大功率半导体元器件有哪些

Ⅰ 什么是功率器件它有那些特性能给个具体点的吗

什么是功率器件？它有那些特性？在电了线路中作为功率方大的部件，电内流(或电压)是原容先的β倍的大信号，承担大电流大电压的放大作用的元件或组件。经过不断的电流及电压放大，就完成了功率放大。
功率器件,列如输出功率比较大的电子元器件,像大音响系统中的输出级功放中的电子元件都属于功率器件,还有电磁炉中的IGBT也是.功率器件有:如大功率晶体管,晶闸管,双向晶闸。
功率放大器通常由3部分组成：前置放大器、驱动放大器、末级功率放大器。末级功率放大器起功率放大的关键作用。它将驱动放大器送来的电流信号形成大功率信号，带动扬声器发声，它的技术指标决定了整个功率放大器的技术指标。

Ⅱ 电路板上常见的电子元器件有哪些

电阻，电容，二级管，稳压管，三极管等等。

（1）电阻是一个物理量，在回物理学中表示导体对电答流阻碍作用的大小。导体的电阻越大，表示导体对电流的阻碍作用越大。不同的导体，电阻一般不同，电阻是导体本身的一种特性。

（2）电容是由两块金属电极之间夹一层绝缘电介质构成。当在两金属电极间加上电压时，电极上就会存储电荷，所以电容器是储能元件。任何两个彼此绝缘又相距很近的导体，组成一个电容器。平行板电容器由电容器的极板和电介质组成 。

（3）二极管，（英语：Diode），电子元件当中，一种具有两个电极的装置，只允许电流由单一方向流过，许多的使用是应用其整流的功能。而变容二极管（Varicap Diode）则用来当作电子式的可调电容器。

（4）稳压二极管（又叫齐纳二极管）是一种硅材料制成的面接触型晶体二极管，简称稳压管。此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件。

（5）三极管是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。

Ⅲ 什么是半导体功率器件

功率半导体器件，嘿嘿，本人的本行。功率半导体器件，以前也被称为电力电子器件，简单来说，就是进行功率处理的，具有处理高电压，大电流能力的半导体器件。给个数量吧，电压处理范围从几十V~几千V，电流能力最高可达几千A。典型的功率处理，包括变频、变压、变流、功率管理等等。
早期的功率半导体器件：大功率二极管、晶闸管等等，主要用于工业和电力系统（正因如此，早期才被称为电力电子器件）
后来，随着以功率MOSFET器件为代表的新型功率半导体器件的迅速发展，现在功率半导体器件已经非常广泛啦， 在计算机、通行、消费电子、汽车电子 为代表的4C行业（computer、communication、consumer electronics、cartronics），功率半导体器件可以说是越来越火，现在不是要节能环保吗，低碳生活，那就需要对能量的处理进行合理的管理，power是啥？通俗的理解不就是功率P=IV 吗，所以就需要对电压电流的运用进行有效的控制，这就与功率器件密不可分！ 功率管理集成电路（Power Management IC，也被称为电源管理IC）已经成为功率半导体器件的热点，发展非常迅速噢！

功率半导体器件，在大多数情况下，是被作为开关使用（switch），开关，简单的说，就是用来控制电流的 通过 和 截断。 那么，一个理想的开关，应该具有两个基本的特性：
1，电流通过的时候，这个理想开关两端的电压降是零
2，电流截断的时候，这个理想开关两端可以承受的电压可以是任意大小，也就是0~无穷大
因此，功率半导体器件的研究和发展，就是围绕着这个目标不断前进的。现在的功率半导体器件，已经具有很好的性能了，在要求的电压电流处理范围内，可以接近一个比较理想的开关。

好了，扯了这么多，举几个功率半导体器件的例子吧，刚才已经说了，功率二极管，晶闸管，还有功率BJT（就是功率双极型晶体管）这些都是第一代产品了，比较老的了，第二代是以功率MOSFET为代表的新型功率半导体器件，如VDMOS、LDMOS，以及IGBT。
VDMOS 即（vertical double-diffusion MOSFET）是纵向器件，多用于分立器件；LDMOS 即（Lateral double-diffusion MOSFET），是横向器件，其三个电极均在硅片表面，易于集成，多用于功率集成电路领域。 IGBT 即 （Insulated Gate Bipolar Transistor 绝缘栅双极型晶体管），可以看作是功率MOS和功率BJT的混合型新器件。 IGBT目前非常火啊，国内才刚刚起步，大量需要IGBT的高技术人才，这个有钱途的。
扯了好多啊，先就这么多吧，要细说的话，可以说一天。希望我的回答对你有帮助，一字一句都是原创，望采纳

