ews半导体中是什么意思

『壹』 半导体电子商务中WPG是什么意思

这问题无关宗教.是电子半导体学. 半导体材料
半导体材料的电性是位于导体和绝缘版体的中间。可区分为权元素半导体及化合物半导体两大类,其中元素半导体材料以矽和锗为代表;化合物半导体材料则以砷化镓为代表。这些材料的电特性对 于存在的少量杂质元素的浓度非常敏感,影响其电性甚钜。常见的杂质元素有磷、硼、砷等元素 。
为了改变电导率，特意向半导体掺入杂质。最常用的半导体是元素矽与锗，它们的晶体点阵都由每个原子与它最邻近的4个原子共享1个电子而构成。如果这种点阵中有少部分原子为有5个可成价电子的磷、砷等原子所取代，那么每个杂质原子的多余电子就用于导电。这种半导体就叫掺磷或掺砷半导体。其中磷或砷的原子就称为施主 .能提供电子载流子的杂质称为 " 施主杂质 ".

『贰』 半导体是什么意思

顾名思义：导电性能介于导体(conctor)与绝缘体(insulator)之间的材料，叫做半导体（）．
物质存在的形式多种多样，固体、液体、气体、等离子体等等。我们通常把导电性和导电导热性差或不好的材料，如金刚石、人工晶体、琥珀、陶瓷等等，称为绝缘体。而把导电、导热都比较好的金属如金、银、铜、铁、锡、铝等称为导体。可以简单的把介于导体和绝缘体之间的材料称为半导体。与导体和绝缘体相比，半导体材料的发现是最晚的，直到20世纪30年代，当材料的提纯技术改进以后，半导体的存在才真正被学术界认可。
半导体的分类，按照其制造技术可以分为：分立器件、光电半导体、逻辑IC、模拟IC、储存器等大类，一般来说这些还会被分成小类。此外还有以应用领域、设计方法等进行分类，最近虽然不常用，单还是按照IC、LSI、VLSI（超大LSI）及其规模进行分类的方法。此外，还有按照其所处理的信号，可以分成模拟、数字、模拟数字混成及功能进行分类的方法。
[编辑本段]半导体定义
电阻率介于金属和绝缘体之间并有负的电阻温度系数的物质。
半导体室温时电阻率约在10E-5～10E7欧·米之间，温度升高时电阻率指数则减小。
半导体材料很多，按化学成分可分为元素半导体和化合物半导体两大类。
锗和硅是最常用的元素半导体；化合物半导体包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物（砷化镓、磷化镓等）、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化镉、硫化锌等)、氧化物(锰、铬、铁、铜的氧化物),以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物组成的固溶体（镓铝砷、镓砷磷等）。除上述晶态半导体外，还有非晶态的玻璃半导体、有机半导体等。
半导体（东北方言）：意指半导体收音机，因收音机中的晶体管由半导体材料制成而得名。
本征半导体
不含杂质且无晶格缺陷的半导体称为本征半导体。在极低温度下，半导体的价带是满带(见能带理论)，受到热激发后，价带中的部分电子会越过禁带进入能量较高的空带，空带中存在电子后成为导带，价带中缺少一个电子后形成一个带正电的空位，称为空穴。导带中的电子和价带中的空穴合称电子 - 空穴对，均能自由移动，即载流子，它们在外电场作用下产生定向运动而形成宏观电流，分别称为电子导电和空穴导电。这种由于电子-空穴对的产生而形成的混合型导电称为本征导电。导带中的电子会落入空穴，电子-空穴对消失，称为复合。复合时释放出的能量变成电磁辐射（发光）或晶格的热振动能量（发热）。在一定温度下，电子 - 空穴对的产生和复合同时存在并达到动态平衡，此时半导体具有一定的载流子密度，从而具有一定的电阻率。温度升高时，将产生更多的电子 - 空穴对，载流子密度增加，电阻率减小。无晶格缺陷的纯净半导体的电阻率较大，实际应用不多。
[编辑本段]半导体特点
半导体三大特性∶搀杂性、热敏性和光敏性。
★在形成晶体结构的半导体中，人为地掺入特定的杂质元素，导电性能具有可控性。
★在光照和热辐射条件下，其导电性有明显的变化。
晶格：晶体中的原子在空间形成排列整齐的点阵，称为晶格。
共价键结构：相邻的两个原子的一对最外层电子（即价电子）不但各自围绕自身所属的原子核运动，而且出现在相邻原子所属的轨道上，成为共用电子，构成共价键。
自由电子的形成：在常温下，少数的价电子由于热运动获得足够的能量，挣脱共价键的束缚变成为自由电子。
空穴：价电子挣脱共价键的束缚变成为自由电子而留下一个空位置称空穴。
电子电流：在外加电场的作用下，自由电子产生定向移动，形成电子电流。
空穴电流：价电子按一定的方向依次填补空穴（即空穴也产生定向移动），形成空穴电流。
本征半导体的电流：电子电流+空穴电流。自由电子和空穴所带电荷极性不同，它们运动方向相反。
载流子：运载电荷的粒子称为载流子。
导体电的特点：导体导电只有一种载流子，即自由电子导电。
本征半导体电的特点：本征半导体有两种载流子，即自由电子和空穴均参与导电。
本征激发：半导体在热激发下产生自由电子和空穴的现象称为本征激发。
复合：自由电子在运动的过程中如果与空穴相遇就会填补空穴，使两者同时消失，这种现象称为复合。
动态平衡：在一定的温度下，本征激发所产生的自由电子与空穴对，与复合的自由电子与空穴对数目相等，达到动态平衡。
载流子的浓度与温度的关系：温度一定，本征半导体中载流子的浓度是一定的，并且自由电子与空穴的浓度相等。当温度升高时，热运动加剧，挣脱共价键束缚的自由电子增多，空穴也随之增多（即载流子的浓度升高），导电性能增强；当温度降低，则载流子的浓度降低，导电性能变差。
结论：本征半导体的导电性能与温度有关。半导体材料性能对温度的敏感性，可制作热敏和光敏器件，又造成半导体器件温度稳定性差的原因。
杂质半导体：通过扩散工艺，在本征半导体中掺入少量合适的杂质元素，可得到杂质半导体。
N型半导体：在纯净的硅晶体中掺入五价元素（如磷），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半导体。
多数载流子：N型半导体中，自由电子的浓度大于空穴的浓度，称为多数载流子，简称多子。
少数载流子：N型半导体中，空穴为少数载流子，简称少子。
施子原子：杂质原子可以提供电子，称施子原子。
N型半导体的导电特性：它是靠自由电子导电，掺入的杂质越多，多子（自由电子）的浓度就越高，导电性能也就越强。
P型半导体：在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位置，形成P型半导体。
多子：P型半导体中，多子为电子。
少子：P型半导体中，少子为空穴。
受主原子：杂质原子中的空位吸收电子，称受主原子。
P型半导体的导电特性：掺入的杂质越多，多子（空穴）的浓度就越高，导电性能也就越强。
结论：
多子的浓度决定于杂质浓度。
少子的浓度决定于温度。
PN结的形成：将P型半导体与N型半导体制作在同一块硅片上，在它们的交界面就形成PN结。
PN结的特点：具有单向导电性。
扩散运动：物质总是从浓度高的地方向浓度低的地方运动，这种由于浓度差而产生的运动称为扩散运动。
空间电荷区：扩散到P区的自由电子与空穴复合，而扩散到N区的空穴与自由电子复合，所以在交界面附近多子的浓度下降，P区出现负离子区，N区出现正离子区，它们是不能移动，称为空间电荷区。
电场形成：空间电荷区形成内电场。
空间电荷加宽，内电场增强，其方向由N区指向P区，阻止扩散运动的进行。
漂移运动：在电场力作用下，载流子的运动称漂移运动。
PN结的形成过程：如图所示，将P型半导体与N型半导体制作在同一块硅片上，在无外电场和其它激发作用下，参与扩散运动的多子数目等于参与漂移运动的少子数目，从而达到动态平衡，形成PN结。

