NA是什么半导体
Ⅰ 半导体化学原料的成份，需要了解。
密封者 聚氨酯PU密封胶
特性
●双组份常温反应固化。
●平面专用型（L型）/立面专用型（N型）。
●无溶剂、无毒，可用于饮用水工程。
●具有嵌缝密封防水、粘接、防渗多种功能。
优点
●优异的粘结力，可与水泥、木材、金属、玻璃等建材粘结。
●弹性好，延伸率大，易弯曲，能承受接缝移动或变形，密封性能好。
●耐老化、耐高低温、耐化学介质腐蚀。
●施工操作简单，颜色可根据基材调配。
成分
●A组份，聚醚多元醇，多异氰酸酯
●B组份，固化剂、助剂、填料
推荐用于
●混凝土建筑的沉降缝、伸缩缝、施工缝、分割缝处密封防水。
●建筑物屋面板、外墙板、楼板、阳台、门窗框接缝密封防水。
●飞机场跑道、高等级公路、桥梁等工程嵌缝密封防水。
●饮用水池、游泳池进出管口的密封防水。
●粘贴各种保温板、装饰板、高分子防水卷材等。
清模胶
据日本专利JP 08 283 454报道,一种清除反复模压半导体用双苯基环氧树脂后留在模具表面污垢的清模胶组成为。橡胶主组分,l,8一二氮杂二环(5,4,0)一7-+一碳烯(DBU),1,5一二氮杂二环(4,3,O)一5一壬烯(DBU)和/或DBU与DBN的盐。 如,乙烯一丙烯橡胶,丁二烯橡胶,白炭黑,‘TiO:,4,4一
抱歉，其实这方面我也不太了解，这是我能找到的最多的信息了~~
Ⅱ N,F,Na,Mg,Al,siCl,Ar,K,Br可作半导体材料的元素是
是Si，硅。
半导体的导抄电性能比导体差而比绝缘体强。实际上，半导体与导体、绝缘体的区别在不仅在于导电能力的不同，更重要的是半导体具有独特的性能（特性）。
在纯净的半导体中适当地掺入一定种类的极微量的杂质，半导体的导电性能就会成百万倍的增加—-这是半导体最显著、最突出的特性。
硅原子的核外电子第一层有2个电子，第二层有8个电子，达到稳定态。最外层有4个电子即为价电子，它对硅原子的导电性等方面起着主导作用。硅晶体中没有明显的自由电子，能导电，但导电率不及金属，且随温度升高而增加，具有半导体性质。
纯硅的电阻率为214×1000欧姆/厘米，几乎是不导电的。但若掺入百万分之一的硼元素，电阻率就会减小到0.4欧姆/厘米。因此，人们可以给半导体掺入微量的某种特定的杂质元素，精确控制它的导电能力，用以制作各种各样的半导体器件。
以上元素中，除了硅外都不具有这种性质，所以都不能作为半导体的材料。
Ⅲ 半导体中如果Nd大于Na，那么这个半导体是什么型半导体（室温）
Nd>Na 属于n型半导体...
室温下,本征载流子浓度ni=c(一个定值)
n=Nd-Na+p
p=ni^2/n
Ⅳ 二极管中为什么N型半导体标正号P型标负号
途中来正负表明的是自建场的方向。
N型半源导体区域多子为电子，所以ND杂质带正电（因为提供给了Si电子）
P型半导体区域多子为空穴，所以NA杂质带电子（吸收了Si提供的电子）
在P型半导体与N型半导体接触时，会产生势垒区，因为载流子是可流动的，而且由高浓度向低浓度扩散，所以P型半导体的空穴流向N型半导体，N型半导体的电子流向P型半导体。
所以P型半导体区域留下了不能扩散的杂质NA，N型半导体留下了不能扩散的ND（因为接触不改变物质形态，所以质子不发生转移）
所以N区势垒区带正电，P型势垒区带负电。
途中圆圈中的正负，代表的是杂质带电性。空心圈代表空穴，蓝色实心圈代表电子。势垒区域
外的半导体属于中性区，电子与空穴均不离开配对的杂质与Si原子。
Ⅳ 关于半导体掺杂。。。。。。。。。。。。。q(ND + p - NA - n) = 0怎么看出电中性的
问题一
首先掺杂后的抄半导体中一共有四种带点体，
带正电荷的有：1.失去一个电子后带正电的磷原子，即正电中心，2.正电空穴。
所以正电荷浓度为：ND+P
带负电荷的有：1.得到一个电子后带负电荷的彭原子，即负电中心，2.负电子。
所以负电荷浓度为：NA+N
楼主给的公式等价于：ND + P = NA + N
即整个半导体内部的正电荷浓度等于负电荷浓度，所以电中性。
问题二
至于NP=Ni^2,这个问题涉及到半导体内部电子，空穴浓度计算公式和费米能级的问题，需要经过一定推到，由于公式不太好些，我就不写了，楼主可查看国防工业出版社刘恩科写的《半导体物理学》第63页面，推到不难，楼主自己看看吧！
望有助于楼主！
Ⅵ 杂质半导体可以分为哪两种
N型半导复体、P型半导体。制
1、N型半导体在本征半导体硅（或锗）中掺入微量的5价元素，例如磷，则磷原子就取代了硅晶体中少量的硅原子，占据晶格上的某些位置。
2、在本征半导体硅（或锗）中，若掺入微量的3价元素，如硼，这时硼原子就取代了晶体中的少量硅原子，占据晶格上的某些位置。
