半导体的容量怎么算

1. 容量怎么算

容积：是指容器所能容纳物体的体积。
单位：固体的容积单位与体积单位相同，而液体和气体的容积单位一般用升、毫升。
计算方法同体积。如：
V长方体=abc（长× 宽× 高)
V正方体=a^3(棱长× 棱长× 棱长）
V圆柱=sh
V圆锥=1/3sh
等等。

2. 10KV配电如何根据已知变压器容量来计算熔断器高压熔丝

变压器额定电流I=P/√3U，如100kVA，I=100/(√3×10)=5.77A。

100kVA以下的变压器，按额定电流的2～3倍，且不应小于10A（考虑机械强度）。

100kVA及以上的变压器，按额定电流的1.5～2倍。

熔断器是根据电流超过规定值一段时间后，以其自身产生的热量使熔体熔化，从而使电路断开；运用这种原理制成的一种电流保护器。

熔体上的上端盖有一熔断指示器，一旦熔体熔断，指示器马上弹出，可透过瓷帽上的玻璃孔观察到，它常用于机床电气控制设备中。螺旋式熔断器。分断电流较大，可用于电压等级500V及其以下、电流等级200A以下的电路中，作短路保护。

(2)半导体的容量怎么算扩展阅读：

在变压器铭牌上规定的容量就是额定容量，它是指分接开关位于主分接，是额定空载电压、额定电流与相应的相系数的乘积。对三相变压器而言，额定容量等于=3×额定相电压×相电流，额定容量一般以kVA或MVA表示。

由于半导体元件的过载能力很低。只能在极短时间内承受较大的过载电流，因此要求短路保护具有快速熔断的能力。快速熔断器的结构和有填料封闭式熔断器基本相同，但熔体材料和形状不同，它是以银片冲制的有V形深槽的变截面熔体。

将熔体装在由固体产气材料制成的绝缘管内。固体产气材料可采用电工反白纸板或有机玻璃材料等。当短路电流通过熔体时，熔体随即熔断产生电弧，高温电弧使固体产气材料迅速分解产生大量高压气体，从而将电离的气体带电弧在管子两端喷出，发出极大的声光，并在交流电流过零时熄灭电弧而分断电流。

绝缘管通常装在一个绝缘支架上，组成熔断器整体。有时绝缘管上端做成可活动式，在分断电流后随即脱开而跌落，此种喷射式熔断器俗称跌落熔断器。一般适用于电压高于6千伏的户外场合。

3. 容量怎么计算

蓄电池容量的计算方法
蓄电池的容量必须是以所定的电压、所定的时间可向负载提供的容量。
以下就容量计算方法进行说明。
1、 计算容量的必要条件
A、 放电电流
有必要明确放电过程中负载电流的增减变化和其随时间变化情况。
B、 放电时间
可预期的负载的最大时间。
C、 最低蓄电池温度
预先推定蓄电池放置场所的温度条件，决定蓄电池温度最低值。一般设置在室内时为50C，设置在特别寒冷地区室内时为-50C。用空调保证室内温度时按实际温度作为最低温度。
D、 允许的最低电压
单格允许的最低电压（V/单格）=（负载所允许的最低电压+导线的电压损失）/串联格数
2、 容量的计算公式
C= 1*[K1I1+K2（I2-I1）、、、KN（IN-IN-1）]/L
C：250C的额定放电率换算容量（AH）、、UXL电池是10HR容量。
L：对因维护系数、使用年数、使用条件的变化而引起的容量变化而使用
的修正值。一般L值采用0.8。
K：由放电时间T、电池的最低使用温度、允许的最低电压而决定的容量
换算时间。
I： 放电电流
下标1、2、、、、N：按放电电流变化顺序依次加给T、K、I
3、 容量的计算举例
A、 放电电流 140A（一定）
B、 放电时间 30分
C、 最低蓄电池温度 -550C
D、 允许的最低电压 1.6V/单格
按上述条件，从图-11得出K=1.1
C= 1 X1.1X140=192（AH/10HR）/0.8
所以，可使用UXL220-2。

4. 芯片存储容量计算

芯片容量=2的地址线位数次方 乘以 数据线位数

比如地址线8位，数据线4位 芯片容量就是2的8次方乘以4=1024位

5. 电容量怎么算

电容器补偿容量的大小，取决于电力负荷的大小和功率因数的高低。
补偿容量计算：Q=P(tgφ1-tgφ2)
Q为补偿容量，千乏；
P为平均有功负荷，千瓦；
tgφ1补偿前功率因数的正切值；
tgφ2补偿后功率因数的正切值；
例： 某用户的有功负荷为150千瓦，补偿前功率因数为0.6，现想将功率因数提高到0.88，试计算需要装设多大补偿容量的电容器？
解：查三角函数得：当cosφ=0.6时，tgφ=1.33；cosφ=0.88时，tgφ=0.53。
代入公式得
Q=150×(1.33-0.53)=150×0.8=120千乏
因此需要装设补偿容量为120千乏的电容器

6. 芯片存储容量怎么算

是1000进制，一般计算机用的是1024进制，所以存储容量越大算出来的相差的越多……

7. 容量怎么计算

1k=1024b
1m=1024k
1g=1024m
1t=1024g

8. 如图1所示，请回答以下问题：通常半导体存储器芯片的存储容量如何表示图中存储器芯片的容量是多少

用字数位数表示，以位为单位。也可以用字节数表示容量。
8位数据总线，所以用字节表示比较方便。12位地址总线=2^12=4K
地址范围：0x000 ~0x3FF
所以存储容量为4K字节。
双译码方式，适用于存储容量较大、存储单元较多的情况下。

9. 半导体ND如何计算.......... '............................

问题一
首先掺杂后的半导体中一共有四种带点体，
带正电荷的有：1.失去一个电子内后带正电容的磷原子，即正电中心，2.正电空穴。
所以正电荷浓度为：ND+P
带负电荷的有：1.得到一个电子后带负电荷的彭原子，即负电中心，2.负电子。
所以负电荷浓度为：NA+N
楼主给的公式等价于：ND + P = NA + N
即整个半导体内部的正电荷浓度等于负电荷浓度，所以电中性。
问题二
至于NP=Ni^2,这个问题涉及到半导体内部电子，空穴浓度计算公式和费米能级的问题，需要经过一定推到，由于公式不太好些，我就不写了，楼主可查看国防工业出版社刘恩科写的《半导体物理学》第63页面，推到不难，楼主自己看看吧！
望有助于楼主！