半导体的斜率电阻是什么意思

㈠ 半导体体电阻和体电阻率有什么区别他们的意义有什么不同

在电性能均匀的材料内部，描述它的导电能力用电阻率这一术语，对于半导体，通常专用欧姆厘米属作为单位。当用这块材料做成一段电流通路，它在电路中显现的电阻就称为体电阻，简称电阻。所谓“体”是指不考虑引线、接触电阻，纯粹是“体内”电阻。举例说明：一块半导体材料的电阻率是5欧姆厘米，将它做成截面积为0.01平方厘米、长度为2厘米的形状，那么它两端的电阻是：5×2÷0.01＝10欧姆。公式：电阻率×长度÷截面积=电阻。相信你已明白了。

㈡ 半导体的电阻率有什么特性

就纯粹的半导体材料，就是硅、锗一类的，某一具体的半导体电阻率介于导体各专绝缘体之间，所以属才叫半导体。但由这些材料通过各种工艺和组合，所得的器件也通称半导体，功能及特点就很多了，大多具有或某部分具有单向导电性。

㈢ 电子技术：半导体的体电阻是什么

半导体元件 有很多材料构成

体电阻 要看你是哪一段的电阻 还要看是在什么工作条件下

㈣ 斜率电阻

意思就是,二极管的正常工作电流范围内,每增加1A电流,二极管正向压降升高4.7mΩX1A=4.7mV

㈤ 什么是电阻元件伏安特性线性电阻元件伏安特性曲线的斜率代表什么

哇 学这个过去好多年了自从上了大学就没接触了 我记得好像是用来测试在温度基本不变的情况下根据电压和电流的不断变化 来描绘电阻的变化情况 对于线性斜率应该是电阻的倒数吧。大学快毕业了高中的东西也忘的差不多了 呵呵

㈥ 半导体的电阻一般是多少

半导体及其基本特性
1.1 金属 - 半导体 - 绝缘体
我们知道，自然界中的物质大致可分专为气体、液体、固体属、等离子体 4 种基本形态。在固体材料中，根据其导电性能的差异，又可分为金属、半导体和绝缘体。例如，铜、铝、金、银等金属；它们的导电本领都很大，是良好的导体；橡胶、塑料、电木等导电本领很小，是绝缘体；制造半导体器件的主要材料硅、锗、砷化镓等，它们的导电本领比导体小而比绝缘体大，叫做半导体。

物体导电本领的大小可用 电 阻 率 来表示。金属导体的电阻率约在 10 -4 W ·cm 以下，绝缘体的电阻率约在 10 9 W ·cm 以上，半导体的电子率是介于二者之间，约在 10 -4 ~ 10 9 W ·cm 。 图 1.1 列出这三类中一些重要材料的电阻率和 电导率 。

㈦ 如何计算半导体的电阻

利用欧姆定律计算:R=U/I (定义式)
利用电阻定律计算内:R=ρL/S (决定式)
利用焦耳定律和欧容姆定律的代换公式计算:R=U^2/P,,R=P/I^2
如果不是纯电阻电路,,要利用闭合电路欧姆定律计算这是高中内容

㈧ 半导体的电阻

半导体及其基本特性
1.1 金属 - 半导体 - 绝缘体
我们知道，自然界中的物质大致可分为气体、液体、固体、等离子体 4 种基本形态。在固体材料中，根据其导电性能的差异，又可分为金属、半导体和绝缘体。例如，铜、铝、金、银等金属；它们的导电本领都很大，是良好的导体；橡胶、塑料、电木等导电本领很小，是绝缘体；制造半导体器件的主要材料硅、锗、砷化镓等，它们的导电本领比导体小而比绝缘体大，叫做半导体。

物体导电本领的大小可用 电 阻 率 来表示。金属导体的电阻率约在 10 -4 W ·cm 以下，绝缘体的电阻率约在 10 9 W ·cm 以上，半导体的电子率是介于二者之间，约在 10 -4 ~ 10 9 W ·cm 。 图 1.1 列出这三类中一些重要材料的电阻率和 电导率 。

图 1.1

1.2 常见的半导体材料

• 元素半导体

有关半导体材料的研究开始于 19 世纪初。多年以来许多半导体已被研究过。 表 1.1 列出周期表中有关半导体元素的部分。在周期表第 IV 族中的元素如硅（ Si ）、锗（ Ge ）都是由单一原子所组成的元素半导体。在 20 世纪 50 年代初期，锗曾是最主要的半导体材料。但自 60 年代初期以来，硅已取而代之成为半导体制造的主要材料。现今我们使用硅的主要原因，乃是因为硅器件在室温下有较佳，且高品质的硅氧化层可由热生长的方式产生。经济上的考虑也是原因之一，可用于制造器件等级的硅材料，远比其他半导体材料价格低廉。在二氧化硅及硅酸盐中的硅含量占地表的 25 ％，仅次于氧。到目前为止，硅可说是周期表中被研究最多且技术最成熟的半导体 元素 。