(6)NA是什么半导体扩展阅读
属性：
1、电荷中立的条件：如果导带中的电子浓度为n，价带中的空穴浓度为p，电离的施主浓度为ND，电离的受主浓度为NA，则满足以下电荷中性条件。
2、载流子密度：
考虑所有掺杂杂质被离子化的情况。导带中的电子浓度n，价带中的空穴浓度p和非退化半导体的本征载流子密度ni之间具有以下关系。
参考资料来源：网络-杂质半导体
Ⅶ 请问书上对于P型杂杂质半导体是这样说的：电中性条件为p0=Na+n0，为什么里面没有硅离子硅离子不存在
这里是这样抄的
P是空穴，包括两部分，一部分是热运动形成的空穴P1,一部分是受主杂质和Si作用产生的P2（这部分可以理解为硅离子，即失去电子的硅离子形成的空穴）。
N是电子，包括两部分，一部分是热运动产生的N1（等式里的n0），一部分是受主杂质和Si作用产生的（Na，即受主杂质带的电子）。
总之，在这样一块P型半导体里，只有热运动产生的空穴和电子，以及受主和硅作用产生的空穴和电子，你把它们对应进等式，就明了了。
Ⅷ 请问什么叫做载流子
在物理学中，载流子指可以自由移动的带有电荷的物质微粒，如电子和离子。在半导体物理学中，电子流失导致共价键上留下的空位（空穴[1]）被视为载流子。金属中为电子，半导体中有两种载流子即电子和空穴。
在电场作用下能作定向运动的带电粒子。如半导体中的自由电子与空穴，导体中的自由电子，电解液中的正、负离子，放电气体中的离子等。
"载流子" 在学术文献中的解释：
1、不论是N型半导体中的自由电子,还是P型半导体中的空穴,它们都参与导电,统称为“载流子”.“载流子”导电是半导体所特有的
2、关于气体导电众所周知,导体之所以容易导电,是因为“导体中存在大量的可以自由移动的带电物质微粒,称为载流子.在外电场的作用下,载流子作定向运动,形成明显的电流”
在半导体中载运电流的带电粒子——电子和空穴,又称自由载流子。在一定温度下,半导体处于热平衡状态,半导体中的导电电子浓度n0和空穴浓度p0都保持一个稳定的数值,这种处于热平衡状态下的导电电子和空穴称为热平衡载流子。
在本征半导体中只发生热激发时,电子数目等于空穴数目,这时热平衡载流子浓度为
式中m0为电子质量,kg;mn*为电子有效质量,kg; mp*为空穴有效质量,kg;k为玻耳兹曼常数,J/K;Eg为禁带宽度,eV;ni为本征载流子浓度,cm-3;T为绝对温度,K。
对于杂质半导体,N型半导体中的电子和P型半导体中的空穴称为多数载流子(简称多子),而N型半导体中的空穴和P型半导体中的电子称为少数载流子(简称少子)。在强电离的情况下,N型半导体中多子浓度nn及少子浓度pn分别为
P型半导体中多子浓度pp及少子浓度np分别为
上二式中ND为施主杂质浓度,cm-3;NA为受主杂质浓度,cm-3。
如果对半导体施加外界作用(如用光的或电的方法),破坏了热平衡条件,使半导体处于与热平衡状态相偏离的状态,则称为非平衡状态。处于非平衡状态的半导体,其载流子比平衡状态时多出来的那一部分载流子称为非平衡载流子。在N型半导体中,把非平衡电子称为非平衡多数载流子,非平衡空穴称为非平衡少数载流子。对P型半导体则相反。在半导体器件中,非平衡少数载流子往往起着重要的作用。
载流子寿命 life time of carriers
非平衡载流子在复合前的平均生存时间,是非平衡载流子寿命的简称。在热平衡情况下,电子和空穴的产生率等于复合率,两者的浓度维持平衡。在外界条件作用下(例如光照),将产生附加的非平衡载流子,即电子—空穴对;外界条件撤消后,由于复合率大于产生率,非平衡载流子将逐渐复合消失掉,最后回复到热平衡态。非平衡载流子浓度随时间的衰减规律一般服从exp(-t/τ)的关系,常数τ表示非平衡载流子在复合前的平均生存时间,称为非平衡载流子寿命。在半导体器件中,由于非平衡少数载流子起主导作用,因此τ常称为非平衡少数载流子寿命,简称少子寿命。τ值范围一般是10-1～103μs。复合过程大致可分为两种:电子在导带和价带之间直接跃迁,引起一对电子—空穴的消失,称为直接复合;电子—空穴对也可能通过禁带中的能级(复合中心)进行复合,称为间接复合。每种半导体的r并不是取固定值,将随化学成分和晶体结构的不同而大幅度变化,因此,寿命是一种结构灵敏参数。τ值并不总是越大越好。对于Si单晶棒和晶体管的静态特性来说,希望τ值大些。但是,对于在高频下使用的开关管,却往往需要掺杂(扩散金),以增加金杂质复合中心,降低τ值,提高开关速度。近年来,在电力电子器件生产中,常用电子束辐照代替掺金,降低τ值。在Si和GaAs材料、器件和集成电路生产过程中,τ值是必须经常检测的重要参数。