半导体制造中为什么铝连线里掺杂硅

Ⅰ 在制作半导体时，为什么先将导电性能介于导体与绝缘体之间的硅和锗制

我觉得是因为这样才能保证其单向导电性吧（pn结具有单向导电性）

Ⅱ 为什么处理器半导体硅制成后才掺杂，不是在制作硅晶时

一般情况下，复在硅元器件的生产工制艺中，通过对硅片的扩散掺杂或外延进行严格控制（形成P区或N区），以达到器件所需的要求。这一步很难在制作硅晶时做到，因为这时的掺杂浓度和均匀性都很难准确控制。
所以，在制作硅晶时，如果不考虑成本的话，使硅晶越纯净越好。

Ⅲ 半导体制造技术有点不明白：为什么要做外延层离子注入掺杂时，比如说硼离子掺杂，那么发射的是硼离子还

1。外延生长的单晶硅质量比bulk silicon高，生产出来的transistor质量高，

2。发射的是硼离子, 掺杂完硅片接地电子就补充进来了，这样就电中性了。

Ⅳ 硅片为什么不用铝掺杂

因为不适合的呀

Ⅳ 集成电路的电子器件为什么要集成在硅片上

首先，一般的电路中的绝缘体，只是一个载体，它起到支撑和绝缘的作用。而对于集成电路来讲，最底下的一层叫衬底（一般为P型半导体），是参与集成电路工作的。拿cmos工艺来讲，所以Nmos的衬底都是连在一起的，都是同一个衬底。
再形象一点，就是，集成电路是一些电子元器件加连线构成，没有绝缘体充当绝缘和支撑。它通过加反偏和其他的技术来实现隔离。
而对于为什么用硅，便宜不是用他的原因，因为它的半导体性质，才利用它。通过不同的掺杂形成P型和N型，一个多空穴，一个多电子，从而作用。GaAs贵，但是性能也好，多用于高速电路和军工方面。
集成电路（integrated circuit）是一种微型电子器件或部件。采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构；其中所有元件在结构上已组成一个整体，使电子元件向着微小型化、低功耗、智能化和高可靠性方面迈进了一大步。它在电路中用字母“IC”表示。集成电路发明者为杰克·基尔比（基于锗（Ge）的集成电路）和罗伯特·诺伊思（基于硅（Si）的集成电路）。当今半导体工业大多数应用的是基于硅的集成电路。
是20世纪50年代后期一60年代发展起来的一种新型半导体器件。它是经过氧化、光刻、扩散、外延、蒸铝等半导体制造工艺，把构成具有一定功能的电路所需的半导体、电阻、电容等元件及它们之间的连接导线全部集成在一小块硅片上，然后焊接封装在一个管壳内的电子器件。其封装外壳有圆壳式、扁平式或双列直插式等多种形式。集成电路技术包括芯片制造技术与设计技术，主要体现在加工设备，加工工艺，封装测试，批量生产及设计创新的能力上。

