p型半导体p什么意思

A. 半导体的类型-N型、P型是怎样定义和区别的

下面，我们将采用对比分析的方法来认识P型半导体和N型半导体。

P型半导体也称为空穴型半导体。P型半导体即空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体。在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位子，就形成P型半导体。在P型半导体中，空穴为多子，自由电子为少子，主要靠空穴导电。空穴主要由杂质原子提供，自由电子由热激发形成。掺入的杂质越多，多子（空穴）的浓度就越高，导电性能就越强。

N型半导体也称为电子型半导体。N型半导体即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体。在纯净的硅晶体中掺入五价元素（如磷），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半导体。在N型半导体中，自由电子为多子，空穴为少子，主要靠自由电子导电。自由电子主要由杂质原子提供，空穴由热激发形成。掺入的杂质越多，多子（自由电子）的浓度就越高，导电性能就越强。

(1)p型半导体p什么意思扩展阅读

半导体（ semiconctor），指常温下导电性能介于导体（conctor）与绝缘体（insulator）之间的材料。半导体在收音机、电视机以及测温上有着广泛的应用。如二极管就是采用半导体制作的器件。半导体是指一种导电性可受控制，范围可从绝缘体至导体之间的材料。无论从科技或是经济发展的角度来看，半导体的重要性都是非常巨大的。今日大部分的电子产品，如计算机、移动电话或是数字录音机当中的核心单元都和半导体有着极为密切的关连。常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等，而硅更是各种半导体材料中，在商业应用上最具有影响力的一种。

以GaN（氮化镓）为代表的第三代半导体材料及器件的开发是新兴半导体产业的核心和基础，其研究开发呈现出日新月异的发展势态。GaN基光电器件中，蓝色发光二极管LED率先实现商品化生产 成功开发蓝光LED和LD之后，科研方向转移到GaN紫外光探测器上 GaN材料在微波功率方面也有相当大的应用市场。氮化镓半导体开关被誉为半导体芯片设计上一个新的里程碑。美国佛罗里达大学的科学家已经开发出一种可用于制造新型电子开关的重要器件，这种电子开关可以提供平稳、无间断电源。

参考资料

半导体-网络

B. 什么是P型半导体和N型半导体都有哪些性质呢

P型半导体
多数载流子为空穴的半导体。
型半导体中，空穴为多子，自由电子为少子，主要靠空穴导电。由于P型半导体中正电荷量与负电荷量相等，故P型半导体呈电中性。空穴主要由杂质原子提供，自由电子由热激发形成。掺入的杂质越多，多子（空穴）的浓度就越高，导电性能就越强。
N型半导体
多数载流子为电子的半导体
也称为电子型半导体。N型半导体即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体。
在纯净的硅晶体中掺入Ⅴ族元素（如磷、砷、锑等），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半导体。这类杂质提供了带负电（Negative）的电子载流子，称他们为施主杂质或n型杂质。在N型半导体中，自由电子为多子，空穴为少子，主要靠自由电子导电，由于N型半导体中正电荷量与负电荷量相等，故N型半导体呈电中性。自由电子主要由杂质原子提供，空穴由热激发形成。掺入的杂质越多，多子（自由电子）的浓度就越高，导电性能就越强。

C. P型半导体的P及N型半导体的N是什么意思

P型半导体中空穴导电，空穴带正（Positive）电荷；
N型半导体中电子导电，电子带负（Negative）电荷；

仅就我所知的常识做答，不正确的地方见谅。

D. 半导体制冷，什么n型p型半导体是什么意思

半导体理论比较深奥，枯燥和抽象，你看了可能乏味，所以只能简单告诉专你。
自然界中能导电的物属质称为导体，如金属、石墨等；不能导电的物质称为绝缘体，如玻璃、陶瓷等；处于两者之间的物质，称为半导体，如锗、硅、砷化镓等。
在纯净的硅晶体中掺入五价元素（如磷），使之取代晶格中硅原子的位置，形成主要靠自由电子导电的是N型半导体。
在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼），使之取代硅晶格中硅原子的位置，就形成了主要靠空穴导电的是P型半导体。