表 1.1 周期表中于半导体相关的部分

• 化合物半导体
近年来一些 化合物 半导体已被应用于各种器件中。 表 1.2 列出与两种元素半导体同样重要的化合物半导体。二元化合物半导体是由周期表中的两种元素组成。例如， III-V 族元素化合物半导体砷化镓（ GaAs ）是由 III 族元素镓（ Ga ）及 V 族元素砷（ As ）所组成。

除了二元化合物半导体外，三元及四元半导体化合物半导体也各有其特殊用途。由 III 族元素铝（ Al ）、镓（ Ga ）及 V 族元素砷（ As ）所组成的合金半导体 Al x Ga 1-x As 即是一种三元化合物半导体，而具有 A x B 1-x C y D 1-y 形式的四元化合物半导体则可由许多二元及三元化合物半导体组成。例如，合金半导体 Ga x In 1-x As y P 1-y 是由磷化镓（ GaP ）、磷化铟（ InP ）、砷化铟（ InAs ）及砷化镓（ GaAs ）所组成。与元素半导体相比，制作单晶体形式的化合物半导体通常需要较复杂的程序。

许多化合物半导体具有与硅不同的电和光的特性。这些半导体，特别是砷化镓（ GaAs ），主要用于高速光电器件。虽然化合物半导体的技术不如硅半导体技术成熟，但硅半导体技术的快速发展，也同时带动化合物半导体技术的成长。

1.3 半导体导电性的特点
实际上，金属、半导体和绝缘体之间的界限并不是绝对的。通常，当半导体中的杂质含量很高时，电导率很高，呈现出一定的金属性，而纯净半导体在低温下的电导率很低，呈现出绝缘性。一般半导体和金属的区别在于半导体中存在着 禁带 而金属中不存在禁带；区分半导体和绝缘体则更加困难，通常根据它们的禁带宽度及其温度特性加以区分。

半导体的导电性究竟具有哪些特点呢？大致可归纳以下几个方面：

（ 1 ）半导体的电阻率对温度的反应灵敏。纯净半导体的电阻率随温度变化很显著，而且电阻率随温度升高而下降。例如纯锗，当温度从 20 o C 升高到 30 o C 时，电阻率就降低一半左右。而金属的电阻率随温度的变化比较小，而且随温度升高电阻率增大。

（ 2 ）微量的杂质能显著地改变半导体的电阻率。例如在纯硅中掺入 6 ′ 10 15 /cm 3 的杂质磷或锑，即在硅中掺入千万分之一的杂质，就能使它的电阻率从 2.15 ′ 10 5 W ·cm 减小到 1 W ·cm ，降低了 20 万倍。晶格结构的完整与否也会对半导体导电性能有极大的影响。因此在制作半导体器件时除人为地在半导体中掺入有用杂质来控制半导体的导电性外，还要严格防止一些有害杂质对半导体的沾污，以免改变半导体的导电性能，使生产出来的器件质量下降，甚至报废。但金属中含有少量杂质时，看不出电阻率会有什么显著的变化。

（ 3 ）适当的光照可使半导体的电阻率显著改变。当某种频率的光照射半导体时，会使半导体的电阻率显著下降，这种现象叫光电导。自动控制中用到的光敏电阻就是利用半导体的光电导特性来制成的。但是，金属的电阻率不受光照影响。

总之，半导体的导电性能非常灵敏地依赖于外界条件、材料的纯度以及晶体结构的完整性等。半导体的导电性能所以有上述特点是由半导体内部特殊的微观结构所决定的，后面将叙述半导体导电的内在规律。

㈨ 二极管的slope resistance(斜率电阻)是什么

意思就是，二极管的正常工作电流范围内，每增加1A电流，二极管正向压降升高4.7mΩX1A=4.7mV

㈩ 半导体二极管的直流电阻和动态电阻如何区别

静态电阻就是不变的电阻，不像什么热敏电阻、光敏电阻、压敏电阻等动态电回阻阻值会随着相应的条件变化而变答化。动态电阻的伏安特性曲线是一条有一定斜率的直线，斜率就是其阻值。动态电阻的伏安特性曲线是一条曲线，曲线各点的斜率就是其相应该条件下的实时阻值。