半导体器件物理中Na值为多少

1. 怎样学好半导体器件物理

正半导体元器件是用半导体材料制成的电子元器件,随着电子技术是飞速发展,各种新回型半导体元器件层答出不穷。半导体元器件是组成各种电子电路的核心元件,学习电子技术(特别是电子电器专业的)必须首先了解半导体元器件的基本结构和工作原理,掌握它们的特性、参数和用途。而这对初学者来说是非常困难的,因为这对他们来说是一个新知识,以前从没接触过。我个人认为学习半导体元器件是一个循序渐进的过程,不能过于急迫，要上课认真听，不懂就问。“把面子放下来，把成绩收回来。”

2. 半导体器件物理

1 源漏来电荷的共享
2 漏致势垒降低效自应也就是DIBL。用来说明V（DS）增加引起的VT下降的现象
当漏结加较大电压时，漏结电场向源区扩展，使源PN结的势垒降低，从源注入沟道的电子增加，导致漏电流增加，该过程称为DIBL效应。
3还有一个是次表面穿通 这个老师没讲 呵呵

3. 谁有蒋玉龙老师的半导体物理和半导体器件物理的PPT啊，能不能发我一下啊

http://wenku..com/view/72718435eefdc8d376ee3250.html

就找到这个了 在下的财富值不够，所以不能为回你下载答

4. 半导体器件物理的目录

第1章 半导体特性
1．1 半导体的晶体结构
1．2 半导体中的电子状态
1．3 杂质和缺陷
1．4 热平衡载流子
1．5 非平衡载流子
1．6 载流子的运动
实验一 晶体缺陷的观测
实验二 少数载流子寿命的测量
思考题与习题
第2章 PN结
2．1 平衡PN结
2．2 PN结的直流特性
2．3 PN结电容
2．4 PN结的击穿特性
2．5二极管的开关作用和反向恢复时间
实验三 PN结伏安特性与温度效应
实验四 PN结势垒电容的测量
思考题与习题
第3章 半导体的表面特性
3.1半导体表面与Si-SiO2系统
3.2 表面空间电荷区与表面势
3.3 MOS结构的阈值电压
3.4 MOS结构的C-V特性
3.5 金属与半导体接触
实验五 MOS电容的测量
实验六 SBD（肖特基）二极管伏安特性的测量
思考题与习题
第4章 双极型晶体管及其特性
4．1晶体管结构与工作原理
4．2晶体管的直流特性
4．3晶体管的频率特性
4．4晶体管的功率特性
4．5晶体管的开关特性
4．6晶体管的版图和工艺流程
实验七 图示仪测试晶体管的特性曲线
实验八 晶体管直流参数的测量
思考题与习题
第5章 MOS场效应晶体管
5.1 MOS晶体管的结构与分类
5.2 MOS晶体管的阈值电压
5.3 MOS晶体管输出伏安特性与直流参数
5.4 MOS晶体管频率特性与交流小信号参数
5.5 MOS晶体管版图及其结构特征
5.6小尺寸集成MOS晶体管的几个效应
实验九 MOS晶体管阈值电压VT的测量
实验十 MOS晶体管输出伏安特性曲线的测量
思考题与习题
第6章 其他常用半导体器件简介
6.1 达林顿晶体管
6.2 功率MOS晶体管
6.3 绝缘栅双极晶体管（IGBT）
6.4发光二极管（LED）
6.5太阳能电池
思考题与习题
附录 XJ4810型半导体管特性图示仪面板功能
参考文献