本征半导体的电子是由什么产生的

A. 本征半导体与参杂半导体有什么不同

本征半导体费米能级位于导带底和价带顶之间的中线上，导带中的自由电子和价回带中的空穴均很少，答因此常温下导电能力低，但在光和热的激励下导电能力增强。

n型掺杂半导体的费米能级接近导带底，导带中的自由电子数高于本征半导体，导电能力随掺杂浓度提高而增强，属于电子导电为主的半导体。

p型掺杂半导体的费米能级接近价带顶，价带中的空穴数高于本征半导体，导电能力随掺杂浓度提高而增强，属于空穴导电为主的半导体。

B. n型半导体是在本征半导体中掺入什么形成的

1、N型半导体是复在本征半导体中制加入以下物质后形成的（ D ）
A 电子 B 空穴 C 三价硼元素 D 五价磷元素
N：negative（负）的简称.N型半导体是加入了5价元素,使得半导体中的多子为电子,带负电,所以N型半导体由此而来
2、晶体三极管用于放大时,应使发射结、集电结处于（ A ）
A 发射结正偏、集电结反偏
B 发射结正偏、集电结正偏
C 发射结反偏、集电结正偏
D 发射结反偏、集电结反偏
3、某放大电路中,测得三极管的三个极静态电位分别为5V,1.3V, 1V, 则这只三极管是（ B ）
A.NPN型的硅管 B.NPN型的锗管 C.PNP型的硅管 D.PNP型的锗管
假定该管子为NPN型,由于是放大电路,那么就是Ue

C. 本征半导体是什么

没有掺杂且无晶格缺陷的纯净半导体称为本征半导体。更通俗地讲，完全纯净的半导体称为本征半导体或I型半导体。硅和锗都是四价元素，其原子核最外层有四个价电子。它们都是由同一种原子构成的“单晶体”，属于本征半导体。
在绝对零度温度下，半导体的价带（valence band）是满带（见能带理论），受到光电注入或热激发后，价带中的部分电子会越过禁带（forbidden band/band gap）进入能量较高的空带，空带中存在电子后成为导带（conction band），价带中缺少一个电子后形成一个带正电的空位，称为空穴（hole），导带中的电子和价带中的空穴合称为电子－空穴对。上述产生的电子和空穴均能自由移动，成为自由载流子（free carrier），它们在外电场作用下产生定向运动而形成宏观电流，分别称为电子导电和空穴导电。这种由于电子－空穴对的产生而形成的混合型导电称为本征导电。导带中的电子会落入空穴，使电子－空穴对消失，称为复合（recombination）。复合时产生的能量以电磁辐射（发射光子photon）或晶格热振动（发射声子phonon）的形式释放。在一定温度下，电子－空穴对的产生和复合同时存在并达到动态平衡，此时本征半导体具有一定的载流子浓度，从而具有一定的电导率。加热或光照会使半导体发生热激发或光激发，从而产生更多的电子－空穴对，这时载流子浓度增加，电导率增加。半导体热敏电阻和光敏电阻等半导体器件就是根据此原理制成的。常温下本征半导体的电导率较小，载流子浓度对温度变化敏感，所以很难对半导体特性进行控制，因此实际应用不多。
本征半导体特点：电子浓度＝空穴浓度
缺点：载流子少，导电性差，温度稳定性差！

D. 什么是本征半导体

本征半导体

完全纯净的半导体称为本征半导体或I型半导体。硅和锗都是四价元素，其原子核最外层有四个价电子。它们都是由同一种原子构成的“单晶体”，属于本征半导体。

1．半导体中的两种载流子—自由电子和空穴

在热力学温度零度和没有外界能量激发时，价电子受共价键的束缚，晶体中不存在自由运动的电子，半导体是不能导电的。但是，当半导体的温度升高（例如室温300oK）或受到光照等外界因素的影响，某些共价键中的价电子获得了足够的能量，足以挣脱共价键的束缚，跃迁到导带，成为自由电子，同时在共价键中留下相同数量的空穴，如图2—3（a）所示。空穴是半导体中特有的一种粒子。它带正电，与电子的电荷量相同。把热激发产生的这种跃迁过程称为本征激发。显然，本征激发所产生的自由电子和空穴数目是相同的。
由于空穴的存在，临近共价键中的价电子很容易跳过去填补这个空穴，从而使空穴转移到临近的共价键中去，而后，新的空穴又被其相邻的价电子填补，这一过程持续下去，就相当于空穴在运动。带负电荷的价电子依次填补空穴的运动与带正电荷的粒子作反方向运动的效果相同，因此我们把空穴视为带正电荷的粒子。可见，半导体中存在两种载流子，即带电荷+q的空穴和带电荷–q的自由电子。
在没有外加电场作用时，载流子的运动是无规则的，没有定向运动，所以形不成电流。在外加电场作用下，自由电子将产生逆电场方向的运动，形成电子电流，同时价电子也将逆电场方向依次填补空穴，其导电作用就像空穴沿电场运动一样，形成空穴电流。虽然在同样的电场作用下，电子和空穴的运动方向相反，但由于电子和空穴所带电荷相反，因而形成的电流是相加的，即顺着电场方向形成电子和空穴两种漂移电流。