E. 什么是N型半导体 什么是P型半导体

在半导体材料硅或锗晶体中掺入三价元素杂质可构成缺壳粒的P型半导体，内掺入五容价元素杂质可构成多余壳粒的N形半导体。 （ 两种半导体接触在一起的点或面构成PN结，在接触点或面上N型半导体多余壳粒趋向P型半导体，并形成阻挡层或接触电位差。当P型接正极，N型接负极，N型半导体多余壳粒和PN结上壳粒易往正移动，且阻挡层变薄接触电位差变小，即电阻变小，可形成较大电流；反之当P型接负极，N型接正极，因为P半导体缺壳粒，热运动也难分离出壳粒往正极运动，且阻挡层变厚接触电位差变大，电阻变大，形成较小电流，即具有单向通过电流属性。 ） 多子与少子是相对概念。 如：在N型半导体中自由电子是多数载流子，简称为“多子”；空穴为小数载流子，称为“少子”。而在P型中则相反。 ----考试的话，答概念就可以了，具体的作用过程你就不用记了。

F. 什么是P型半导体和N型半导体其多数载流子和少数载流子各是什么能否说P型半导体带正电、N型半导体带负

P型半导体即空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体
N型半导体即自由电子浓度远大于内空穴浓度的杂质半容导体
如果半导体中电子浓度大时，电子就是多数载流电子，空穴就是少数载流电子。相反，如果该半导体中空穴浓度大时，空穴就是多数载流电子，电子就是少数载流电子。
P型半导体、N型半导体都是电中性

G. P型半导体是什么N 型半导体是什么

近几年来“负离子”这个词大家都很熟悉，在广告中、商品中、报纸上，电视上都经常可听可见，那么什么是负离子呢？用一句话很难解答。按通俗讲，我们只能先做个比喻；人是什么？是人一种高级动物，因生理结构特性，而将人划分为“男人”和“女人”，如果没有这种划分法，“男人”和“女人”也都得叫人了。

按上述划分法，有了“负离子”，也就会有“正离子”，它们都是由离子中分叫出来的，那么离子是什么？只能按科学家讲法去解释。在物理学中的，我们都知道，物质是由分子组成的，分子是由原子组成的，原子是由原子核及围绕其旋转的电子组成，当物体得到电子时显负电性，失去电子时显正电性，我们把正负电子运动现象称为离子现象，即带有正电荷的物体叫正离子，把带有负电荷的物体叫负离子。 当人类确认负离子对人有功效作用时，为了改善环境促进健康，各种负离子发生器大量被发明出来，主要采用两个途径，一种是利用高压电产生电离使空气产生负离子，另一种利用天然矿物质，经科原加工而成，能释放负离子材料地球上很多，通常指能量石，有各种矿石，海藻类海底石和含有蛋白的轻质页岩，利用此种材料采用高科技技术加工成细粉体，与高分子材料相配全，可研究出很多产品，应用在纺织工业，塑料产品、纸制品等，形成各种负离子功能产品，这些产品负离子释放数量每立方厘米可达 1200 —— 5000 个，不亚于人类在郊外，田野的自然环境中。

等离子状态使指物质原子内的电子在高温下脱离原子核的吸引，使物质呈为正负带电粒子状态存在。
等离子（简称PDP）是采用近几年来高速发展的等离子平面屏幕技术的新—代显示设备，目前市场上销售的产品有两种类型，一种是等离子显示屏，另一种是等离子电视，两者在本质上没有太大的区别，唯一的区别是有没有内置电视接收调谐器。

由于PDP发展初期主要是针对商业展示用途，所以当前仍有很多PDP都没有内置电视接收调谐器，也就是说，不能直接接收电视信号。因此如果选择的是这种产品，那么只能通过卫星解码器或录像机等其它设备来兼作电视讯号调谐接收器，也可另购—个电视接收器。现在等离子已经开始面对家庭用户设计生产，目前生产的部分等离子开始内置电视接收器，这些机型预先就设有RF射频连接端子，可以直接播放电视节目。

大部分国产的PDP都是内置电视接收器，如海信、上广电SVA和TCL的多款产品。而国外的厂家，有些产品采用外置电视接收器，也有部分产品采用内置电视接收器。一般把外置电视接收器的PDP称为等离子显示屏，把内置电视接收器的PDP称为等离子电视，选购时应问清楚是否带电视接收功

