半导体导带与价带怎么计算
⑴ 求一些化合物半导体的能带参数：CuS,CdS的价带导带具体多少电子伏特，可以发能带图。
这种半导体都是一种空间结果，化学式是最简单的缩写，不能反应该物质的本质的，所以谈不上化学价！
⑵ 导带的导带与价带的关系
对于未掺杂的本征半导体，导带中的电子是由它下面的一个能带（即价带）中的电子（价内电子）跃迁上来容而形成的，这种产生电子（同时也产生空穴——半导体的另外一种载流子）的过程，称为本征激发。在本征激发过程中，电子和空穴是成对产生的，则总是有“电子浓度=空穴浓度”。这实际上就是本征半导体的特征，因此可以说，凡是两种载流子浓度相等的半导体，就是本征半导体。这就意味着，不仅未掺杂的半导体是本征半导体，就是掺杂的半导体，在一定条件下（例如高温下）也可以转变为本征半导体。
价带的能量低于导带，它也是由许多准连续的能级组成的。但是价带中的许多电子（价电子）并不能导电，而少量的价电子空位——空穴才能导电，故称空穴是载流子。空穴的最低能量——势能，也就是价带顶，通常空穴就处于价带顶附近。
价带顶与导带底之间的能量差，就是所谓半导体的禁带宽度。这就是产生本征激发所需要的最小平均能量。这是半导体最重要的一个特征参量。
对于掺杂半导体，电子和空穴大多数是由杂质来提供的。能够提供电子的杂质称为施主；能够提供空穴的杂质称为受主。施主的能级处在靠近导带底的禁带中；受主的能级处在靠近价带顶的禁带中。
⑶ 如何测量半导体纳米材料的价带与导带
测量禁带宽度
方法 1：利用紫外可见漫反射测量中的吸光度与波长数据作图，利用截线法做出吸收波长阈值 λg(nm)，利用公式 Eg=1240/λg (eV) 计算禁带宽度。
方法 2：利用 (Ahν)2 对 hν 做图，利用直线部分外推至横坐标交点，即为禁带宽度值。也可利用(Ahν)0.5对 hν 做图，利用直线部分外推至横坐标交点，即为禁带宽度值。前者为间接半导体禁带宽度值，后者为直接半导体禁带宽度值。 A (Absorbance) 即为紫外可见漫反射中的吸光度。
方法 3：利用 (αhν)2 对 hν 做图，利用直线部分外推至横坐标交点，即为禁带宽度值。也可利用(αhν)0.5对 hν 做图，利用直线部分外推至横坐标交点，即为禁带宽度值。前者为间接半导体禁带宽度值，后者为直接半导体禁带宽度值。 α (Absorption Coefficient ) 即为紫外可见漫反射中的吸收系数。α 与 A 成正比。
一般有两种方法：
1、紫外-可见光谱测量材料的吸收边和带隙；
网络资料有很多。
2、电化学方法（循环伏安法）测定带隙、HOMO/LUMO能级；
Ref：Adv. Mater. 2011, 23, 2367–2371
http://www.big-bit.com/news/
⑷ 半导体中的价电子占有的能带是价带还是导带
又是你啊．
应该是价带吧,由于原子在紧密结合的时候,分裂的能级由专于轨道重叠,形成能带.而价属电子是半导体原子与周围原子形成公价键时出现的.一般说,半导体导带是空的,不象金属是半满的.费米能级在禁带中,导带中电子出现的概率极低.
应该这样吧.
你是学电子的吗?
