半导体扩散叫什么

A. 半导体载流子的扩散

电子和空穴存在浓度梯度时就会扩散

B. 半导体的双面扩散是什么样的

本人是学微电子的，可是知识浅薄，没听说过双面扩散这个词~~汗！

制作半导内体时？那就是容掺杂了，我只知道有恒定表面源扩散和有限表面源扩散~~~

哥，顾名思义不行吧？生长氧化层也不是扩散啊？如果真的是两面都扩散杂质，其目的是什么呢？如果两面都有器件，那如何互联？总不能像pcb板一样，中间钻孔吧？

楼主的意思是不是在背面掺金啊？

C. 半导体物理中的 顺流扩散 和 逆流扩散 是什么意思

原子、来分子、载流子自等的扩散，本来就是从高浓度处往低浓度处进行的，没有正向、逆向之分。
但是如果存在外加电场时，载流子将要沿着电场方向漂移，这时扩散就可区分为顺流和逆流。
在工艺中，对于存在气流的情况，原子或者分子的扩散也可区分为顺流和逆流。

D. 半导体二极管的扩散区在哪

首先得先了解pn结的形成。在N型半导体和P型半导体的结合面上，因浓度差所以多子的扩回散运动；自由答电子与空穴复合，此时由杂质离子形成空间电荷区（p区是负电荷，n区是正电荷），便有n指向p的内电场，阻止多子扩散，最后，多子的扩散和少子的漂移达到动态平衡。在P型半导体和N型半导体的结合面处，留下离子薄层，这个离子薄层形成的空间电荷区（耗尽层）称为PN结。当在pn结（二极管）两端加正向电压时，内电场减弱，多子扩散大于少子漂移，使得载流子越过耗尽层，进入对面，并与其相反电荷载流子复合，形成扩散区（p区、n区各有一个）。

E. 半导体扩散工艺

有两种技术：一个是靠浓度梯度扩散，一个是离子注入法

F. 半导体载流子扩散求助

半导体内的载流子有三种运动：载流子的扩散运动，载流子的热运动和载流子的漂移运动。
（1）热运动
在没有任何电场作用时，一定温度下半导体中的自由电子和空穴因热激发所产生的运动是杂乱无障的，好像空气中气体的分子热运动一样。由于是无规则的随机运动，合成后载流子不产生定向位移，从而也不会形成电流。
（2）漂移运动
在半导体的两端外加一电场E，载流子将会在电场力的作用下产生定向运动。电子载流子逆电场方向运动，而空穴载流子顺着电场方向运动。从而形成了电子电流和空穴电流，它们的电流方向相同。所以，载流子在电场力作用下的定向运动称为漂移运动，而漂移运动产生的电流称漂移电流。
（3）扩散运动
在半导体中，载流子会因浓度梯度产生扩散。如在一块半导体中，一边是N型半导体，另一边是P型半导体，则N型半导体一边的电子浓度高，而P型半导体一边的电子浓度低。反之，空穴载流子是P型半导体一边高，而N型半导体一边低。由于存在载流子浓度梯度而产生的载流子运动称为扩散运动。
滴入水中的墨水会快速地向四周扩散，打开品瓶盖，气味会很快充满整个房间等现象，是现实生活中扩散运动的典型例子，是自然界中的一种普遍规律。
由于电子载流子和空穴载流子分别带负电和正电，扩散运动导致正负电荷搬迁，从而形成电流，这种由扩散运动形成的电流称扩散电流。

G. 半导体稳定扩散和平衡态有什么区别

这时候的来光子能量大于半导自体的禁带宽度，所以价带电子在吸收能量后可以跃迁到导带而成为非平衡载流子。这部分的载流子是比平衡时多出来的，是源源不断的产生，所以是非平衡状态。既然是非平衡状态，那么产生率和复合率也就不相等了。这个时候产生率要大于复合率的。至于载流子从哪来到哪儿去...这个概念暂时还是有点模糊。
补充一下：稳恒光照就是能够注入稳定数量的非平衡载流子。

H. 半导体扩散工艺是什么

半导体扩散工艺。扩散技术目的在于控制半导体中特定区域内杂质的类型、浓度、深度和PN结。在集成电路发
展初期是半导体器件生产的主要技术之一。但随着离子注入的出现，扩散工艺在制备浅结、低浓度掺杂和控制精度等方面的巨大劣势日益突出，在制造技术中的使用已大大降低。
3．1 扩散机构
3．1．1 替位式扩散机构
这种杂质原子或离子大小与Si原子大小差别不大，它沿着硅晶体内晶格空位跳跃前进扩散，杂质原子扩散时占据晶格格点的正常位置，不改变原来硅材料的晶体结构。硼、磷、砷等是此种方式。

3．1．2 填隙式扩散机构
这种杂质原子大小与Si原子大小差别较大，杂质原子进入硅晶体后，不占据晶格格点的正常位置，而是从一个硅原子间隙到另一个硅原子间隙逐次跳跃前进。镍、铁等重金属元素等是此种方式。由于CMOS是由PMOS和NMOS组成，因此需要在一种衬底上制造出另一种型号的衬底,才可以在一种型号的硅片上同时制造出N管、P管，在选择注入后的推阱工艺就可以在硅片上制出P阱、N阱；由于推阱一般需要有一定的结深，而杂质在高温下的扩散速率较大，因此推阱工艺往往需要在较高的温度（1150C）下进行，以缩短工艺时间，提高硅片的产出率。 阱电阻：用来监控推阱后N（或P）阱电阻的大小，阱电阻的大小会对制作在N（或P）阱里的晶体管的栅开启电压及击穿电压造成直接影响；但电阻控制片的制作由于有一定的制作流程，因此电阻有时会受制备工艺的影响。