杂质半导体为什么呈电中性

❶ P型半导体和N型半导体为什么是呈电中性

晶体管中加入了微量元素，会破坏原晶体内的电位平衡，在晶体内部产生空版穴和电子的对流，但是记住，权这是在半导体内部产生这种对流，进而产生内电场，生成电位差。但对于整个的晶体来说，中和一个电子必占用一个空穴 ，因此在晶体的内部电子和空穴的数目始终是相等的，不带电，因此呈电中性。不要把它的导电性和带电混淆了 呵呵

❷ 耗尽层外的半导体为何是电中性的

pn结中，以耗尽层外的n型半导体侧为例，半导体中的自由电子（负电）与电离施主（正电）浓度是一样的，所以是中性的。

❸ N型半导体和P型半导体为什么呈电中性

主要空穴说空穴导电呢像看篇资料说电束缚p表示电意思种半导体参与导电回主要带电空穴些空穴答自于半导体受主杂质所谓受主杂质掺入杂质能够接受半导体价电产同数量空穴改变半导体导电性能例半导体锗硅三价元素硼、铟、镓等原都受主某半导体杂质总量受主杂质数量占数则半导体p型半导体单晶硅掺入三价硼原则硼原与硅原组共价键由于硼原数目比硅原要少整晶体结构基本变某些位置硅原硼原所代替硼三价元素外层三价电所与硅原组共价键自形空穴掺入硼杂质每原都能提供空穴使硅单晶空穴载流数目增加种半导体内几乎没自由电主要靠空穴导电所叫做空穴半导体简称p型半导体～～～～～～～否理解P型半导体电束缚N型电比较容易脱离所形PN结

❹ p型半导体本身是带正电，还是电中性，为什么

无论是P型半导体，还是N型半导体，其本身是不带正负电的。都是电中性。回因为，P型半导体是指答空穴大于自由电子浓度材料，N型半导体正相反。而真正带电极性是由空穴或自由电子谁多谁少决定的。空穴大于自由电子浓度的，就呈现正电性，自由电子大于空穴浓度的，就呈现负电极性。

❺ 在杂质半导体中多子与少子浓度不同为什么半导体呈中性

杂质半导体中除了可以自由移动的载流子(多子\少子)之外, 还有不能自由移动的电荷内(电离的施主\受主), 总的容正电荷(空穴+电离施主所带的正电荷)和总的负电荷(自由电子+电离受主所带的负电荷)相等，因而呈电中性。

❻ n型半导体本身是带负电,还是电中性的为什么

半导体内还有不可移动的电荷，比如带正电的原子核，这样就能与N型半导体的多数载流子是电子平衡，维持电中性条件了2.在杂质半导体中， 正负电荷数是相等的，它们的作用相互抵消，因此保持电中性。

❼ P型/N型半导体为什么呈电中性

这是由于半导体和掺入的微量元素都是电中性的，而掺杂过程中既不丧失电荷又不从外界得到电荷，只是在半导体中出现了大量可运动的电子或空穴，并没有破坏整个半导体内正负电荷的平衡状态。

❽ n型半导体 在加入五价元素后 为啥仍然是电中性，不是多了自由电子吗

掺进去的杂质形成共价键后是形成一个自由电子，但是掺杂的杂质原子核跟外部的电子是相同的，所以整体是电中性的。所谓电中性是指整体电中性。

❾ N型半导体本身是带负电还是电中性的

半导体复内还有不可移动的电制荷，比如带正电的原子核，这样就能与N型半导体的多数载流子是电子平衡，维持电中性条件了；在杂质半导体中， 正负电荷数是相等的，它们的作用相互抵消，因此保持电中性。

半导体是中性物。在激发态才是P型半导体，也叫空穴半导体，在硅中掺杂了3价的铝元素，与周围硅4价形成共价结合，缺一个电子，形成空穴。这样是相当于带正电的粒子。

N型半导体，也叫电子半导体，在硅中掺杂5价磷，和硅4价，结合共价后，多一个自由电子。当PN结组合形成二极管结构，就利用PN结的特性。

(9)杂质半导体为什么呈电中性扩展阅读：

n型半导体是里面加了一些带自由电子的原子参杂，是稳态的，这些电子虽然比空穴多，但是受核子的束缚。

由于N型半导体中正电荷量与负电荷量相等，故N型半导体呈电中性。自由电子主要由杂质原子提供，空穴由热激发形成。掺入的杂质越多，多子（自由电子）的浓度就越高，导电性能就越强。

❿ 请问书上对于P型杂杂质半导体是这样说的：电中性条件为p0=Na+n0，为什么里面没有硅离子硅离子不存在

这里是这样抄的
P是空穴，包括两部分，一部分是热运动形成的空穴P1,一部分是受主杂质和Si作用产生的P2（这部分可以理解为硅离子，即失去电子的硅离子形成的空穴）。
N是电子，包括两部分，一部分是热运动产生的N1（等式里的n0），一部分是受主杂质和Si作用产生的（Na，即受主杂质带的电子）。

总之，在这样一块P型半导体里，只有热运动产生的空穴和电子，以及受主和硅作用产生的空穴和电子，你把它们对应进等式，就明了了。