宽禁带半导体材料是什么

❶ MgO属于宽禁带半导体吗

在半导体工业中,人们习惯地把锗(Ge)、硅(Si)为代表的元素半导体材料专称为第一代半导体材属料,把砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)为代表的化合物半导体材料称为第二代半导体材料,而把氮化镓(GaN) 、碳化硅(SiC)、氧化锌（ZnO）为代表的半导体材料称为第三代半导体材料.由于这些材料的禁带宽度较Si、GaAs等材料更宽,因而它们一般具有更高的击穿电场、热导率、电子饱和速率及更高的抗辐射能力,因而更适合于制作高温、高频及大功率器件, 故称这类材料为宽禁带半导体材料(WBG)（通常指禁带宽度大于2 . 2电子伏特的半导体材料）,也称高温半导体材料。

❷ 宽禁带半导体薄膜可以用来做什么

宽禁带半导体性能远优于第一代的Si 和第二代的GaAs。Si 和GaAs 材料制成半导版体器件由于材料本身的限制已经达到发展权极限，难以满足当今对功率半导体性能的需求。以宽禁带为主要特征的第三代半导体以更高的击穿电厂、更高的热导率、更高的电子饱和漂移速率和更高的抗辐射能力，开始在军事、航空航天、LED 照明等领域崭露头角。http://ic.big-bit.com/

❸ 哪些是宽禁带半导体器件

碳化硅(SIC)和氮化镓(GaN)为代抄表的宽禁带袭半导体材料
SiC电力电子器件主要包括功率整流器(SBD、PiN和JBS等)、单极型功率晶体管(MOSFET、JFET和SIT等)和双极犁载流子功率晶体管(BJT、IGBT和GTO等)。
SiC微波功率晶体管包括SiC MESFET、SiC BJT和SiC SIT等
GaN功率整流器主要包括SBD和PiN二极管
基于GaN的功率开关器件主要包括A1GaN／GaN HEMT(HFET)、GaN MOSFET和MIS—HEMT等结构。

❹ 上海硅酸盐研究所的宽禁带半导体材料这个研究方向好不好啊硕士生就业前景怎么样

因为，它的真体只是一片银焰
我想起在孤单中运行着的星星，
或飘落的叶子
怎么啦，临近我永无尽头的夜晚？
可我们重又入睡
以为墨痕浅的一纸相思哈哈

❺ 什么是宽带隙半导体材料

宽带隙半导体，一般把室温下带隙大于2.0eV的半导体材料归类于宽带隙半专导体，宽带隙半导体在蓝、属紫光和紫外光电子器件，高频、高温、高功率电子器件及场发射器件方面应用广泛。
室温下，Si的带隙为1.1eV，GaAs的带隙为1.43eV，一般把室温下带隙大于2.0eV的半导体材料归类于宽带隙半导体，宽带隙半导体在蓝、紫光和紫外光电子器件，高频、高温、高功率电子器件及场发射器件方面应用广泛。

❻ 宽禁带半导体材料和器件毕业后干什么

去半导体生产厂家或研究所

❼ 第一代、第二代、第三代半导体材料分别是

1.第一代半导体材料主要是指硅（Si）、锗元素（Ge）半导体材料。作为第一代半导体材料的锗和硅，在国际信息产业技术中的各类分立器件和应用极为普遍的集成电路、电子信息网络工程、电脑、手机、电视、航空航天、各类军事工程和迅速发展的新能源、硅光伏产业中都得到了极为广泛的应用，硅芯片在人类社会的每一个角落无不闪烁着它的光辉。

2.第二代半导体材料主要是指化合物半导体材料，如砷化镓（GaAs）、锑化铟（InSb）；三元化合物半导体，如GaAsAl、GaAsP；还有一些固溶体半导体，如Ge-Si、GaAs-GaP；玻璃半导体（又称非晶态半导体），如非晶硅、玻璃态氧化物半导体；有机半导体，如酞菁、酞菁铜、聚丙烯腈等。

3.第三代半导体材料主要以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）、金刚石、氮化铝（AlN）为代表的宽禁带半导体材料。在应用方面，根据第三代半导体的发展情况，其主要应用为半导体照明、电力电子器件、激光器和探测器、以及其他4个领域，每个领域产业成熟度各不相同。在前沿研究领域，宽禁带半导体还处于实验室研发阶段。

(7)宽禁带半导体材料是什么扩展阅读

Si和化合物半导体是两种互补的材料，化合物的某些性能优点弥补了Si晶体的缺点，而Si晶体的生产工艺又明显的有不可取代的优势，且两者在应用领域都有一定的局限性，因此在半导体的应用上常常采用兼容手段将这二者兼容，取各自的优点，从而生产出符合更高要求的产品，如高可靠、高速度的国防军事产品。因此第一、二代是一种长期共同的状态。

但是第三代宽禁带半导体材料，可以被广泛应用在各个领域，消费电子、照明、新能源汽车、导弹、卫星等，且具备众多的优良性能可突破第一、二代半导体材料的发展瓶颈，故被市场看好的同时，随着技术的发展有望全面取代第一、二代半导体材料。

参考资料网络——半导体材料

❽ 什么是直接带隙宽禁带半导体

倒带极小值，价带极大值对应于相同的波矢，是直接带隙半导体，那宽禁带就是禁带很宽的直接带隙半导体