本证半导体受哪些因素影响

1. 影响半导体性能的三个因素

半导体五大特性∶掺杂性，热敏性，光敏性，负电阻率温度特性，整流特性。
三个因素——杂质、温度、光照

2. 对半导体性能都有很大影响的外界因素有哪些

对半导体性质影响最大的是温度：禁带宽度与温度有关；载流子浓度更是与温内度有关；载流子容迁移率也与温度有关；半导体的体积等也与温度有关（热膨胀）。
光照影响：可产生非平衡载流子，导致光电导。
压力影响：压阻效应。
接触影响：形成pn结、金属-半导体接触等。
电场影响：可产生场致发射等。
磁场影响：半导体的Hall效应远大于金属。
气氛影响：表面状态与气氛有很大关系。

3. 影响半导体能带结构的因素有哪些

半导体( semiconctor)，指常温下导电性能介于导体(conctor)与绝缘体(insulator)之间的材料。半导体在收音机、电视机以内及测温容上有着广泛的应用。如二极管就是采用半导体制作的器件。半导体是指一种导电性可受控制，范围可从绝缘体至导体之间的材料。无论从科技或是经济发展的角度来看，半导体的重要性都是非常巨大的。今日大部分的电子产品，如计算机、移动电话或是数字录音机当中的核心单元都和半导体有着极为密切的关连。常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等，而硅更是各种半导体材料中，在商业应用上最具有影响力的一种。

4. 本征载流子浓度与哪些因素有关

1、与温度有关，同样材质的半导体，温度越高，热激发越强烈，本征载流子浓度越高
2、与禁带宽度有关，同样的温度下，禁带宽度越窄，电子或空穴更容易从价带跃迁到导带，本征载流子深度越高。

5. 影响半导体器件响应特性的因素有哪些

如果是响应特性的话题主可能是想问半导体的响应速度，也就是对高频信号的响应。
首先在半回导体本身上面分析答，就是看禁带的形状，因为这影响到电子在半导体内部的有效质量，禁带变化得越激烈，有效质量越小，受电场加速越快，响应速度就越快。
同理还跟掺杂有关系，掺杂越多电子运动阻碍变多，弛豫时间变短，响应也会变慢。
在期间层面上金属半导体结或者pn结之间的势垒相差太大，电子穿越的时候需要能量就高，响应也会变慢；
还有就是半导体作材料时的厚度，接触面积都会影响传播的时间影响响应速度：材料越薄，接触面积越大，响应越快。
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6. 简述影响半导体导电性能的因素有哪些 简答题 答案

主要是掺入的杂质种类和数量、以及工作温度，从而影响到载流子浓度和迁移率，结果使得半导体的电导率发生变化。

7. 什么因素对半导体有影响

温度，对半导体里的电子空穴对的多少有影响。
温度越高产生的电子空穴对越多，半导体的电导越大。

8. 半导体受什么外界因素较大

网上抄找到一下内容，个人感觉袭温度是需要考虑的最大问题，其他的影响较小。
对半导体性质影响最大的是温度：禁带宽度与温度有关；载流子浓度更是与温度有关；载流子迁移率也与温度有关；半导体的体积等也与温度有关（热膨胀）。
光照影响：可产生非平衡载流子，导致光电导。
压力影响：压阻效应。
接触影响：形成pn结、金属-半导体接触等。
电场影响：可产生场致发射等。
磁场影响：半导体的Hall效应远大于金属。
气氛影响：表面状态与气氛有很大关系。

9. 半导体受哪些因素影响

半导体的光电导是指光照射半导体使电导增大的现象。本征半导体的电导能力（电导率）很小，经光照射后半导体内部产生光生载流子（电子或空穴），使其导电能力加大。光照射前后半导体电导的改变与光的波长、强度以及半导体中杂质缺陷态的能级位置密切相关。光电导应用于研究半导体中的杂质缺陷态，如施主、受主、缺陷、深能级杂质等在禁带中的能级位置（见半导体物理学），它的灵敏度比通常的光吸收实验高许多，电导率正比于载流子浓度及其迁移率的乘积。因此凡是能激发出载流子的入射光都能产生光电导。入射光可以使电子从价带激发到导带，因而同时增加电子和空穴的浓度；也可以使电子跃迁发生在杂质能级与某一能带之间，因而只增加电子浓度或只增加空穴浓度。前一过程引起的光电导称为本征光电导，后一过程引起的光电导称为杂质光电导。不管哪一种光电导，入射光的光子能量都必须等于或大于与该激发过程相应的能隙 ΔE（禁带宽度或杂质能级到某一能带限的距离），也就是光电导有一个最大的响应波长，称为光电导的长波限λ。http://ic.big-bit.com/