日大部分的电子产品，如计算机、移动电话或是数字录音机当中的核心单元都和半导体有着极为密切的关连。常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等，而硅更是各种半导体材料中，在商业应用上最具有影响力的一种。

『陆』 半导体表面区的能带图，并说明会出现何种现象，回答正偏强反型的条件是什么

半导体表面能带弯曲，出现反型层时，就认为是强反型，这时半导体的表面势专=Fermi势。参见“http://blog.163.com/xmx028@126/”中的有关说明属。

『柒』 半导体掺杂有什么作用

半导体的掺杂是为了提高半导体器件的电学性能，半导体的很多电学特性都与掺杂的杂质浓度有关。

纯正的半导体是靠本征激发来产生载流子导电的，但是仅仅依靠本证激发的话产生的载流子数量很少，而且容易受到外间因素如温度等的影响。掺入相应的三价或是五价元素则可以在本征激发外产生其他的载流子。

半导体的常用掺杂技术主要有两种，即高温（热）扩散和离子注入。掺入的杂质主要有两类：第一类是提供载流子的受主杂质或施主杂质（如Si中的B、P、As）；第二类是产生复合中心的重金属杂质（如Si中的Au）。

(7)半导体的界面能带为什么会弯曲扩展阅读：

掺杂之后的半导体能带会有所改变。依照掺杂物的不同，本征半导体的能隙之间会出现不同的能阶。施体原子会在靠近导带的地方产生一个新的能阶，而受体原子则是在靠近价带的地方产生新的能阶。假设掺杂硼原子进入硅，则因为硼的能阶到硅的价带之间仅有0.045电子伏特，远小于硅本身的能隙1.12电子伏特，所以在室温下就可以使掺杂到硅里的硼原子完全解离化。

掺杂物对于能带结构的另一个重大影响是改变了费米能阶的位置。在热平衡的状态下费米能阶依然会保持定值，这个特性会引出很多其他有用的电特性。举例来说，一个p-n结的能带会弯折，起因是原本p型半导体和n型半导体的费米能阶位置各不相同，但是形成p-n结后其费米能阶必须保持在同样的高度，造成无论是p型或是n型半导体的导带或价带都会被弯曲以配合界面处的能带差异。

『捌』 【固体物理学】为什么金属与半导体接触，内建场会造成能带弯曲

您好，小复子不才，愿尝试制为您解答。
（1）半导体禁带宽度不变，导带向上弯曲，价带自然向上弯曲；既然是N型半导体，空穴就是少子，它的变化可以忽略。纠结它的能量变化没什么意义。
（2）稳定之后的系统，费米能级是水平的，不是弯曲的。空间电荷区外应该具体一点。如果是半导体内部，费米能级是水平的，Efs没有弯曲，保持电中性。如果是金属一侧，Efm也是与Efs在一条水平线上，也没有弯曲。费米能级对x的变化率与nu的积等于电流密度。