Ⅵ 介绍下半导体的掺杂问题

杂质半导体： 通过扩散工艺，在本征半导体中掺入少量合适的杂质元素，可得到杂质半导体。
P型半导体的导电特性：掺入的杂质越多，多子（空穴）的浓度就越高，导电性能也就越强。
结论：
多子的浓度决定于杂质浓度。
少子的浓度决定于温度。
PN结的形成：将P型半导体与N型半导体制作在同一块硅片上，在它们的交界面就形成PN结。
PN结的特点：具有单向导电性。
半导体杂质 半导体中的杂质对电阻率的影响非常大。半导体中掺入微量杂质时，杂质原子附近的周期势场受到干扰并形成附加的束缚状态，在禁带中产加的杂质能级。例如四价元素锗或硅晶体中掺入五价元素磷、砷、锑等杂质原子时，杂质原子作为晶格的一分子，其五个价电子中有四个与周围的锗（或硅）原子形成共价结合，多余的一个电子被束缚于杂质原子附近，产生类氢能级。杂质能级位于禁带上方靠近导带底附近。杂质能级上的电子很易激发到导带成为电子载流子。这种能提供电子载流子的杂质称为施主，相应能级称为施主能级。施主能级上的电子跃迁到导带所需能量比从价带激发到导带所需能量小得多（图2）。在锗或硅晶体中掺入微量三价元素硼、铝、镓等杂质原子时，杂质原子与周围四个锗（或硅）原子形成共价结合时尚缺少一个电子，因而存在一个空位，与此空位相应的能量状态就是杂质能级，通常位于禁带下方靠近价带处。价带中的电子很易激发到杂质能级上填补这个空位，使杂质原子成为负离子。价带中由于缺少一个电子而形成一个空穴载流子（图3）。这种能提供空穴的杂质称为受主杂质。存在受主杂质时，在价带中形成一个空穴载流子所需能量比本征半导体情形要小得多。半导体掺杂后其电阻率大大下降。加热或光照产生的热激发或光激发都会使自由载流子数增加而导致电阻率减小，半导体热敏电阻和光敏电阻就是根据此原理制成的。对掺入施主杂质的半导体，导电载流子主要是导带中的电子，属电子型导电，称N型半导体。掺入受主杂质的半导体属空穴型导电，称P型半导体。半导体在任何温度下都能产生电子-空穴对，故N型半导体中可存在少量导电空穴，P型半导体中可存在少量导电电子，它们均称为少数载流子。在半导体器件的各种效应中，少数载流子常扮演重要角色。
半导体掺杂
半导体之所以能广泛应用在今日的数位世界中，凭借的就是其能借由在其晶格中植入杂质改变其电性，这个过程称之为掺杂（doping）。掺杂进入本质半导体（intrinsic semiconctor）的杂质浓度与极性皆会对半导体的导电特性产生很大的影响。而掺杂过的半导体则称为外质半导体（extrinsic semiconctor）。
半导体掺杂物
哪种材料适合作为某种半导体材料的掺杂物（dopant）需视两者的原子特性而定。一般而言，掺杂物依照其带给被掺杂材料的电荷正负被区分为施体（donor）与受体（acceptor）。施体原子带来的价电子（valence electrons）大多会与被掺杂的材料原子产生共价键，进而被束缚。而没有和被掺杂材料原子产生共价键的电子则会被施体原子微弱地束缚住，这个电子又称为施体电子。和本质半导体的价电子比起来，施体电子跃迁至传导带所需的能量较低，比较容易在半导体材料的晶格中移动，产生电流。虽然施体电子获得能量会跃迁至传导带，但并不会和本质半导体一样留下一个电洞，施体原子在失去了电子后只会固定在半导体材料的晶格中。因此这种因为掺杂而获得多余电子提供传导的半导体称为n型半导体（n-type semiconctor），n代表带负电荷的电子。
和施体相对的，受体原子进入半导体晶格后，因为其价电子数目比半导体原子的价电子数量少，等效上会带来一个的空位，这个多出的空位即可视为电洞。受体掺杂后的半导体称为p型半导体（p-type semiconctor），p代表带正电荷的电洞。
以一个硅的本质半导体来说明掺杂的影响。硅有四个价电子，常用于硅的掺杂物有三价与五价的元素。当只有三个价电子的三价元素如硼（boron）掺杂至硅半导体中时，硼扮演的即是受体的角色，掺杂了硼的硅半导体就是p型半导体。反过来说，如果五价元素如磷（phosphorus）掺杂至硅半导体时，磷扮演施体的角色，掺杂磷的硅半导体成为n型半导体。
一个半导体材料有可能先后掺杂施体与受体，而如何决定此外质半导体为n型或p型必须视掺杂后的半导体中，受体带来的电洞浓度较高或是施体带来的电子浓度较高，亦即何者为此外质半导体的“多数载子”（majority carrier）。和多数载子相对的是少数载子（minority carrier）。对于半导体元件的操作原理分析而言，少数载子在半导体中的行为有着非常重要的地位。

Ⅶ 铝合金里为什么加入金属硅

不仅仅可以耐高温，还可以耐腐蚀

Ⅷ 为什么半导体中能够掺杂

半导体是导体和绝缘体之间
所以半导体搀杂是不影响正常的使用的
有些半导体工艺就是靠导体搀杂做出来的
当然了做工很精细的

Ⅸ 为什么半导体中掺入杂质会在禁带中引入杂质能级

半导体中掺入微量杂质时,杂质原子附近的周期势场受到干扰并形成附加的束缚状态,在禁带中产加的杂质能级.
杂质能级位于禁带上方靠近导带底附近.杂质能级上的电子很易激发到导带成为电子载流子.这种能提供电子载流子的杂质称为施主,相应能级称为施主能级.施主能级上的电子跃迁到导带所需能量比从价带激发到导带所需能量小得多.在锗或硅晶体中掺入微量三价元素硼、铝、镓等杂质原子时,杂质原子与周围四个锗（或硅）原子形成共价结合时尚缺少一个电子,因而存在一个空位,与此空位相应的能量状态就是杂质能级,通常位于禁带下方靠近价带处.价带中的电子很易激发到杂质能级上填补这个空位,使杂质原子成为负离子.价带中由于缺少一个电子而形成一个空穴载流子.这种能提供空穴的杂质称为受主杂质.存在受主杂质时,在价带中形成一个空穴载流子所需能量比本征半导体情形要小得多.半导体掺杂后其电阻率大大下降.加热或光照产生的热激发或光激发都会使自由载流子数增加而导致电阻率减小,半导体热敏电阻和光敏电阻就是根据此原理制成的.对掺入施主杂质的半导体,导电载流子主要是导带中的电子,属电子型导电,称N型半导体.掺入受主杂质的半导体属空穴型导电,称P型半导体.半导体在任何温度下都能产生电子-空穴对,故N型半导体中可存在少量导电空穴,P型半导体中可存在少量导电电子,它们均称为少数载流子.在半导体器件的各种效应中,少数载流子常扮演重要角色.http://www.big-bit.com/

Ⅹ 集成电路为什么可以刻在硅片上

集成电路基本单元为半导体电阻，二极管，三极管组成。制作这些元器件，是根据计算专机设计出的版图属，在硅片上注入正离子或负离子。方法是在硅片涂满一层保护膜，让后通过光刻方式将需注入离子部分的保护膜去掉，然后像硅片注入离子，无保护膜部分被注入离子，形成P结（沟）或N结（沟），然后类似的方法制作其他布分。集成电路的导线，一般是电路连接的最后一道工序。同样用光刻，将需要布线的不部分裸漏出来，然后给硅片蒸铝，去掉保护膜后，原来裸漏布分被直接到硅片上的铝保留下来，形成导线。或者像PCB制作，先大面积蒸铝，然后涂保护膜，光刻，然后将不需要的部分票洗掉，形成导线。