半导体本征转变温度怎么求
纯金属的导电性一般是随着温度的降低而增大（因为晶格散射减小，迁移率增大的缘故）。
本征半导体随着温度的降低,本征载流子浓度随着温度的降低而指数式减小，所以导电性降低。
具体情况较复杂，详见“http://blog.163.com/xmx028@126/”中的有关说明。
Ⅱ 分析本征半导体电阻率与载流子浓度迁移率和温度有什么关系
决定 电阻率温度关系的主要因素是载流子浓度和迁移率随温度的变化版关系。
在低温下：权由于 载流子浓度指数式增大（施主或 受主杂质不断电离），而迁移率也是增大的（电离杂质散射作用减弱之故），所以这时 电阻率随着温度的升高而下降。
在 室温下：由于施主或 受主杂质已经完全电离，则 载流子浓度不变，但迁移率将随着温度的升高而降低（ 晶格振动加剧，导致 声子散射增强所致），所以 电阻率将随着温度的升高而增大。
在 高温下：这时 本征激发开始起作用，载流子浓度将指数式地很快增大，虽然这时迁移率仍然随着温度的升高而降低（ 晶格振动散射散射越来越强），但是这种迁移率降低的作用不如载流子浓度增大的强，所以总的效果是 电阻率随着温度的升高而下降。
Ⅲ 温度一定时,半导体中的本征载流子浓度是一定的吗
是一定,因为本征激发与温度和禁带宽度有指数函数关系,对于一定的半导体材料,在温度一定时,本征载流子浓度就将一定.
Ⅳ 关于本征半导体
问题一
楼主的问题在于对半导体载流子浓度的数量级没有认识，打个比方：以版硅材料为列，硅常温下本证载流权子浓度在10个零左右，如果制作BJT基区，参杂一般在17到19个零之间，就已参杂18个零为列，这时候电子浓度为18个零，当温度升高后，加入本证激发提高到了一万倍，这时候空穴浓度就是14个零，比原来增加了一万倍，而电子的浓度变成了18个零加上14个零，变成了原来的1.0001倍。
可见，常温完全电离情况下，多子浓度几乎与温度无关，而少子浓度则对温度很敏感。
问题二
对于第二个问题是因为楼主对NP=ni*ni没有理解，建议楼主亲自推到一下这个公式的来历加深一下理解。
首先这个公式只有对平衡状态下的半导体才会成立，也就是电子和空穴有同一的费米能级，处于电场中的半导体处于非平衡态，没有统一的费米能级，而是引入了准费米能级的概念。
希望对楼主有用，望采纳！
Ⅳ 温度升高，本征半导体的电子浓度怎么变化
温度升高时，电子共有化运动加剧，能级分裂加剧，因些允带变宽，禁带变窄。电子更容易从价带跃到导带，所以温度升高，电子空穴对增多，即电子空穴浓度增加，即本征载流子浓度增加。
Ⅵ 当环境温度为0k且无外部激发时，本征半导体内只有束缚电子，没有
没有杂质和缺陷的半导体，叫做本征半导体。
实际上，掺杂半导体在高温下也可以转变为本征半导体。因此，本征半导体就是两种载流子（电子和空穴）同样都对导电起作用的半导体。
Ⅶ 半导体本征浓度怎么计算
一定的电来荷转移我们可自以用以下公式对本征半导体中的自由电子的浓度进行计算：
ni（T）＝AT3/2e－EG/2kT式中，
EG——电子挣脱共价键束缚所需要的能量，单位是eV（电子伏），又被称为禁带宽度；
T——温度；
A——系数；
k——波耳兹曼常数（1．38×10－23J/K）；
e——自然对数的底。
Ⅷ 解释一下金属和本征半导体作为温度功能元件时的热导率的差异.
金属的来热导率大于半导体的热导源率。
假如：这个温度功能元件是热电偶。
当用金属做热电偶时，由于金属的热导率较好，所以它的温差不太大，导致载流子的浓度差不大，所以热电偶的热电动势较小；
当用半导体做热电偶时，由于半导体的热导率较小，所以它的温差较大，导致载流子的浓度差较大，所以热电偶的热电动势较大。
所以，半导体材料（一般都用非本征半导体的P、N型配对）做的热电偶较一般金属做的热电偶，效果更为明显。
（供参考）