Ⅳ 碳化硅大功率器件是什么东西呢

碳化硅的用途十分广泛，工业、军事、高科技方面用得很多，但你说到大功率器件，我估计就是硅碳棒，用于高温炉大功率通电加热，使用温度达1450度。

Ⅳ 大功率电力电子装置常用的功率半导体开关器件有哪些

大功率电力电子装置常用的功率半导体开关有以下器件：
1、晶闸管（可控硅），专它又有属普通晶闸管、双向晶闸管属于半控型（控制导通、自然关断）电力电子器件，门极可关断晶闸管（GTO）属全控型电力电子器件。
2、电力晶体管(GTR)，属于电流控制电流全控型电力电子器件。
3、绝缘栅场效应管(PMOS)，属于电压控制电流全控型电力电子器件。
4、绝缘栅双极晶体管(IGBT)，属于电压控制电流全控型电力电子器件。
认证被拒绝，我也想看看有更好的答案，以弥补交了十多年电力电子课程的遗憾！

Ⅵ 大功率半导体器件封装厂，有哪些做得比较好

这个要看看你想找怎样的，现在半导体器件封装技术发展得比较完善，相关的半导体行业封装厂家也比较多，建议你去一个平台找找看，我推荐大比特电子产品库给你。

Ⅶ 请说出10个以上的电子元器件名称

二极管（晶体管）
三极管
稳压二极管
可控硅（晶闸管）
发光二极管（LCD）
场效应管
集成电路（运放、功放、...）
电容
可变电容
电解电容
微调电容
电阻
保险电阻
压敏电阻
热敏电阻
电位器
电子管
电感器
变压器

Ⅷ 功率半导体是指什么

“power semiconctor device”和“power integrated circuit(简写为power IC或PIC)”直译就是功率半导体器件和功率集成电路。

在国际上与该技术领域对应的最权威的学术会议就叫做International Symposium on Power Semiconctor Devices and ICs，即功率半导体器件和功率集成电路国际会议。

“power”这个词可译为动力、能源、功率等，而在中文里这些词的含义不是完全相同的。由于行业的动态发展，“power”的翻译发生了变化。

从上世纪六七十年代至八十年代初，功率半导体器件主要是可控硅整流器(SCR)、巨型晶体管(GTR)和其后的栅关断晶闸管(GTO)等。它们的主要用途是用于高压输电，以及制造将电网的380V或220V交流电变为各种各样直流电的中大型电源和控制电动机运行的电机调速装置等，这些设备几乎都是与电网相关的强电装置。因此，当时我国把这些器件的总称———power semiconctor devices没有直译为功率半导体器件，而是译为电力电子器件，并将应用这些器件的电路技术power electronics没有译为功率电子学，而是译为电力电子技术。与此同时，与这些器件相应的技术学会为中国电工技术学会所属的电力电子分会，而中国电子学会并没有与之相应的分学会；其制造和应用的行业归口也划归到原第一机械工业部和其后的机械部，这些都是顺理成章的。实际上从直译看，国外并无与电力电子相对应的专业名词，即使日本的“电力”与中文的“电力”也是字型相同而含义有别。此外，当时用普通晶体管集成的小型电源电路———功率集成电路，并不归属于电力电子行业，而是和其他集成电路一起归口到原第四机械工业部和后来的电子工业部。

20世纪80年代以后，功率半导体行业发生了翻天覆地的变化。功率半导体器件变为以功率金属氧化物半导体场效应晶体管(功率MOSFET，常简写为功率MOS)、绝缘栅双极晶体管(IGBT)以及功率集成电路(power IC，常简写为PIC)为主。

这一转变的主要原因是，这些器件或集成电路能在比以前高10倍以上的频率下工作，而电路在高频工作时能更节能、节材，能大幅减少设备体积和重量。尤其是集成度很高的单片片上功率系统(power system on a chip，简写PSOC)，它能把传感器件与电路、信号处理电路、接口电路、功率器件和电路等集成在一个硅芯片上，使其具有按照负载要求精密调节输出和按照过热、过压、过流等情况自我进行保护的智能功能，其优越性不言而喻。国际专家把它的发展喻为第二次电子学革命。

Ⅸ 什么是半导体功率器件

电力电子器件又称为功率半导体器件，主要用于电力设备的电能变换和控制电路方面大功率版的电权子器件。

功率半导体器件通常指电流为数十至数千安，电压为数百伏以上。

功率器件几乎用于所有的电子制造业,包括计算机领域的笔记本、PC、服务器、显示器以及各种外设;网络通信领域的手机、电话以及其它各种终端和局端设备。

(9)大功率半导体元器件有哪些扩展阅读

电力电子器件正沿着大功率化、高频化、集成化的方向发展。

80年代初期出现的 MOS功率场效应晶体管和功率集成电路的工作频率达到兆赫级。集成电路的技术促进了器件的小型化和功能化。这些新成就为发展高频电力电子技术提供了条件，推动电力电子装置朝着智能化、高频化的方向发展。

80年代发展起来的静电感应晶闸管、隔离栅晶体管，以及各种组合器件，综合了晶闸管、 MOS功率场效应晶体管和功率晶体管各自的优点，在性能上又有新的发展。