本征半导体内的两种载流子分别是什么

Ⅰ 在半导体中存在哪两种载流子

本征载流子就是本征半导体中的载流子，即
电子
和
空穴
，即不是由掺杂所产生出来的载流子。也就是说，内本征载流子是由热激发——本征激发所产生出来的，即是价电子从价带跃迁到导带而产生出来的；它们是成对产生的，所以电子和空容穴的浓度始终相等。
本征半导体，从物理本质上来说，也就是两种载流子数量相等、都对导电起同样大小的半导体。因此，未掺杂的半导体是本征半导体，但是掺有杂质的半导体在一定条件下也可能成为本征半导体（只要两种载流子的浓度相等）。
对于掺有杂质的n型或p型半导体，其中的多数载流子主要就是由杂质电离所提供，而其中的少数载流子则是由本征激发所产生的。因此，在杂质全电离情况下，多数载流子浓度基本上与温度无关，但少数载流子则随着温度将指数式增大。

Ⅱ 半导体中的本证半导有两种载流子与本征半导体的不同

本征半导体：晶格完整且不含杂质的单晶半导体，其中参与导电的电子和空穴数目相等。这是一种实际上难以实现的理想情况。实用上所说的本征半导体是指仅含极痕量杂质，导电性能与理想情况很相近的半导体。

Ⅲ 什么是本征半导体

本征半导体

完全纯净的半导体称为本征半导体或I型半导体。硅和锗都是四价元素，其原子核最外层有四个价电子。它们都是由同一种原子构成的“单晶体”，属于本征半导体。

1．半导体中的两种载流子—自由电子和空穴

在热力学温度零度和没有外界能量激发时，价电子受共价键的束缚，晶体中不存在自由运动的电子，半导体是不能导电的。但是，当半导体的温度升高（例如室温300oK）或受到光照等外界因素的影响，某些共价键中的价电子获得了足够的能量，足以挣脱共价键的束缚，跃迁到导带，成为自由电子，同时在共价键中留下相同数量的空穴，如图2—3（a）所示。空穴是半导体中特有的一种粒子。它带正电，与电子的电荷量相同。把热激发产生的这种跃迁过程称为本征激发。显然，本征激发所产生的自由电子和空穴数目是相同的。
由于空穴的存在，临近共价键中的价电子很容易跳过去填补这个空穴，从而使空穴转移到临近的共价键中去，而后，新的空穴又被其相邻的价电子填补，这一过程持续下去，就相当于空穴在运动。带负电荷的价电子依次填补空穴的运动与带正电荷的粒子作反方向运动的效果相同，因此我们把空穴视为带正电荷的粒子。可见，半导体中存在两种载流子，即带电荷+q的空穴和带电荷–q的自由电子。
在没有外加电场作用时，载流子的运动是无规则的，没有定向运动，所以形不成电流。在外加电场作用下，自由电子将产生逆电场方向的运动，形成电子电流，同时价电子也将逆电场方向依次填补空穴，其导电作用就像空穴沿电场运动一样，形成空穴电流。虽然在同样的电场作用下，电子和空穴的运动方向相反，但由于电子和空穴所带电荷相反，因而形成的电流是相加的，即顺着电场方向形成电子和空穴两种漂移电流。

Ⅳ 本征半导体是两种载流子参与传导电子，杂质半导体是一种载流子参与导电，所以本征半导体导电性能好，这句

本征半导体虽然有两种载流子，但是数量有限，导电性能不明显。掺杂半导体使得载流子浓度明显提高，所以导电性要大大增强。

Ⅳ 本征半导体的本征半导体

在绝对零度温度下，半导体的价带（valence band）是满带（见能带理论）
，受到光电注入或热激发后，内价带中容的部分电子会越过禁带（forbidden band/band gap）进入能量较高的空带，空带中存在电子后成为导带（conction band），价带中缺少一个电子后形成一个带正电的空位，称为空穴（hole），导带中的电子和价带中的空穴合称为电子－空穴对。上述产生的电子和空穴均能自由移动，成为自由载流子（free carrier），它们在外电场作用下产生定向运动而形成宏观电流，分别称为电子导电和空穴导电。在本征半导体中，这两种载流子的浓度是相等的。随着温度的升高，其浓度基本上是按指数规律增长的。 待完善

Ⅵ 什么是本征半导体

本征导电
在绝对零度温度下，半导体的价带（valence band）是满带（见能带理论）

，受到光电注入或热激发后，价带中的部分电子会越过禁带（forbidden band/band gap）进入能量较高的空带，空带中存在电子后成为导带（conction band），价带中缺少一个电子后形成一个带正电的空位，称为空穴（hole），导带中的电子和价带中的空穴合称为电子－空穴对。上述产生的电子和空穴均能自由移动，成为自由载流子（free carrier），它们在外电场作用下产生定向运动而形成宏观电流，分别称为电子导电和空穴导电。在本征半导体中，这两种载流子的浓度是相等的。随着温度的升高，其浓度基本上是按指数规律增长的。
复合
导带中的电子会落入空穴，使电子－空穴对消失，称为复合（recombination）。复合时产生的能量以电磁辐射（发射光子photon）或晶格热振动（发射声子phonon）的形式释放。在一定温度下，电子－空穴对的产生和复合同时存在并达到动态平衡，此时本征半导体具有一定的载流子浓度，从而具有一定的电导率。加热或光照会使半导体发生热激发或光激发，从而产生更多的电子－空穴对，这时载流子浓度增加，电导率增加。半导体热敏电阻和光敏电阻等半导体器件就是根据此原理制成的。常温下本征半导体的电导率较小，载流子浓度对温度变化敏感，所以很难对半导体特性进行控制，因此实际应用不多。
特点
本征半导体特点：电子浓度=空穴浓度（掺杂的半导体，在一定条件下（例如高温下）也可以具有本征半导体特点。）
缺点
缺点：载流子少，导电性差，温度稳定性差！

Ⅶ 1． 本征半导体中的两种载流子是 ，N型半导体多数载流子是 。

本征半导体中的两种载流子是电子和空穴。N型半导体多数载流子是电子，少数载流子是空穴。P型半导体多数载流子是空穴，少数载流子是电子。

Ⅷ 半导体根据内部两种载流子的分布情况可分为哪3种

P型掺杂半导体：空穴为多子，电子为少子
N型掺杂半导体：电子为多子，空穴为少子
本征半导体（未掺杂）：电子与空穴数目相等