半导体载流子密度一般是多少
❶ 全部电离.请问该杂质半导体中的载流子浓度是多少
成立
本征载流子是无杂质时半导体的载流子浓度，且n=p=ni，且np=ni平方。
而有杂回质时np=ni平方仍成答立，以n为多子，注，此时无本征载流子ni，都是热平衡载流子n0，p0。它们乘积=无杂质时ni平方。
❷ 载流子浓度和数目区别
载流子浓度（Intrinsic carrier concentration）为本征半导体材料中自由电子和自由空穴的平衡浓度，常用值为300K时的浓度值。
本征载流子浓度与温度有关，同样材质的半导体，温度越高，热激发越强烈，本征载流子浓度越高；与禁带宽度有关，同样的温度下，禁带宽度越窄，电子或空穴更容易从价带跃迁到导带，本征载流子浓度越高。
T=300K时，硅的本征载流子浓度可由上式推时，由上式计算出的值为。而T=300K时，硅的公认值约为
。这一差异可能来自以下这些原因：首先，有效质量是由低温下进行的回旋共振实验测定的。既然有效质量为实验测定值，而且它是粒子在晶体中运动情况的度量，那么这个参数就可能与温度有关。其次，半导体的状态密度函数是由三维无限深势阱中的电子模型推广出来的。这个理论函数可能与实验结果不十分吻合
❸ 半导体中载流子浓度由什么决定
半导体中通过电流的复大小是由半制导体的电导率和加在半导体两端的电压来决定.
而半导体的电导率由半导体中的载流子浓度和载流子的迁移率来决定（迁移率有点类似速度,不过单位是m^2/V.s）；
半导体中的载流子一般包括自由电子和空穴两种.
所以,半导体中通过电流的大小不是仅仅由载流子的数目来决定,也不是仅仅由载流子的速度来决定.
❹ 半导体中的载流子是什么
半导体载来流子即半导源体中的电流载体。
在物理学中，载流子指可以自由移动的带有电荷的物质微粒，如电子和离子。
在半导体中，存在两种载流子，电子以及电子流失导致共价键上留下的空位（空穴）均被视为载流子。
通常N型半导体中指自由电子，P型半导体中指空穴，它们在电场作用下能作定向运动，形成电流。
载流子就是带有电荷、并可运动而输运电流的粒子，包括电子、离子等。半导体中的载流子有两种，即带负电的自由电子和带正电的自由空穴。实际上，空穴也就半导体中的价键空位，一个空位的运动就相当于一大群价电子的运动；只不过采用数量较少的空穴这个概念来描述数量很多的价电子的运动要方便得多。所以，从本质上来说，空穴只是一大群价电子的另一种表述而已。
❺ 半导体中载流子浓度由什么决定
半导体中来通过电流的自大小是由半导体的电导率和加在半导体两端的电压来决定。
而半导体的电导率由半导体中的载流子浓度和载流子的迁移率来决定（迁移率有点类似速度，不过单位是m^2/V.s）；
半导体中的载流子一般包括自由电子和空穴两种。
所以，半导体中通过电流的大小不是仅仅由载流子的数目来决定，也不是仅仅由载流子的速度来决定。
❻ 简并半导体的简并半导体的载流子浓度
半导体发生简并对应一个温度范围：用图解的方法可以求出半导体发生简并时，对应一个版温权度范围。这个温度范围的大小与发生简并时的杂质浓度及杂质电离能有关：电离能一定时，杂质浓度越大，发生简并的温度范围越大；发生简并的杂质浓度一定时，杂质电离能越小，简并温度范围越大。
简并半导体的载流子浓度：对于n型半导体，施主浓度很高，使费米能级接近或进入导带时，导带底附近底量子态基本上已被电子占据，导带中底电子数目很多的条件不能成立，必须考虑泡利不相容原理的作用。这时，不能再用玻耳兹曼分布函数，必须用费米分布函数来分析导带中电子的分布问题。这种情况称为载流子的简并化。发生载流子简并化的半导体称为基本半导体，对于p型半导体，其费米能级接近价带顶或进入价带，也必须用费米分布函数来分析价带中空穴的分布问题。
简并时的杂质浓度：对n型半导体，半导体发生简并时，掺杂浓度接近或大于导带底有效状态密度；对于杂质电离能小的杂质，则杂质浓度较小时就会发生简并。对于p型半导体，发生简并的受主浓度接近或大于价带顶有效状态密度，如果受主电离能较小，受主浓度较小时就会发生简并。
❼ 半导体的载流子浓度
实践表明，半导体的导电性与温度密切相关，实际上这主要是由于半导体的中的载流子浓度随温度剧烈变化所造成的。所以要深入了解半导体的导电性，必须研究半导体中载流子浓度随温度变化的规律。
❽ 用各种计算浓度的方法,计算半导体载流子的浓度
^半导体载流子计算公式：n = p = K1*T^3/2*e^-E(go)/(2kT)，n和p为载流子浓度,第一个T为热力学温度,E(go)为为热力学零度内时破坏公价键所需的容能量,k为玻耳兹曼常数.
半导体载流子即半导体中的电流载体。在物理学中，载流子指可以自由移动的带有电荷的物质微粒，如电子和离子。在半导体中，存在两种载流子，电子以及电子流失导致共价键上留下的空位（空穴）均被视为载流子。通常N型半导体中指自由电子，P型半导体中指空穴，它们在电场作用下能作定向运动，形成电流。
❾ 衡量半导体导电能力的主要标志是载流子数量的多少
半导体载流子计算公式：n = p = K1*T^3/2*e^-E(go)/(2kT)，n和p为载流子浓度,第一个T为热力学温度,E(go)为为热力学零度回时破坏公价键所答需的能量,k为玻耳兹曼常数.
半导体载流子即半导体中的电流载体。在物理学中，载流子指可以自由移动的带有电荷的物质微粒，如电子和离子。在半导体中，存在两种载流子，电子以及电子流失导致共价键上留下的空位（空穴）均被视为载流子。通常N型半导体中指自由电子，P型半导体中指空穴，它们在电场作用下能作定向运动，形成电流。
❿ 半导体物理。。简并半导体载流子浓度怎么求
不是用的刘恩科的教材吗？第三章有专门讲简并半导体中载流子浓度求法的使用费米积分在图像中求解。考试中一般不会做什么要求的