杂质半导体的多子因什么产生

① 什么是杂质半导体，分为几种各有什么特点

本征半导体是纯净的半导体，最外层是十4价电子，在本征半导体中掺入十5价元素或版十3价元素分别形成N型半导体和权P型半导体这两种杂质半导体，N型半导体的特点是自由电子是多子，空穴是少子，P型半导体的特点是空穴是多子，自由电子是少子。由多子形成导通电流。

② 杂质半导体中的多数载流子和少数载流子是如何产生的

本征半导体中抄的载流子袭都是由本征激发所产生的，一般数量不多（随温度而指数函数式增大）。
但是，掺入施主杂质或者受主杂质以后，则杂质可提供大量的电子或者空穴，这就是多数载流子；这时，还是存在少数载流子，那就是本征激发出来的一些载流子。

③ 半导体中的少数截流子产生的原因是

第48题 多数载流子的浓度主要取决于掺入的杂质浓度,少数载流子的浓度与温度密切相关
第49题 这个我认为应该选掺杂
第50题 该管工作在放大区

④ 由于杂质半导体主要靠多子导电,其温度特性要远好于本征半导体,这是为什么

你说的导电性能好是指电阻率低.电阻率主要决定于材料中载流子的浓度和迁移率版,两者均与杂质浓度和温度有关系权.
当不进行掺杂时,为纯半导体材料（本征半导体）,其导电是需要特殊外界条件的（比如温度）,本征半导体的电阻率随温度增加单调下降.
对于杂质半导体：
掺杂杂质使其导电性能变好主要是由于掺杂特定杂志和杂质电力提供载流子,载流子浓度增加从而电阻率降低,导电性能变好.但其也与温度有很大关系
温度很低时,本征激发忽略,主要由杂质电离提供载流子,它随温度升高而增加；散射主要由电离杂质决定,迁移率随温度升高增大,所以电阻率下降.
温度继续升高,杂质全部电离,本征激发还不显著时,载流子基本不变,晶格振动是主要影响因素,迁移率随温度升高而降低,所以电阻率随温度升高而增大.
继续升高到本征激发很快增加时,本征激发称为主要影响因素,表现出同本证半导体相同的特征.

⑤ 简述N型半导体与P型半导体的形成过程并指出多子与少子各是什么

在半来导体材料硅或锗晶体中掺入源三价元素杂质可构成缺壳粒的P型半导体，掺入五价元素杂质可构成多余壳粒的N形半导体。 （ 两种半导体接触在一起的点或面构成PN结，在接触点或面上N型半导体多余壳粒趋向P型半导体，并形成阻挡层或接触电位差。当P型接正极，N型接负极，N型半导体多余壳粒和PN结上壳粒易往正移动，且阻挡层变薄接触电位差变小，即电阻变小，可形成较大电流；反之当P型接负极，N型接正极，因为P半导体缺壳粒，热运动也难分离出壳粒往正极运动，且阻挡层变厚接触电位差变大，电阻变大，形成较小电流，即具有单向通过电流属性。 ）

多子与少子是相对概念。
如：在N型半导体中自由电子是多数载流子，简称为“多子”；空穴为小数载流子，称为“少子”。而在P型中则相反。
----考试的话，答概念就可以了，具体的作用过程你就不用记了。

⑥ 在杂质半导体中,多数截流子的浓度主要取决于 而少数截流子的浓度则与（ ）有很大关系

在杂质半导体中,多数截流子的浓度主要取决于掺入的施主浓度或者受主浓度；在全内电离时,多数截流子浓度≈容掺杂浓度,并且基本上与温度无关.
而少数截流子的浓度则与（温度）有很大关系（因为是本征激发的关系）.

⑦ 掺杂杂质半导体中影响多数和少数载流子数量的最主要原因是什么急！！！！

主要原因是杂质在禁带里占的位置和杂质浓度。

⑧ n型半导体和p型半导体中的多数载流子和少数的载流子是怎样产生的它的数量各由什么因数控制（那个大

以n型半导体为例，其中的多数载流子电子是由于在半导体中掺杂N型杂质（专例如磷、砷、锑等）产生的。掺属入的杂质越多，多子（自由电子）的浓度就越高，导电性能就越强。由于N型半导体中正电荷量与负电荷量相等，故N型半导体呈电中性。自由电子（多子）主要由杂质原子提供，空穴（少子）由热激发形成。p型半导体刚好相反。

⑨ 杂质半导体的多子浓度取决于

首先明确，掺杂何种杂质、杂质的电离情况、温度及浓度。比如单一专掺杂，Si中掺杂P，其电离能为0.044，一属般室温下就能全部电离，呈现N型，载流子浓度可认为杂质浓度。但是非单一掺杂，比如掺杂P和B，分别为施主杂质和受主杂质，两者先要进行补偿，载流子浓度就等于两者浓度差值。如果杂质浓度过高，无法全部电离。杂质的能级较深，也无法全部电离。

⑩ 在杂质半导体中，多数截流子的浓度主要取决于

在杂质半导体中，复多数截流子的浓度制主要取决于掺入的施主浓度或者受主浓度；在全电离时，多数截流子浓度≈掺杂浓度，并且基本上与温度无关。
而少数截流子的浓度则与（温度）有很大关系（因为是本征激发的关系）。
详见“http://blog.163.com/xmx028@126/”中的有关说明。