为什么用半导体材料制作电子器件
霍尔元件都用半导体材料制成而且一般都为n型半导体载流子为导带电子，与金属材料的导电粒子为自由电子，似乎一样。但是你知道，金属在外电场作用下，抵抗电场的只是其表面聚集大量的电子，从而形成反向电场，与内部没关系。
在半导体内，电势会降落在整个材料上（表面电子少），这样再在另一个方向加磁场时就会在这两个面上聚集载流子而形成电场。
(1)为什么用半导体材料制作电子器件扩展阅读：
霍尔元件具有许多优点，它们的结构牢固，体积小，重量轻，寿命长，安装方便，功耗小，频率高（可达1MHZ），耐震动，不怕灰尘、油污、水汽及盐雾等的污染或腐蚀。
霍尔线性器件的精度高、线性度好；霍尔开关器件无触点、无磨损、输出波形清晰、无抖动、无回跳、位置重复精度高（可达μm 级），采用了各种补偿和保护措施，霍尔器件的工作温度范围宽，可达－55℃～150℃。
在磁场不太强时，霍尔电势差UH与激励电流I和磁感应强度B的乘积成正比，与霍尔片的厚度δ成反比，即UH =RH*I*B/δ，式中的RH称为霍尔系数，它表示霍尔效应的强弱。 另RH=μ*ρ即霍尔常数等于霍尔片材料的电阻率ρ与电子迁移率μ的乘积。
线性霍尔效应传感器 IC 的电压输出会精确跟踪磁通密度的变化。在静态（无磁场）时，从理论上讲，输出应等于在工作电压及工作温度范围内的电源电压的一半。增加南极磁场将增加来自其静态电压的电压。
相反，增加北极磁场将增加来自其静态电压的电压。这些部件可测量电流的角、接近性、运动及磁通量。它们能够以磁力驱动的方式反映机械事件。
② 霍尔元件为什么要用半导体材料制作
所谓霍尔抄效应，是指磁场作袭用于载流金属导体、半导体中的载流子时，产生横向电位差的物理现象。当电流通过金属箔片时，若在垂直于电流的方向施加磁场，则金属箔片两侧面会出现横向电位差。而半导体中的霍尔效应比金属箔片中更为明显，因此多选用半导体材料制作。
③ 为什么采用半导体材料制作电子器件
很多原因吧
单向导电性，受外界光、热作用导电性能会改变，半导体中掺如其他物质导电性能会改变。
④ 为什么采用半导体材料制备霍尔元件
因为磁场作抄用于载流金属导体袭、半导体中的载流子时，产生横向电位差的物理现象。
霍尔效应为磁场作用于载流金属导体、半导体中的载流子时，产生横向电位差的物理现象。金属的霍尔效应是1879年被美国物理学家霍尔发现的。
当电流通过金属箔片时，若在垂直于电流的方向施加磁场，则金属箔片两侧面会出现横向电位差。半导体中的霍尔效应比金属箔片中更为明显，而铁磁金属在居里温度以下将呈极强的霍尔效应。由于通电导线周围存在磁场，其大小和导线中的电流成正比，故可以利用霍尔元件测量出磁场。
(4)为什么用半导体材料制作电子器件扩展阅读：
霍尔元件的相关情况：
1、磁场的一个磁极靠近它，输出低电位电压（低电平）或关的信号，磁场磁极离开它输出高电位电压（高电平）或开的信号，正面感应磁场S极，反面感应N极。
2、因为磁场有两个磁极N、S（正磁或负磁），所以两个磁极分别控制双极性霍尔开关的开和关（高低电平），它具有锁定的作用，也就是说当磁极离开后，霍尔输出信号不发生改变。
3、在静态（无磁场）时，从理论上讲，输出应等于在工作电压及工作温度范围内的电源电压的一半。增加南极磁场将增加来自其静态电压的电压。
⑤ 为什么用半导体做电子元件
因为半导体（主要是硅，地球上硅的储量很多，便宜）可以进过不同步骤和层次的加工，形成导体和绝缘体从而实现功率放大或转换的功能，二极管 3级管 等电子元件都是这个道理
⑥ 为什么半导体材料可用于制作放大器件
由于半导体中存在电子和空穴两种载流子，可以通过掺杂形成P型的或者N型的版半导体。比如在权Si或Ge中掺入P等V族元素会形成N型半导体，掺入B、Ga等III族元素会形成P型半导体。当一块纯的Si半导体两端分别掺入P和Ga时，就会形成PN结。
PN结是半导体器件的基础，制成的二极管、三极管就有放大作用。
建议你看看半导体物理、模拟电路等，里面讲的很详细。
⑦ 为什么芯片都用半导体材料做成
在二氧化硅上蚀刻出电路后
会用经过电场加速的离子进行掺杂
掺杂后的区域导电性会有变化
之后镀铜以便形成电路
之所以用硅的原因
就是杂离子掺杂后其导电性质的改变
使掺杂的部分可以变为元件
⑧ 为什么选用半导体材料制做电子元器件
因为是半导体，顾名思义。平时不导通，条件改变才能导通，可控。
⑨ 为什么采用半导体材料制作电子器件
我觉得半导体最强的是它的控制作用，可以让电子电路功能丰富许多