H. P型半导体的P是什么的缩写 N型呢。

分别是positive和negative的缩写，表示了半导体内多空穴还是多电子

I. 什么是p型半导体，n型半导体，p

【n型半导体】“n”表示负电的意思，在这类半导体中，参与导电的主要是带负电的电子，这些电子来自半导体中的“施主”杂质。所谓施主杂质就是掺入杂质能够提供导电电子而改变半导体的导电性能。例如，半导体锗和硅中的五价元素砷、锑、磷等原子都是施主杂质。如果在某一半导体的杂质总量中，施主杂质的数量占多数，则这种半导体就是n型半导体。如果在硅单晶中掺入五价元素砷、磷。则在硅原子和砷、磷原子组成共价键之后，磷外层的五个电子中，四个电子组成共价键，多出的一个电子受原子核束缚很小，因此很容易成为自由电子。所以这种半导体中，电子载流子的数目很多，主要kao电子导电，叫做电子半导体，简称n型半导体。 【p型半导体】“p”表示正电的意思。在这种半导体中，参与导电的主要是带正电的空穴，这些空穴来自于半导体中的“受主”杂质。所谓受主杂质就是掺入杂质能够接受半导体中的价电子，产生同数量的空穴，从而改变了半导体的导电性能。例如，半导体锗和硅中的三价元素硼、铟、镓等原子都是受主。如果某一半导体的杂质总量中，受主杂质的数量占多数，则这半导体是p型半导体。如果在单晶硅上掺入三价硼原子，则硼原子与硅原子组成共价键。由于硼原子数目比硅原子要少很多，因此整个晶体结构基本不变，只是某些位置上的硅原子被硼原子所代替。硼是三价元素，外层只有三个价电子，所以当它与硅原子组成共价键时，就自然形成了一个空穴。这样，掺入的硼杂质的每一个原子都可能提供一个空穴，从而使硅单晶中空穴载流子的数目大大增加。这种半导体内几乎没有自由电子，主要kao空穴导电，所以叫做空穴半导体，简称p型半导体。 【p－n结】在一块半导体中，掺入施主杂质，使其中一部分成为n型半导体。其余部分掺入受主杂质而成为p型半导体，当p型半导体和n型半导体这两个区域共处一体时，这两个区域之间的交界层就是p-n结。p-n结很薄，结中电子和和空穴都很少，但在kao近n型一边有带正电荷的离子，kao近p型一边有带负电荷的离子。这是因为，在p型区中空穴的浓度大，在n型区中电子的浓度大，所以把它们结合在一起时，在它们交界的地方便要发生电子和空穴的扩散运动。由于p区有大量可以移动的空穴，n区几乎没有空穴，空穴就要由p区向n区扩散。同样n区有大量的自由电子，p区几乎没有电子，所以电子就要由n区向p区扩散。随着扩散的进行，p区空穴减少，出现了一层带负电的粒子区；n区电子减少，出现了一层带正电的粒子区。结果在p－n结的边界附近形成了一个空间电荷区，p型区一边带负电荷的离子，n型区一边带正电荷的离子，因而在结中形成了很强的局部电场，方向由n区指向p区。当结上加正向电压（即p区加电源正极，n区加电源负极）时，这电场减弱，n区中的电子和p区中的空穴都容易通过，因而电流较大；当外加电压相反时，则这电场增强，只有原n区中的少数空穴和p区中的少数电子能够通过，因而电流很小。因此p－n结具有整流作用。当具有p－n结的半导体受到光照时，其中电子和空穴的数目增多，在结的局部电场作用下，p区的电子移到n区，n区的空穴移到p区，这样在结的两端就有电荷积累，形成电势差。这现象称为p－n结的光生伏特效应。由于这些特性，用p－n结可制成半导体二极管和光电池等器件。如果在p－n结上加以反向电压（n区加在电源正极，p区加在电源负极），电压在一定范围内，p－n结几乎不通过电流，但当加在p－n结上的反向电压越过某一数值时，发生电流突然增大的现象。这时p-n结被击穿。p－n结被击穿后便失去其单向导电的性能，但结并不一定损坏，此时将反向电压降低，它的性能还可以恢复。根据其内在的物理过程，p－n结击穿可分为雪崩击穿和隧道击穿两种。