半导体与金属比较有什么特点
A. 半导体有什么特性
半导体具有特性有:可掺杂性、热敏性、光敏性、负电阻率温度、可整流性。
半导体材料版除了用于制造大规权模集成电路之外,还可以用于功率器件、光电器件、压力传感器、热电制冷等用途;利用微电子的超微细加工技术,还可以制成MEMS(微机械电子系统),应用在电子、医疗领域。
半导体是指导电性能介于导体和绝缘体之间的材料。通过掺入杂质来改变其导电性能,人为控制它导电或者不导电以及导电的容易程度。
(1)半导体与金属比较有什么特点扩展阅读
半导体的四种分类方法
1、按化学成分:分为元素半导体和化合物半导体两大类。锗和硅是最常用的元素半导体;化合物半导体包括第Ⅲ和第Ⅴ族化合物、第Ⅱ和第Ⅵ族化合物、氧化物,以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物组成的固溶体。除上述晶态半导体外,还有非晶态的玻璃半导体、有机半导体等。
2、按制造技术:分为集成电路器件,分立器件、光电半导体、逻辑IC、模拟IC、储存器等大类,一般来说这些还会被分成小类。
3、按应用领域、设计方法分类:按照IC、LSI、VLSI(超大LSI)及其规模进行分类的方法。
4、按所处理的信号:可以分成模拟、数字、模拟数字混成及功能进行分类的方法。
参考资料来源:网络—半导体
B. 半导体器件中 金属半导体结构和金属绝缘体半导体各自的特点和用途
固体能够来导电是固体中的电子在外场自作用下做定向运动的结果.从能带理论看,是电子从一个能级跃迁到另一个能级上去. 对于满带,其中能级已被电子占满,在外电场的作用下满带中的电子并不形成电流,对导电没有贡献.对于被电子部分占满的能带,在外电场的作用下,电子可以从外电场中吸收能量跃迁到未被电子占据的能级去,形成了电流,起导电作用. 金属中,由于组成金属的原子中的价电子占据的能级是部分占满的,所以金属是良好的导体. 绝缘体和半导体类似,下面都是已被电子占满的满带,中间是禁带,上面是空带.所以在热力学零度时,在外电场的作用下并不导电.当外界条件变化时,就有少量电子被激发到空带上去,在外场作用下就会参与导电.而绝缘体只是禁带宽度太大,激发电子需要很大的能量,在通常温度下,激发上去的电子很小,导电性差.
C. 金属和半导体接触有哪些好处
在一定范围内,半导体的电阻随温度的升高而降低,金属导体的电阻随温度的升高而升高
由于电流通过后要产热,两个按一定比例串联接入电路后,刚好互补,从而使电阻不随温度的变化而变化
D. 半导体热敏电阻与金属热电阻比较具有什么特点
半导体热敏电阻与金属热电阻相比:
前者的感温材料是半导体,后者感温材料是金回属,常用铂丝答,热敏电阻的灵敏度较高,它的电阻温度系数比金属大10到100倍以上,能检测到10摄氏度到6摄氏度的温度变化。
金属热电阻的电阻值和温度一般可以用以下的近似关系式表示,即Rt=Rt0[1+α(t-t0)]式中,Rt为温度t时的阻值;Rt0为温度t0(通常t0=0℃)时对应电阻值;α为温度系数。
半导体热敏电阻的阻值和温度关系为Rt=AeB/t式中Rt为温度为t时的阻值;A、B取决于半导体材料的结构的常数。相比较而言,热敏电阻的温度系数更大,常温下的电阻值更高(通常在数千欧以上热电阻温度测量原理)。
但互换性较差,非线性严重,测温范围只有-50~300℃左右,大量用于家电和汽车用温度检测和控制。金属热电阻一般适用于200~500℃范围内的温度测量,其特点是测量准确、稳定性好、性能可靠,在程控制中的应用极其广泛。
(4)半导体与金属比较有什么特点扩展阅读:
导体热敏电阻传感器特点:
①灵敏度高,A系数是金属的10~100倍。
②响应速度快。
③非线性大。
④互换性、稳定性差。
分类:负温度系数;正温度系数。
E. 什么才算是半导体和一般金属有啥区别
半导体不是 金属
从物理上定义 就是 禁带 远小于 绝缘体的 材料
或者可以理解为 很容易 让不导电的材料 变成导电的材料
常用的是硅半导体
当然还有金属氧化物 等很多
F. 半导体与金属相比较有什么特点要有写到有什么区别
金属,温度越低,导电性越好;
半导体,温度越高,导电性越好。
G. 金属导体与半导体有什么样的区别
金属导体与半导体的显著差别在于金属的电阻率随着温度的升高而升高,而半导体的电阻率随着温度的升高而降低。
H. 金属和半导体具有不同的电阻-温度特性,它们的主要特征是什么
首先咱们抄得弄清楚有电阻袭的原因,一个原因是晶格振动(晶体总有温度)这样晶格偏离规则的排列(BRAVIAS点阵排列),造成电子的BLOCH波有散射,形成电阻;另一个原因是金属晶体不纯净,有杂质,这样也参与破坏了这个BRAVIAS点阵排列,对BLOCH波有散射. 温度越高,晶格振动越激烈,对点阵的偏离越大,这样对BLOCH波的散射越厉害.这样,电阻率就增大了,随着温度的升高.
