这轮半导体为什么会生
㈠ 半导体为什么会容易受到温度影响会产生什么样的后果
因为半导体抄是靠电子和空穴的移动导电。未掺杂的半导体叫本征半导体,一般说来导电性远不如掺过杂的半导体,所以一般使用的都是掺杂半导体。掺入的杂质电离出的电子和空穴增强了半导体导电性,其电离率和温度密切相关,所以温度会影响半导体材料的电阻率。
对于掺杂半导体:温度很低时,本征激发忽略,主要由杂质电离提供载流子,它随温度升高而增加;散射主要由电离杂质决定,迁移率随温度升高增大,所以电阻率下降。
温度继续升高,杂质全部电离,本征激发还不显著时,载流子基本不变,晶格振动是主要影响因素,迁移率随温度升高而降低,所以电阻率随温度升高而增大。
温度继续升高到本征激发快速增加时,本征激发称为主要影响因素,表现出同本证半导体相同的特征。
㈡ 在光的照射下,半导体为什么会产生电流
在N区中,光生电子--空穴对产生以后,光生空穴便向P-N结边界扩散,一旦到达版P-N结边界,便立即受到内建电权场作用,被电场力牵引作漂移运动,越过耗尽区进入P区,光生电子(多子)则被留在N区。
在P区中:光生电子(少子)同样的先因为扩散、后因为漂移而进入N区,光生空穴(多子)留在P区。如此便在P-N结两侧形成了正、负电荷的积累,使N区储存了过剩的电子,P区有过剩的空穴。从而形成与内建电场方向相反的光生电场。
㈢ 半导体为什么会产生电位差
光生伏特效应简称为光伏效应,指光照使不均匀半导体或半导体与金属组合的不同部位之间产生电位差的现象.
太阳能电池是一种近年发展起来的新型的电池.太阳能电池是利用光电转换原理使太阳的辐射光通过半导体物质转变为电能的一种器件,这种光电转换过程通常叫做“光生伏打效应”,因此太阳能电池又称为“光伏电池”,用于太阳能电池的半导体材料是一种介于导体和绝缘体之间的特殊物质,和任何物质的原子一样,半导体的原子也是由带正电的原子核和带负电的电子组成,半导体硅原子的外层有4个电子,按固定轨道围绕原子核转动.当受到外来能量的作用时,这些电子就会脱离轨道而成为自由电子,并在原来的位置上留下一个“空穴”,在纯净的硅晶体中,自由电子和空穴的数目是相等的.如果在硅晶体中掺入硼、镓等元素,由于这些元素能够俘获电子,它就成了空穴型半导体,通常用符号P表示;如果掺入能够释放电子的磷、砷等元素,它就成了电子型半导体,以符号N代表.若把这两种半导体结合,交界面便形成一个P-N结.太阳能电池的奥妙就在这个“结”上,P-N结就像一堵墙,阻碍着电子和空穴的移动.当太阳能电池受到阳光照射时,电子接受光能,向N型区移动,使N型区带负电,同时空穴向P型区移动,使P型区带正电.这样,在P-N结两端便产生了电动势,也就是通常所说的电压.这种现象就是上面所说的“光生伏打效应”.如果这时分别在P型层和N型层焊上金属导线,接通负载,则外电路便有电流通过,如此形成的一个个电池元件,把它们串联、并联起来,就能产生一定的电压和电流,输出功率.制造太阳电池的半导体材料已知的有十几种,因此太阳电池的种类也很多.目前,技术最成熟,并具有商业价值的太阳电池要算硅太阳电池.
太阳能电池就是利用光伏效应将太阳能直接转换为电能的一种装置.常规太阳电池简单装置如左图所示.当N型和P型两种不同型号的半导体材料接触后,由于扩散和漂移作用,在界面处形成由P型指向N型的内建电场.当光照在太阳电池的表面后,能量大于禁带宽度的光子便激发出电子和空穴对,这些非平衡的少数载流子在内电场的作用下分离开,在电池的上下两极累积,这样电池便可以给外界负载提供电流.