E. 本征半导体内部产生电子空穴数量是

给我加分啊，朋友，加了给你解释啊，呵呵

F. 什么是本征半导体

本征半导体是一种理想的状态
定义为：完全没有掺杂并且没有缺陷的纯净的半导版体称为本证半权导体
这种半导体在实际中是难以达到的，纯净度方面，杂质是很难避免的，无论再怎么样提纯也都只能增加99.999%小数点后面的9，缺陷方面，在材料形成的过程中，无论是点缺陷，线缺陷，面缺陷还是体缺陷，都会或多或少存在于晶格结构之内。

G. 半导体的原理是什么

原理：

在极低温度下，半导体的价带是满带（见能带理论），受到热激发后，价带中的部分电子会越过禁带进入能量较高的空带，空带中存在电子后成为导带，价带中缺少一个电子后形成一个带正电的空位，称为空穴。空穴导电并不是实际运动，而是一种等效。

电子导电时等电量的空穴会沿其反方向运动。它们在外电场作用下产生定向运动而形成宏观电流，分别称为电子导电和空穴导电。这种由于电子-空穴对的产生而形成的混合型导电称为本征导电。导带中的电子会落入空穴，电子-空穴对消失，称为复合。

复合时释放出的能量变成电磁辐射（发光）或晶格的热振动能量（发热）。在一定温度下，电子- 空穴对的产生和复合同时存在并达到动态平衡，此时半导体具有一定的载流子密度，从而具有一定的电阻率。温度升高时，将产生更多的电子- 空穴对，载流子密度增加，电阻率减小。

(7)本征半导体的电子是由什么产生的扩展阅读：

半导体的应用

一、在无线电收音机（Radio）及电视机（Television）中，作为“讯号放大器/整流器”用。

二、发展「太阳能（Solar Power）」，也用在「光电池（Solar Cell）」中。

三、半导体可以用来测量温度，测温范围可以达到生产、生活、医疗卫生、科研教学等应用的70%的领域，有较高的准确度和稳定性，分辨率可达0.1℃，甚至达到0.01℃也不是不可能，线性度0.2%，测温范围-100~+300℃，是性价比极高的一种测温元件。

四、半导体致冷器的发展, 它也叫热电致冷器或温差致冷器, 它采用了帕尔贴效应。

H. 什么是本征半导体

本征导电
在绝对零度温度下，半导体的价带（valence band）是满带（见能带理论）

，受到光电注入或热激发后，价带中的部分电子会越过禁带（forbidden band/band gap）进入能量较高的空带，空带中存在电子后成为导带（conction band），价带中缺少一个电子后形成一个带正电的空位，称为空穴（hole），导带中的电子和价带中的空穴合称为电子－空穴对。上述产生的电子和空穴均能自由移动，成为自由载流子（free carrier），它们在外电场作用下产生定向运动而形成宏观电流，分别称为电子导电和空穴导电。在本征半导体中，这两种载流子的浓度是相等的。随着温度的升高，其浓度基本上是按指数规律增长的。
复合
导带中的电子会落入空穴，使电子－空穴对消失，称为复合（recombination）。复合时产生的能量以电磁辐射（发射光子photon）或晶格热振动（发射声子phonon）的形式释放。在一定温度下，电子－空穴对的产生和复合同时存在并达到动态平衡，此时本征半导体具有一定的载流子浓度，从而具有一定的电导率。加热或光照会使半导体发生热激发或光激发，从而产生更多的电子－空穴对，这时载流子浓度增加，电导率增加。半导体热敏电阻和光敏电阻等半导体器件就是根据此原理制成的。常温下本征半导体的电导率较小，载流子浓度对温度变化敏感，所以很难对半导体特性进行控制，因此实际应用不多。
特点
本征半导体特点：电子浓度=空穴浓度（掺杂的半导体，在一定条件下（例如高温下）也可以具有本征半导体特点。）
缺点
缺点：载流子少，导电性差，温度稳定性差！

I. 本征半导体中的自由电子和空穴总是成对消失的 是否正确

正确 ，在本征半导体中，这两种载流子是相等的，动态平衡。

J. 本征半导体中的电子空穴为什么成对产生

既然是本征半导体，那么内部就是载流子平衡的。不带有任何正负电。电子和空穴专个数是相等属的。
在实际中，是不存在空穴的，空穴产生的原因是由于该处的电子脱离该位置，相当于该处缺少一个电子，为了便于分析，我们就认为该处是空穴。形象的说 就是一个萝卜一个坑，萝卜是电子，坑就是空穴。所以电子脱离原子束缚成为自由电子后，就产生一个空穴，因此是成对出现的。