1、金属没有禁带,未成对电子全部是自由电子,即载流子浓度是恒定的,当温度升高时,自由电子热运动速度变大,其被晶格散射概率变大,故电阻变大;
2、半导体可分为本征半导体和杂质半导体讨论,对于本征半导体,随着温度的升高,电子浓度和空穴浓度增加幅度大于晶格散射减小幅度,所以电阻减小;而杂质半导体随着温度的升高,刚开始以杂质电离为主,电阻减小;然后等杂质全部电离完,以晶格散射占主要因素(载流子浓度基本不增加),电阻增加;最后以本征半导体载流子增加为主,电阻减小(同本征半导体一样)。
详细的原因,你参考刘恩科的《半导体物理学》吧!
I. 半导体有什么特性
半导体具有特性有:可掺杂性、热敏性、光敏性、负电阻率温度、可整流性。
半导版体材料除了用于制造大规模权集成电路之外,还可以用于功率器件、光电器件、压力传感器、热电制冷等用途;利用微电子的超微细加工技术,还可以制成MEMS(微机械电子系统),应用在电子、医疗领域。
半导体是指导电性能介于导体和绝缘体之间的材料。通过掺入杂质来改变其导电性能,人为控制它导电或者不导电以及导电的容易程度。
(9)半导体与金属比较有什么特点扩展阅读
半导体的四种分类方法
1、按化学成分:分为元素半导体和化合物半导体两大类。锗和硅是最常用的元素半导体;化合物半导体包括第Ⅲ和第Ⅴ族化合物、第Ⅱ和第Ⅵ族化合物、氧化物,以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物组成的固溶体。除上述晶态半导体外,还有非晶态的玻璃半导体、有机半导体等。
2、按制造技术:分为集成电路器件,分立器件、光电半导体、逻辑IC、模拟IC、储存器等大类,一般来说这些还会被分成小类。
3、按应用领域、设计方法分类:按照IC、LSI、VLSI(超大LSI)及其规模进行分类的方法。
4、按所处理的信号:可以分成模拟、数字、模拟数字混成及功能进行分类的方法。
J. 金属和半导体具有不同的电阻-温度特性,它们的主要特征是什么
首先咱们得弄清楚有电阻的原因,一个原因是晶格振动(晶体总有温度)这样晶格偏离规则的排内列容(BRAVIAS点阵排列),造成电子的BLOCH波有散射,形成电阻;另一个原因是金属晶体不纯净,有杂质,这样也参与破坏了这个BRAVIAS点阵排列,对BLOCH波有散射.温度越高,晶格振动越激烈,对点阵的偏离越大,这样对BLOCH波的散射越厉害.这样,电阻率就增大了,随着温度的升高.
1、金属没有禁带,未成对电子全部是自由电子,即载流子浓度是恒定的,当温度升高时,自由电子热运动速度变大,其被晶格散射概率变大,故电阻变大;
2、半导体可分为本征半导体和杂质半导体讨论,对于本征半导体,随着温度的升高,电子浓度和空穴浓度增加幅度大于晶格散射减小幅度,所以电阻减小;而杂质半导体随着温度的升高,刚开始以杂质电离为主,电阻减小;然后等杂质全部电离完,以晶格散射占主要因素(载流子浓度基本不增加),电阻增加;最后以本征半导体载流子增加为主,电阻减小(同本征半导体一样).
详细的原因,你参考刘恩科的《半导体物理学》吧!