生产半导体需要哪些材料

Ⅰ 半导体怎样自己制作

只想告诉你：年轻人，想多了
制作半导体材料需要一套完整的加工生产线，都是几亿才版能权堆出来的。
首先你要把沙子还原成粗硅，然后在提纯变成多晶硅，最后用直拉法制作硅棒，再切片制作出晶圆。你所说的半导体制造的前半部分就是这些了。
如果要制作器件还要掺杂，光刻就更贵了，总之半导体行业就是烧钱的。

Ⅱ 制造简单的半导体收音机要哪些材料

DIY收音机是学习模电知识绝佳的机会.不知道你的收音机需要什么波段的内,AM,SW,FM?我以AM调幅收音机为例简单容介绍下吧.

调幅收音机一般有两部分:中频放大部分和低频(音频)放大部分

中频->如果你对模拟电子比较熟悉的话,可以用三极管,电阻,电容来搭这个中频部分,中频部分的核心就是一个LC谐振回路加放大和检波,LC你可以用分立元件来搭,放大和检波电路如果用个专用芯片会更容易,TA7642,MK-484,ZN414就是这类元件,内部由9只三极管、16只电阻器和4个电容器组成，功能包括一级高阻输入缓冲、三级高频放大和一级检波，采用TO-92型塑封包装.

低频->这部分电路可以根据个人情况来选取,比中频简单的多,低放功放既可以选用分立器件的也可以选用集成的,集成功放常用的有TDA2822（M）、LM386等.

附上张图供你参考吧,希望能帮上忙!

Ⅲ 半导体的生产流程

流片、封装和测试三大工序，当然每个大工序里面还有几十个小的工序，你需要详细了解就要买书看了。具体还要看是哪种电路，模拟和数字不太一样，根据可靠性要求不同每道工序又会有差别等等。

Ⅳ 芯片是用什么材料用什么工具制造的

如果说因为2018年的中兴事件，让大家知道发展中国芯是迫在眉睫的事情，那么2019年的华为事件，更是让大家意识到了芯片被卡是一件多么严峻的事情。

而2020年的芯片禁令升级明白，其实中国芯要发展，可不仅仅是解决芯片本身的问题，而是要差不多要解决整个产业链的问题，从材料到设备、再到软件，都要解决，才能不被卡脖子。

而仔细分析整个芯片产业链，其实我们发现最重要的是两座大山，解决好了这两座大山，基本上就解决了所有的问题了。

第一座大山是原材料，就拿生产芯片的硅来讲，需要9个9纯度的硅，目前国内拥有这种技术的不多，主要靠进口，并且是从日本进口，日本企业的份额高达75%+，再拿光刻胶来讲，也主要从日本进口。

其实不只是硅、光刻胶这些材料，在整个半导体材料领域，日本都是占统治地位，按照网上的说法，半导体领域一共19种核心材料，日本有14种份额超50%。

虽然日本没有卡中国的脖子，但去年可是卡过韩国的，难保以后会不会拿这个来作文章，所以还是自己掌握比较好。

第二座大山则是设备、软件等。软件就如EDA等工业软件，美国处于统治地位，matlab、CAD等等这些软件，得看美国的。

同时像光刻机虽然荷兰最强，但也得看美国的，另外全球10大半导体设备厂商中，美国有4家，占了全球50%左右的份额，尤其在沉积、刻蚀、离子注入、CMP、匀胶显影等领域，美国技术领先。

而今年的芯片禁令升级，美国更是要求全球所有合作美国设备的芯片厂商，向华为提供产品时，需要美国的许可证，凭的就是美国在半导体设备上的统治地位。

Ⅳ 什么样的石头是制造半导体的主要材料

就是普通砂子。工艺流程：首先是硅提纯，将沙石原料放入一个温度约为2000 ℃，并且有碳源存在的电弧熔炉中，在高温下，碳和沙石中的二氧化硅进行化学反应（碳与氧结合，剩下硅），得到纯度约为98%的纯硅，又称作冶金级硅，这对微电子器件来说不够纯，因为半导体材料的电学特性对杂质的浓度非常敏感，因此对冶金级硅进行进一步提纯：将粉碎的冶金级硅与气态的氯化氢进行氯化反应，生成液态的硅烷，然后通过蒸馏和化学还原工艺，得到了高纯度的多晶硅，其纯度高达99.999999999%，成为电子级硅。
接下来是单晶硅生长，最常用的方法叫直拉法。如下图所示，高纯度的多晶硅放在石英坩埚中，并用外面围绕着的石墨加热器不断加热，温度维持在大约1400 ℃，炉中的空气通常是惰性气体，使多晶硅熔化，同时又不会产生不需要的化学反应。为了形成单晶硅，还需要控制晶体的方向：坩埚带着多晶硅熔化物在旋转，把一颗籽晶浸入其中，并且由拉制棒带着籽晶作反方向旋转，同时慢慢地、垂直地由硅熔化物中向上拉出。熔化的多晶硅会粘在籽晶的底端，按籽晶晶格排列的方向不断地生长上去。因此所生长的晶体的方向性是由籽晶所决定的，在其被拉出和冷却后就生长成了与籽晶内部晶格方向相同的单晶硅棒。用直拉法生长后，单晶棒将按适当的尺寸进行切割，然后进行研磨，将凹凸的切痕磨掉，再用化学机械抛光工艺使其至少一面光滑如镜，晶圆片制造就完成了。

Ⅵ 从事半导体制造行业需要哪些基础知识

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Ⅶ 半导体芯片的半导体芯片的制造材料

为了满足量产上的需求，半导体的电性必须是可预测并且稳定的，因此专包括掺杂物的属纯度以及半导体晶格结构的品质都必须严格要求。常见的品质问题包括晶格的位错（dislocation）、孪晶面（twins）或是堆垛层错（stacking fault）都会影响半导体材料的特性。对于一个半导体器件而言，材料晶格的缺陷（晶体缺陷）通常是影响元件性能的主因。
目前用来成长高纯度单晶半导体材料最常见的方法称为柴可拉斯基法（钢铁场常见工法）。这种工艺将一个单晶的晶种（seed）放入溶解的同材质液体中，再以旋转的方式缓缓向上拉起。在晶种被拉起时，溶质将会沿着固体和液体的接口固化，而旋转则可让溶质的温度均匀。