⑸ 急求一些化合物半导体的导带和价带能级，比如ZnSe，CdSe，ZnS之类的
有一半书名好像是“新型半导体材料数据手册”，翻译的书籍，可以去找一找看。
⑹ 请问半导体材料里面导带和价带的数值在什么范围内才是有物理意义的
(1)什么叫半导体？导电性能介于导体与绝缘体之间的材料，叫做半导体．例如：锗、硅、砷化回镓等．半导体在科答学技术，工农业生产和生活中有着广泛的应用．（例如：电视、半导体收音机、电子计算机等）这是什么原因呢？下面介绍它所具有的特殊的电学性能．(2)半导体的一些电学特性①压敏性：有的半导体在受到压力后电阻发生较大的变化．用途：制成压敏元件，接入电路，测出电流变化，以确定压力的变化．②热敏性：有的半导体在受热后电阻随温度升高而迅速减小．用途：制成热敏电阻，用来测量很小范围内的温度变化．
⑺ 讨论由杂质向导带提供电子和由价带跃迁向导带提供电子的区别和相同
对于未掺杂的本征半导体，导带中的电子是由它下面的一个能带（即价带）中的电子（价电子）跃迁上来而形成的，这种产生电子（同时也产生空穴——半导体的另外一种载流子）的过程，称为本征激发。在本征激发过程中，电子和空穴是成对产生的，则总是有“电子浓度=空穴浓度”。这实际上就是本征半导体的特征，因此可以说，凡是两种载流子浓度相等的半导体，就是本征半导体。这就意味着，不仅未掺杂的半导体是本征半导体，就是掺杂的半导体，在一定条件下（例如高温下）也可以转变为本征半导体。
价带的能量低于导带，它也是由许多准连续的能级组成的。但是价带中的许多电子（价电子）并不能导电，而少量的价电子空位——空穴才能导电，故称空穴是载流子。空穴的最低能量——势能，也就是价带顶，通常空穴就处于价带顶附近。
价带顶与导带底之间的能量差，就是所谓半导体的禁带宽度。这就是产生本征激发所需要的最小平均能量。这是半导体最重要的一个特征参量。
对于掺杂半导体，电子和空穴大多数是由杂质来提供的。能够提供电子的杂质称为施主；能够提供空穴的杂质称为受主。施主的能级处在靠近导带底的禁带中；受主的能级处在靠近价带顶的禁带中。
⑻ 导带，价带，禁带是什么理论，谁提出的
这个首先从量子力学的基本假设说起——不连续性可以推出原子外电子的在条件一定的情况下只能取到某些特定的能量，这就是能级：当体系中有很多个原子的时候，由于原子间的相互作用，原子的能级会发生移动。原本相同的一条能级变成了一组差别很小的能级，这就是能带，也就是允带。
由于能带内不同能级的能量差别非常小，所以很多时候在能带内可以忽略间隔，认为能量是连续的。由于能带是由能级扩展而来，能带和能级一样，相互之间存在没有能级的间隔，这个间隔就是禁带，电子无法取到禁带中的能量。
当原子处于基态的时候，它的所有电子从最低能级开始依次向上填充。对于半导体，电子刚好填充到某一个能带满了，下一个能带全空。这些被填满的能带称为满带，满带中能量最高的一条称为价带。由于电流的产生需要载流子发生定向运动，而价带中电子已经占据了所有可能的能级，绝大多数电子相邻位置上的态都已经被占据了，无法移动，所以价带中的电子可以认为是不导电的。
对于半导体，能量最高的一个价带，到能量更高的下一个能带之间有一个禁带，但是这个禁带的宽度（能量）不是很大，所以有一些电子有机会跃迁到下一个能带。由于这个能带几乎是空的，所以电子们跃迁到这个能带之后就可以自由地奔跑，这个能带就是导带。（另外对于绝缘体，这个禁带宽度太大，基本上不可能有电子跃迁过去。对于金属，根本没有禁带，导带和价带直接重合了，既然最高的能带本身就不满那不需要跃迁就可以导电了。）
这些理论从《固体物理》、《半导体物理》都有详细的介绍。理论是布洛赫和布里渊首先提出来的。
⑼ 能级图的导带和价带分别是什么
导带是由自由电子形成的能量空间。即固体结构内自由运动的电子所 具有的能量专范围。 对于属金属，所有价电子所处的能带就是导带。 对于半导体，所有价电子所处的能带是价带，比价带能量更高的 能带是导带。在绝对零度温度下，半导体的价带是满带(能带理论)，受到光电注入或热激发后，价带中的部分电子会越过禁带进入能量较高的空带，空带中存在电子后即成 为导电的能带——导带。
以Li原子1s22s1.为例，如果有n个Li原子他们各自的1s原子轨道将组成n个σ1s分子轨道（金属键的量子力学模型，在分子轨道理论的基础上发展起来的现代金属键理论）
由于这些分子轨道之间的能量差距很小，他们的能级连成一片成为一个能带
Li原子中的n和2s分子轨道也能组成能带，这个能带中的一半是σ2s轨道，被电子充满，另一半是σ*2s轨道，没有电子，是空的。由2s电子所组成的这种半充满的能带就是导带