『叁』 半导体中insite是什么意思

电子技术的发展增强来了发动机与自车辆的联系，帮助使用者方便、高效、出色地完成工作。满足要求日益严格的排放法规不是康明斯电控发动机所致力的唯一目标，服务用户才是我们的主旨。基于Windows操作系统的发动机监控、诊断软件－INSITE，为用户提供了友好的界面和极大的自由度。其强大的功能是您有力的支持，使您尽可展开想象的翅膀，随心所欲实现自己的梦想。

『肆』 工控中ews，ows是什么意思

在工控行业中，DCS或者PLC这些过程控制系统中常常见到、ows、es、ops、cms、his等字母简写，具体含义如下：

ews或es：工程师站（用来进行系统组态的计算机，组态完成后管理员可通过它将编译好工程下装到各个 操作员站、服务器、现场控制站）

ows或ops: 操作员站（在系统运行时，供操作员使用的人机接口设备（也是一台计算机）。操作员通过它提供的人机界面对系统运行状况进行监视、控制。这种类型的计算机也可被组态为通信站，一些通讯软件（例如 OPC、ModBus等）在其上运行，以和其它系统或设备交换数据）

his：历史站（用于提供历史数据库、实时数据库、报表打印、报警和IO服务的计算机）

cms：通讯站（顾名思义，和其它系统或设备交换数据）

以上所述的这些‘站’，其实在控制系统的架构中都是计算机，只是赋予每台计算机的任务不同，如果这台计算机上安装了工程师站软件那么它就是工程师站，如果安装了操作员站软件它就是操作员站，以此类推。

除此之外，工控行业还有很多字母简写，如系统类：FCS、DCS、PLC，网络类：SNET、MNET、工艺类：PT、TE、FT、LT，测点类：AI、AO、DI、DO、PI、SOE等等，限于篇幅这里不再复述。

以上所言为一个从业工控行业十一年的老鸟一字字敲出来的，望请采纳！

为了加深理解，附图DCS系统结构图。

『伍』 soft cells在半导体器件中是什么意思

场效应管直接
三极管能基极串联合适电阻输入电压转化基极电流同控制集电极电流

『陆』 半导体中RMS是什么意思

RMS

RecipeManagementSystem

配 方管理系统

『柒』 usg 半导体工艺中是什么意思

外层二氧化硅，防止吸潮 ，抗氧化