半导体四价元素有什么

Ⅰ 参杂半导体分类为什么分别参杂几价元素两种参杂半导体的多和少分别为

画的颜色的话，当然是看到他导体能够啊，导体的质量的多少，还有最终的一个韵律的方法

Ⅱ 锡 铅 为什么不是半导体，他们都是四价元素啊。谁能给个专业的分析

同学不是四价的问题 这个是看元素价带和导带间的间隙决定的 呵呵
不是一两句能说清的
在金专属属元素和非金属元素分界线的那一道线上，都是半导体，具体的为：
硼、硅、锗、砷、锑、碲、钋
这个 你具体要学固体物理学 才能彻底弄清楚
希望可以帮到你。

Ⅲ 所有四价元素都可做半导体吗

不是，例如：C

Ⅳ 半导体中四价元素和五价元素的区别是什么

半导体中四价元素和五价元素的区别是什么
以一个硅的本质半导体来说明掺杂的影响回.硅有四个价电子,常用于硅的掺杂答物有三价与五价的元素.当只有三个价电子的三价元素如硼（boron）掺杂至硅半导体中时,硼扮演的即是受体的角色,掺杂了硼的硅半导体就是p型半导体.

Ⅳ 半导体主要有哪些特性

半导体的特征：

一、半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间，如硅、锗、硒等，它们的电阻率通常在 之间。

二、半导体之所以得到广泛应用，是因为它的导电能力受掺杂、温度和光照的影响十分显著。

三、如纯净的半导体单晶硅在室温下电阻率约为 ，若按百万分之一的比例掺入少量杂质(如磷)后，其电阻率急剧下降为 ，几乎降低了一百万倍。半导体具有这种性能的根本原因在于半导体原子结构的特殊性。

常用的半导体材料是单晶硅（Si）和单晶锗（Ge）。所谓单晶，是指整块晶体中的原子按一定规则整齐地排列着的晶体。非常纯净的单晶半导体称为本征半导体。

(5)半导体四价元素有什么扩展阅读

一、本征半导体的原子结构

半导体锗和硅都是四价元素，其原子结构示意图如图Z0102所示。它们的最外层都有4个电子，带4个单位负电荷。通常把原子核和内层电子看作一个整体，称为惯性核。

惯性核带有4个单位正电荷，最外层有4个价电子带有4个单位负电荷，因此，整个原子为电中性。

二、应用

1、在无线电收音机及电视机中，作为“讯号放大器/整流器”用。

2、半导体可以用来测量温度，测温范围可以达到生产、生活、医疗卫生、科研教学等应用的70%的领域，有较高的准确度和稳定性，分辨率可达0.1℃，甚至达到0.01℃也不是不可能，线性度0.2%，测温范围-100~+300℃，是性价比极高的一种测温元件。

3、半导体致冷器的发展, 它也叫热电致冷器或温差致冷器, 它采用了帕尔贴效应.

Ⅵ 为什么半导体要掺杂三价或者五价的元素

单晶硅（四价复）时，没个硅原子制和其周围的硅原子组成8电子稳定结构。
当三、五族元素掺入到单晶硅后，不管是替位（掺杂原子代替某个硅原子）还是间隙（较小的杂质原子可掺入到硅原子间隙之中），他们的特点都是离8电子稳定结构差1个电子 (三价的是少一个电子，就是在稳定结构之外形成空穴--姑且认为是反电子[希望你能明白，事实上是少1个电子，数学上表示就是多-1个电子，负1个电子就相当于正1个正电子，这里叫空穴，意思是留着可以填充电子的空位=。=]；五价的是多一个电子，就是在稳定结构之外形成一个电子啦--其实就是多出来的)。

恰恰就是因为通过掺杂有了电子和空穴才使得本来绝缘的si具有导电性，具体是怎么导电的，这里就不再赘述了，因为这也不是你的问题。

言归正传，如果是四价元素作为杂质的话，即使它不是si，但由于其最外层电子结构和硅一样，依然会构成8电子稳定结构，不能导电（因为没有空穴和电子）。对于六价，理论上是可以的，但是由于他的外层电子是六个，只可以同时和两个si（前面都是四个）公用电子对，结构不稳定，而且这种物质的导电性能如何也不得而知~

