p型和n型半导体的多数载流子分别是什么

『壹』 什么是P型半导体和N型半导体都有哪些性质呢

P型半导体
多数载流子为空穴的半导体。
型半导体中，空穴为多子，自由电子为少子，主要靠空穴导电。由于P型半导体中正电荷量与负电荷量相等，故P型半导体呈电中性。空穴主要由杂质原子提供，自由电子由热激发形成。掺入的杂质越多，多子（空穴）的浓度就越高，导电性能就越强。
N型半导体
多数载流子为电子的半导体
也称为电子型半导体。N型半导体即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体。
在纯净的硅晶体中掺入Ⅴ族元素（如磷、砷、锑等），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半导体。这类杂质提供了带负电（Negative）的电子载流子，称他们为施主杂质或n型杂质。在N型半导体中，自由电子为多子，空穴为少子，主要靠自由电子导电，由于N型半导体中正电荷量与负电荷量相等，故N型半导体呈电中性。自由电子主要由杂质原子提供，空穴由热激发形成。掺入的杂质越多，多子（自由电子）的浓度就越高，导电性能就越强。

『贰』 本征半导体,p型半导体和n型半导体内部载流子情况的异同

征半导体，纯净的半导体内部电子载流子和空穴载流子浓度相等。
p型半内导体，本征半导体掺入三容价元素组成，内部空穴是多数载流子，电子是少数载流子。
n型半导体，本征半导体掺入五价元素组成，内部电子是多数载流子，空穴是少数载流子。

『叁』 N型半导体的多数载流子和少数载流子是什么

N型半导体的多数载流子是自由电子，少数载流子是空穴。
因为N型半导体回是在本征半导体中参入了5价元素的答杂质砷(As)，每个砷(As)原子有一个价电子不参与共价键，这个过剩的价电子能很容易逃脱原子的束缚而自由移动。这种由杂质提供的价电子就成为N型半导体的多数载流子。

『肆』 N型半导体和P型半导体中的多子和少子分别是什么 分别依靠哪种载流子导电

N型半导体的多子是电子,少子是空穴
P型半导体的多子是空穴,少子是电子

『伍』 P型杂质半导体中，多数载流子是什么

空穴。

『陆』 简述N型半导体与P型半导体的形成过程并指出多子与少子各是什么

在半来导体材料硅或锗晶体中掺入源三价元素杂质可构成缺壳粒的P型半导体，掺入五价元素杂质可构成多余壳粒的N形半导体。 （ 两种半导体接触在一起的点或面构成PN结，在接触点或面上N型半导体多余壳粒趋向P型半导体，并形成阻挡层或接触电位差。当P型接正极，N型接负极，N型半导体多余壳粒和PN结上壳粒易往正移动，且阻挡层变薄接触电位差变小，即电阻变小，可形成较大电流；反之当P型接负极，N型接正极，因为P半导体缺壳粒，热运动也难分离出壳粒往正极运动，且阻挡层变厚接触电位差变大，电阻变大，形成较小电流，即具有单向通过电流属性。 ）

多子与少子是相对概念。
如：在N型半导体中自由电子是多数载流子，简称为“多子”；空穴为小数载流子，称为“少子”。而在P型中则相反。
----考试的话，答概念就可以了，具体的作用过程你就不用记了。

『柒』 n型半导体和p型半导体中的多数载流子和少数的载流子是怎样产生的它的数量各由什么因数控制（那个大

以n型半导体为例，其中的多数载流子电子是由于在半导体中掺杂N型杂质（专例如磷、砷、锑等）产生的。掺属入的杂质越多，多子（自由电子）的浓度就越高，导电性能就越强。由于N型半导体中正电荷量与负电荷量相等，故N型半导体呈电中性。自由电子（多子）主要由杂质原子提供，空穴（少子）由热激发形成。p型半导体刚好相反。

『捌』 N型半导体的多数载流子是电子，而P型半导体是空穴。所以说N型半导体带负电，P型带正电，对吗

不对，载流子指可移动的电荷，半导体内还有不可移动的电荷，比如带正电的原子核，这样就能与N型半导体的多数载流子是电子平衡，维持电中性条件了

还有空穴是一个概念性的东西，实际是不存在的。

『玖』 如何理解P型半导体和N型半导体中的多数载流子，物质不是电中性的吗

金属是导电的，但是在没有外加电场的情况下是电中性的，这是因为载流子内能够导体容和半导体中自由移动，而没有外加电场是不会移动的，因此无外加电场的情况下半导体是电中性的。
p型半导体由于硼与Si之间少一个成键电子，Si会有个悬挂键，这就像一个电子空位，电子会填充这个空位，而电子填充的作用可以等效为空位在半导体中的移动。当外电路提供电子时，半导体p型掺杂越大，半导体内空位越多，电子填充作用越明显，等效为空穴电流就越大。关于空穴导电的问题我在另一个回答中也有说明，你可以看看。http://..com/question/1046379319820072659.html?oldq=1