p型半导体为什么是负离子

『壹』 PN结中P型区,只是少了空穴而已.怎么会有负离子存在呢

P区的空穴被N区过来电子填了，就带负电了，你可这样理解，两个区本来都是电中性，后来一群电子从N区跑到P区，电子本身是负电荷，N区少了电子带了正电，P区多了电子电荷带了负电

『贰』 p型半导体中的杂质原子为什么会成为不可移动的负离子而不是正离子

如果是单一杂质，那么它能使半导体变成P型，就证明它是受主，受主就多电子。专
比如B在Si中，属Si4个电子，B3个电子，但是掺杂后，B多了一个电子。
如果是多种杂质，就有了杂质补偿效应，看是受主多还是施主多，然后判断相应的型

『叁』 p型半导体中的杂质原子为什么会成为不可移动的负离子

如果是单一杂质,那么它能使半导体变成P型,就证明它是受主,受主就多电子.
比如B在Si中回,Si4个电子,B3个电子,但是掺杂答后,B多了一个电子.
如果是多种杂质,就有了杂质补偿效应,看是受主多还是施主多,然后判断相应的型

『肆』 本征半导体掺入三价元素硼为什么会形成P型半导体+3价为什么还是负离子

你看图，在圈里的黑点都是电子，形成了固定的化学键，不能乱动，所以无法回作为载流子。
白点空穴，答就是那个白点没电子，所以白点没有形成固定的化学键，可以移动，作为载流子形成电流。
空穴是载流子的时候就是p型半导体，positive，因为空穴是带正电的。
+3价是最外层电荷数，和阴离子没关系，因为中性的硼最外层3个电子，现在有4个，比原来多1个，所以是阴离子。
比如食盐NaCl，Cl-也是阴离子，最外层电荷+7，现在形成食盐后，最外层有8个电子，比原来多一个，所以是阴离子。

『伍』 为什么P型半导体是电中性

是由于半导体和掺入的微量元素都是电中性的，而掺杂过程中既不丧失电荷又不从外界得到电荷，只是在半导体中出现了大量可运动的电子或空穴，并没有破坏整个半导体内正负电荷的平衡状态。

P型半导体，也称为空穴型半导体。P型半导体即空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体。

(5)p型半导体为什么是负离子扩展阅读：

一、特点

半导体中有两种载流子：导带中的电子和价带中的空穴。 如果某一类型半导体的导电性主要依靠价带中的空穴，则该类型的半导体就称为P型半导体。

“P”表示正电的意思，取自英文Positive的第一个字母。在这类半导体中，参与导电的 (即电荷载体) 主要是带正电的空穴，这些空穴来自半导体中的受主。

因此凡掺有受主杂质或受主数量多于施主的半导体都是p型半导体。例如，含有适量三价元素硼、铟、镓等的锗或硅等半导体就是P型半导体。

二、形成原理

要产生较多的空穴浓度就需依赖掺杂或缺陷。在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成P型半导体。

对于Ⅳ族元素，半导体(锗、硅等)需进行Ⅲ族元素的掺杂;对于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体(如砷化镓)，常用掺杂Ⅱ族元素来提供所需的空穴浓度;在离子晶体型氧化物半导体中，化学配比的微量偏移可造成大量电载荷流子。

氧量偏多时形成的缺陷可提供空穴，Cu₂O、NiO、VO₂等均是该类型的P型半导体，且当它们在氧压中加热后，空穴浓度将随之增加.上述能给半导体提供空穴的掺杂原子或缺陷，均称受主。

『陆』 问个问题，P型半导体为什么是电中性而PN结为什么不是电中性呢 P型半导体是正离子和负离子的正负电荷量相等

PN结的阴阳离子是分开的

『柒』 本征半导体掺入三价元素硼为什么会形成P型半导体+3价为什么还是负离子

你看图，在圈里的黑点都是电子，形成了固定的化学键，不能乱动，所以无法作为载流专子。
白点空穴，就属是那个白点没电子，所以白点没有形成固定的化学键，可以移动，作为载流子形成电流。
空穴是载流子的时候就是p型半导体，positive，因为空穴是带正电的。
+3价是最外层电荷数，和阴离子没关系，因为中性的硼最外层3个电子，现在有4个，比原来多1个，所以是阴离子。
比如食盐NaCl，Cl-也是阴离子，最外层电荷+7，现在形成食盐后，最外层有8个电子，比原来多一个，所以是阴离子。

『捌』 为什么N型半导体中不导电的是正离子而P型半导体是负离子

假设半导体是硅
N型半导体中掺杂的是Ⅵ （5）族元素 比如P 磷
当磷占据一个硅原子的位置时，磷元素外围的5个电子 4个形成共价键，还有一个形成自由电子
所以N型半导体导电的是电子
相反，P型 中掺杂 3 族元素 如B 硼 你可以这样理解，B 与 Si形成共价键需要从外间获取一个电子，形成一个空穴，所以导电的是空穴 既是正电子。

『玖』 PN结，为什么p接正极，n接负极p不是留下负离子，不是要接负极

在P型半导体和N型半导体结合后，由于N型区内自由电子为多子空穴几乎为零称为少子，而P型区内空穴为多子自由电子为少子，在它们的交界处就出现了电子和空穴的浓度差。

由于扩散运动形成了上图中的PN结。就是红色虚线内侧一带。这个PN结形成的内电场的方向是向左。这个电场的效果是阻止扩散的进行。使PN二个半导体之间不再有电荷的定向移动。

如果外加一电场，P接正极、N接负极，则N区的多数载流子--电子就可以越过PN结，相当于这里增加了一个空穴，也常说是空穴越过了PN结从P区到达N区。在外加电场的作用下，这种漂移运动不断进行，就形成了正向电流。

(9)p型半导体为什么是负离子扩展阅读：

在P型半导体和N型半导体结合后，由于N型区内自由电子为多子，空穴几乎为零称为少子，而P型区内空穴为多子，自由电子为少子，在它们的交界处就出现了电子和空穴的浓度差。由于自由电子和空穴浓度差的原因，有一些电子从N型区向P型区扩散，也有一些空穴要从P型区向N型区扩散。

扩散的结果就使P区一边失去空穴，留下了带负电的杂质离子，N区一边失去电子，留下了带正电的杂质离子。开路中半导体中的离子不能任意移动，因此不参与导电。这些不能移动的带电粒子在P和N区交界面附近，形成了一个空间电荷区，空间电荷区的薄厚和掺杂物浓度有关。

『拾』 p型半导体中的杂质原子为什么会成为不可移动的负离子而不是正离子

如果是单一杂质,那么它能使半导体变成P型,就证明它是受主,受主就多电子.
比如版B在Si中,Si4个电子,B3个电子,但是掺杂权后,B多了一个电子.
如果是多种杂质,就有了杂质补偿效应,看是受主多还是施主多,然后判断相应的型