Ⅶ 什么是四价元素

就是原子核最外层有四个可以参与化学反应的价电子的元素。

Ⅷ 本征半导体为何只掺杂3价或者5价的元素而不用其它价

半导体材料一般是锗或者硅，他们最外层电子是4，一次是四价元素，这些硅原回子或者锗原子答之间形成共价键，而加入三价元素后，形成共价键时由于要形成四个共价键，而三价元素外只有三个电子，故形成一个空位，其他自由电子来补充，形成空穴，形成p型半导体，其中导电的是那些带正电的空穴。
同理，加入五价元素后，由于只需要四个原子形成共价键，多出一个电子，形成N型半导体，因此N型半导体中导电的为电子。
而其他价的元素与四价元素结构相差很多，其它价元素性质活泼，不能与四价元素形成共价键。

Ⅸ 半导体有些什么性质(效应)

没有半导体你就提不了这个问了
在半导体中杂质 半导体中的杂质对电阻率的影响非常大。半导体中掺入微量杂质时，杂质原子附近的周期势场受到干扰并形成附加的束缚状态，在禁带中产加的杂质能级。例如四价元素锗或硅晶体中掺入五价元素磷、砷、锑等杂质原子时，杂质原子作为晶格的一分子，其五个价电子中有四个与周围的锗（或硅）原子形成共价结合，多余的一个电子被束缚于杂质原子附近，产生类氢能级。杂质能级位于禁带上方靠近导带底附近。杂质能级上的电子很易激发到导带成为电子载流子。这种能提供电子载流子的杂质称为施主，相应能级称为施主能级。施主能级上的电子跃迁到导带所需能量比从价带激发到导带所需能量小得多（图2）。在锗或硅晶体中掺入微量三价元素硼、铝、镓等杂质原子时，杂质原子与周围四个锗（或硅）原子形成共价结合时尚缺少一个电子，因而存在一个空位，与此空位相应的能量状态就是杂质能级，通常位于禁带下方靠近价带处。价带中的电子很易激发到杂质能级上填补这个空位，使杂质原子成为负离子。价带中由于缺少一个电子而形成一个空穴载流子（图3）。这种能提供空穴的杂质称为受主杂质。存在受主杂质时，在价带中形成一个空穴载流子所需能量比本征半导体情形要小得多。半导体掺杂后其电阻率大大下降。加热或光照产生的热激发或光激发都会使自由载流子数增加而导致电阻率减小，半导体热敏电阻和光敏电阻就是根据此原理制成的。对掺入施主杂质的半导体，导电载流子主要是导带中的电子，属电子型导电，称N型半导体。掺入受主杂质的半导体属空穴型导电，称P型半导体。半导体在任何温度下都能产生电子-空穴对，故N型半导体中可存在少量导电空穴，P型半导体中可存在少量导电电子，它们均称为少数载流子。在半导体器件的各种效应中，少数载流子常扮演重要角色
PN结 P型半导体与N型半导体相互接触时，其交界区域称为PN结。P区中的自由空穴和N区中的自由电子要向对方区域扩散，造成正负电荷在 PN 结两侧的积累，形成电偶极层(图4 )。电偶极层中的电场方向正好阻止扩散的进行。当由于载流子数密度不等引起的扩散作用与电偶层中电场的作用达到平衡时，P区和N区之间形成一定的电势差，称为接触电势差。由于P 区中的空穴向N区扩散后与N区中的电子复合，而N区中的电子向P区扩散后与P 区中的空穴复合，这使电偶极层中自由载流子数减少而形成高阻层，故电偶极层也叫阻挡层，阻挡层的电阻值往往是组成PN结的半导体的原有阻值的几十倍乃至几百倍。
PN结具有单向导电性，半导体整流管就是利用PN结的这一特性制成的。PN结的另一重要性质是受到光照后能产生电动势，称光生伏打效应，可利用来制造光电池。半导体三极管、可控硅、PN结光敏器件和发光二极管等半导体器件均利用了PN结的特性。
基于PN结,就有了晶体管,才有了集成电路,电子产品中的各种芯片都是集成电路