㈣ 半导体为什么能产生光生电流而一般金属不能
并非如此,金属也能产生光电流。
在半导体光敏器件没有发明之前,就是用金属材料的光电管专光电管(分属为真空光电管和充气光电管两种)感应光电流的。原理相同,都是利用光子的撞击动能打击出载流子,只不过一个是在半导体内,一个是逸出到金属材料之外。
㈤ 为什么半导体会产生电流
这叫光伏效应。能产生光伏效应的材料有许多种,如:单晶硅,多晶回硅,非晶硅,砷化镓,硒答铟铜等。它们的发电原理基本相同,现以晶体为例描述光发电过程。P型晶体硅经过掺杂磷可得N型硅,形成P-N结。当光线照射半导体表面时,一部分光子被硅材料吸收;光子的能量传递给了硅原子,使电子发生了越迁,成为自由电子在P-N结两侧集聚形成了电位差,当外部接通电路时,在该电压的作用下,将会有电流流过外部电路产生一定的输出功率。这个过程的实质是:光子能量转换成电能的过程。这个原理多应用于太阳能电池里。
㈥ 半导体的原理是什么
原理:
在极低温度下,半导体的价带是满带(见能带理论),受到热激发后,价带中的部分电子会越过禁带进入能量较高的空带,空带中存在电子后成为导带,价带中缺少一个电子后形成一个带正电的空位,称为空穴。空穴导电并不是实际运动,而是一种等效。
电子导电时等电量的空穴会沿其反方向运动。它们在外电场作用下产生定向运动而形成宏观电流,分别称为电子导电和空穴导电。这种由于电子-空穴对的产生而形成的混合型导电称为本征导电。导带中的电子会落入空穴,电子-空穴对消失,称为复合。
复合时释放出的能量变成电磁辐射(发光)或晶格的热振动能量(发热)。在一定温度下,电子- 空穴对的产生和复合同时存在并达到动态平衡,此时半导体具有一定的载流子密度,从而具有一定的电阻率。温度升高时,将产生更多的电子- 空穴对,载流子密度增加,电阻率减小。
(6)这轮半导体为什么会生扩展阅读:
半导体的应用
一、在无线电收音机(Radio)及电视机(Television)中,作为“讯号放大器/整流器”用。
二、发展「太阳能(Solar Power)」,也用在「光电池(Solar Cell)」中。
三、半导体可以用来测量温度,测温范围可以达到生产、生活、医疗卫生、科研教学等应用的70%的领域,有较高的准确度和稳定性,分辨率可达0.1℃,甚至达到0.01℃也不是不可能,线性度0.2%,测温范围-100~+300℃,是性价比极高的一种测温元件。
四、半导体致冷器的发展, 它也叫热电致冷器或温差致冷器, 它采用了帕尔贴效应。
㈦ 半导体材料的生长为什么要用衬底
一些复杂结构的半导体,正常情况下不好长成单晶,那是由于其没有很好专的附着点,也不能成核属,不能凭白提供成核动力啊.更不用说长晶了.
例如,冰雹的形成,有条件了,没有灰尘小颗粒不能凝结成核的,也不能形成冰雹. 雪花也类似.
所以长晶需要衬底,需要相应的晶格匹配,需要成核点.
需要衬底是必须的,但是关键是选择什么的衬底,那才是工艺重要环节之一.
㈧ 本征半导体中的电子空穴为什么成对产生
既然是本征半导体,那么内部就是载流子平衡的。不带有任何正负电。电子和空穴专个数是相等属的。
在实际中,是不存在空穴的,空穴产生的原因是由于该处的电子脱离该位置,相当于该处缺少一个电子,为了便于分析,我们就认为该处是空穴。形象的说 就是一个萝卜一个坑,萝卜是电子,坑就是空穴。所以电子脱离原子束缚成为自由电子后,就产生一个空穴,因此是成对出现的。
㈨ 什么是半导体 为什么芯片要用半导体做
锗、硅、硒、砷化来镓及许多自金属氧化物和金属硫化物等物体,它们的导电能力介于导体和绝缘体之间,叫做半导体。
半导体具有一些特殊性质。如利用半导体的电阻率与温度的关系可制成自动控制用的热敏元件(热敏电阻);利用它的光敏特性可制成自动控制用的光敏元件,像光电池、光电管和光敏电阻等。
半导体还有一个最重要的性质,如果在纯净的半导体物质中适当地掺入微量杂质测其导电能力将会成百万倍地增加。利用这一特性可制造各种不同用途的半导体器件,如半导体二极管、三极管等。
把一块半导体的一边制成P型区,另一边制成N型区,则在交界处附近形成一个具有特殊性能的薄层,一般称此薄层为PN结。图中上部分为P型半导体和N型半导体界面两边载流子的扩散作用(用黑色箭头表示)。中间部分为PN结的形成过程,示意载流子的扩散作用大于漂移作用(用蓝色箭头表示,红色箭头表示内建电场的方向)。下边部分为PN结的形成。表示扩散作用和漂移作用的动态平衡。
㈩ 在光的照射下,半导体为什么会产生电流
半导体( semiconctor),指常温下导电性能介于导体(conctor)与绝缘体(insulator)之间的材料。半导体在收音机、电视机以及测温上有着广泛的应用。如二极管就是采用半导体制作的器件。半导体是指一种导电性可受控制,范围可从绝缘体至导体之间的材料。无论从科技或是经济发展的角度来看,半导体的重要性都是非常巨大的。今日大部分的电子产品,如计算机、移动电话或是数字录音机当中的核心单元都和半导体有着极为密切的关连。常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等,而硅更是各种半导体材料中,在商业应用上最具有影响力的一种。半导体五大特性∶掺杂性,热敏性,光敏性,负电阻率温度特性,整流特性。在形成晶体结构的半导体中,人为地掺入特定的杂质元素,导电性能具有可控性。在光照和热辐射条件下,其导电性有明显的变化。半导体是指导电性能介于导体和绝缘体之间的材料。我们知道,电路之所以具有某种功能,主要是因为其内部有电流的各种变化,而之所以形成电流,主要是因为有电子在金属线路和电子元件之间流动(运动/迁移)。所以,电子在材料中运动的难易程度,决定了其导电性能。常见的金属材料在常温下电子就很容易获得能量发生运动,因此其导电性能好;绝缘体由于其材料本身特性,电子很难获得导电所需能量,其内部很少电子可以迁移,因此几乎不导电。而半导体材料的导电特性则介于这两者之间,并且可以通过掺入杂质来改变其导电性能,人为控制它导电或者不导电以及导电的容易程度。这一点称之为半导体的可掺杂特性。