带隙多少算半导体

1. PbS直接带隙半导体还是间接带隙半导体

直接带隙,0.4eV

2. 直接带隙半导体的介绍

直接带隙半导体（Direct gap semiconctor）的例子：GaAs、InP半导体。相反，Si、Ge是间接带隙半导体。

3. 如何确定半导体是直接带隙还是间接带隙的

确定半导体是直接带隙还是间接带隙的可以用光致发光光谱。

光效率很大的话差专不多就是直接带隙，发光效率低属的话就是间接带隙。直接带隙材料吸收光谱应该能比较明显地区分出本征吸收带和吸收边，变化相对较缓，而间接带隙材料比较陡峭。

间接带隙半导体材料（如Si、Ge）导带最小值（导带底）和满带最大值在k空间中不同位置。形成半满能带不只需要吸收能量，还要改变动量。

电子在k状态时的动量是（h/2pi）k，k不同，动量就不同，从一个状态到另一个必须改变动量。与之相对的直接带隙半导体则是电子在跃迁至导带时不需要改变动量。

(3)带隙多少算半导体扩展阅读：

光致发光过程包括荧光发光和磷光发光。通常用于半导体检测和表征的光致发光光谱指的是光致荧光发光。

光致发光特点：

1、光致发光优点

设备简单，无破坏性，对样品尺寸无严格要求；分辨率高，可做薄层和微区分析。

2、光致发光缺点

通常只能做定性分析，而不作定量分析；如果做低温测试，需要液氦降温，条件比较苛刻；不能反映出非辐射复合的深能级缺陷中心。

4. 纳米半导体ZnS的带隙（能隙）是多少上下值各是多少

ZnS是一种直接抄带隙的半袭导体材料，具有闪锌矿和纤锌矿两种结构，禁带宽度为3.6～3.8eV，它具有良好的光电性能，广泛应用于各种光学和光电器件中，如薄膜电致发光显示器件、发光二极管、紫外光探测器件、太阳能电池等。传统的化合物薄膜太阳能电池，一般采用化学浴法制备的CdS薄膜作为缓冲层材料，并且已经获得了较高的电池转换效率。后来人们逐渐意识到CdS是一种对环境和人体有害的材料，要研究制备无污染的太阳能电池就该寻找新的材料作为替代。在以后的研究中人们慢慢发现ZnS是替代CdS的良好的材料。首先，ZnS不含任何有毒元素，满足了人们环保的要求；其次，ZnS(3.6～3.8eV)的禁带宽度比CdS(2.4eV)大得多，用它作缓冲层材料可以使更多的短波区的光照射到吸收层上，有利于获得蓝光区的光谱响应，提高太阳能电池的转换效率。Cu(InGa)Se2／ZnS结构电池转换效率已经达到18.6％，而CuInS2／ZnS结构电池转换效率也已达到了10.7％。（CuInS2是I-III-vI）族化合物中最理想的吸收层材料，其理论光电转换效率为27％--32％）希望你能满意！

5. 关于半导体中的直接带隙与间接带隙

简单的说直接带隙半导体就是导带最低点和价带最高点在k空间处于同一点的半导体，间接带隙半导体就是它们不处于同一点的半导体。你可以看一下下面的参考资料

6. 什么叫零带隙半导体

这说的是石墨烯 半导体有导带，禁带，价带。。。 所谓零带隙就指的是禁带宽度为零

7. 半导体作沟道,带隙多少合适

1.2eV～3.9eV，是半导体的定义，但是现代发展已经不限于此，比如石墨烯的高速高频低功耗半导体就只有0.3～0.7eV，而蓝光led禁带是4.1，军用的抗干扰半导体是4.7～5eV。

8. 如何由禁带宽度判断是导体还是半导体

绝缘体的禁带宽度较大,价带顶的电子难以跃迁到导带底成为自由电子,故电导率较回低；导体的禁带宽答度较小,价带顶的电子容易跃迁到导带底成为自由电子,同时在价带顶形成空穴,故电导率较高；半导体禁带宽度介于二者之间,故电导率也介于二者之间

9. 半导体能带隙数值 能说明半导体导电能力强弱么

一般来说宽度的大小能够决定本征载流子的浓度，从而决定了电阻率，也就是导电能力强弱wuxm0618(站内联系TA)只能说明本征材料的导电能力很弱，在有杂质或者缺陷的情况下可能还是有好的导电性能。混沌学徒(站内联系TA)带隙越窄越接近金属吧，越宽就越接近绝缘体回归2011(站内联系TA)紫外漫反射边通过F(R)hv2对hv作图，通过紫外可以测试半导体的带隙，这种称之为光学带隙，一般论文里都是这样做的。
而氧化铜确实是一种半导体薄膜。氧化亚铜也是。均可以作为薄膜太阳能电池材料，尽管效率比较低。

10. 请问各位如何计算带隙能啊

A是一常数与材料本身性质有关（直接、间接带隙），a是TiO2对不同hv（光子能量）的吸收系数 通常用分光光度计来测试