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半导体Metal是什么

发布时间: 2021-03-10 07:21:05

A. metal什么意思

metal
[英] ['met(ə)l][美] ['met(ə)l]

(1)释义:
动词.(〔英国〕 -ll-)用金属包,用碎石铺(路面)

名词.金属

网络.金属制品,金属的,合金

变形.复数:metals,过去分词:metaled,现在分词:metaling

(2)搭配:
metal plate,use metal,precious metal,sell metal

B. metal是什么意思

metal
met.al
[`mZtl;
ˋmєtl]
《源自拉丁文“矿物”的意思》
名词
1 (U) 金属
made of ~
金属制的
a worker in ~s
金属工 (匠)
base [imperfect] ~s
贱金属
(铜、铁、铅等)
heavy [light] ~s
重 [轻] 金属
noble [perfect] ~s
贵金属
(金、银等)
2 [~s](英)铁轨
leave [run off, jump] the ~s <
火车> 出轨
3 (U) (铺路用的) 碎石料 (road metal)
4 (U)本性,本质,本来面目
(cf. mettle)
He is made of true ~.
他本性老实
5(U)
a. 熔化的玻璃
b. (熔化中的) 铸铁
6(C)‘化学’金属元素
及物动词
(met.aled,(英)-alled;
met.al.ing,(英)-al.ling)
1 用金属包 [覆盖] …
2 用碎石铺<路>
a ~ed road
铺碎石的路,碎石路

C. 半导体metal工艺是什么意思

在芯片制作中的metal工艺,指CMS制程;

D. 魅蓝E和魅蓝metal有什么区别

魅蓝E和魅蓝MAX的区别:1、魅蓝E是5.5寸屏幕,魅蓝MAX是6寸屏幕;2、魅蓝E只有32GB版本,魅蓝MAX是64GB版本;3、魅蓝E是3100mAh的电池,魅蓝MAX是4100mAh的电池。

E. Non-metal和metalloid有什么区别

non-metal 英['nɒnm'etl]美['nɒnm'etl] 非金属
metalloid 英[ˈmetlɔɪd] n.类金属 adj.类似金属性的 非金属; 准金属;半金属
区别:
non-metal :没有金专属的物理和化学性质,如氧属或硫.
metalloid:具有一些金属化学特性,能与金属结合生成合金的非金属元素,例如:砷、碳元素

F. 半正半导体名词解释

根据能带理论,根据价带与导带之间的间隔从窄到宽,固体可以依次分为金属、半金属、半导体和绝缘体。对于半导体和绝缘体,导带和价带之间的间隔相对较大,使得费米能级附近电子的态密度等于零,称为带隙。
先说半导体,这个概念没什么疑议,即价带和导带之间存在带隙,一般在1~3eV,通过热激发或者施加外电场可以使电子从价带跃迁至导带。
半金属,在英文中对应两个侧重点不同的词,semimetal和half-metal。
半金属(semimetal)是指价带和导带之间相隔很窄的材料。由于导带和价带之间的间隔十分小,使得费米能级附近电子的态密度接近于零。
半金属(half-metal)是指对于自旋为某一方向的电子表现为导体,但是对于自旋为另一方向的电子表现为半导体或绝缘体的材料。所有半金属都是铁磁性或亚铁磁性的,但是大多数铁磁性或亚铁磁性的材料都不是半金属。许多已知的半金属都属于氧化物、硫化物或赫斯勒合金。
有人建议把half-metal翻译成“半极性金属”(或“半极金属”)以示与semimetal的区别,但文献中大多依旧两种都称作半金属。

G. 什么是半导体中的新技术:high-k metal-gate (HKMG)

在65nm时代,漏电一直是降低处理器良品率、阻碍性能提升和减少功耗的重要因素。而随着处理器采用了45nm工艺,相应的核心面积会减少,导致单位面积的能量密度大幅增高,漏电问题将更加凸显,如果不很好解决,功耗反而会随之增大。而传统的二氧化硅栅极介电质的工艺已遇到瓶颈,无法满足45nm处理器的要求,因此为了能够很好的解决漏电问题,Intel采用了铪基High-K(高K)栅电介质+Metal Gate(金属栅)电极叠层技术。
相比传统工艺,High-K金属栅极工艺可使漏电减少10倍之多,使功耗也能得到很好的控制。而且,如果在相同功耗下,理论上性能可提升20%左右。正是得益于这种新技术,Intel的45nm工艺在令晶体管密度提升近2倍,增加处理器的晶体管总数或缩小处理器体积的同时,还能提供更高的性能和更低的功耗,令产品更具竞争力。
此外,我们要知道High-K栅电介质技术,相比以往的氮氧化合物/多晶硅栅堆叠技术成本会有所增加,而Intel为了保持工艺技术上的领先,不惜高成本采用了High-K栅电介质技术,我们也可以看出Intel对45nm处理器能否取得成功相当重视。而由于High-k闸极电介质和现有硅闸极并不兼容,Intel全新45nm晶体管设计也必须开发新金属闸极材料,目前新金属的细节仍属商业机密,Intel现阶段尚未说明其金属材料的组合。

H. 在半导体技术中 MET&DR 中文代表什么意义

MET:应该是 metal 或者 metalize 的缩写,是金属化的意思

DR:可能是 dry的缩写,是干燥的意思

半导体制程中,MET多应用于晶圆制造厂,DR的话,则很多process都会应用到

I. 芯片制造中的术语:Poly/Metal是什么意思

这么多年都没人回复,囧~~
就是1层晶体管,5层或者7层金属连线的意思~~~

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