半导体晶片为什么要退火

① 单晶硅为什么需要退火~

在450℃左右，硅中的氧会转化为氧施主，对电阻率的正确测量带来影响。使P型单晶硅电阻率升高，甚至反型；使N型单晶硅电阻率降低。在700℃左右退火处理，可以使氧施主回到间隙氧状态，消除氧施主对电阻率测试的影响。

② 退火有什么工艺技术

退火工艺：
1、球化退火的具体工艺
①普通（缓冷）球化退火，缓冷适用于多数钢种，尤其是装炉量大时，操作比较方便，但生产周期长；②等温球化退火，适用于多数钢种，特别是难于球化的钢以及球化质量要求高的钢（如滚动轴承钢）；其生产周期比普通球化退火短，不过需要有能够控制共析转变前冷却速率的炉子；③周期球化退火，适用于原始组织为片层状珠光体组织的钢，其生产周期也比普通球化退火短，不过在设备装炉量大的条件下，很难按控制要求改变温度，故在生产中未广泛采用；④低温球化退火，适用于经过冷形变加工的钢以及淬火硬化过的钢（后者通常称为高温软化回火）；⑤形变球化退火，形变加工对球化有加速作用，将形变加工与球化结合起来，可缩短球化时间。它适用于冷、热形变成形的钢件和钢材（如带材）。
2、再结晶退火工艺
应用于经过冷变形加工的金属及合金的一种退火方法。目的为使金属内部组织变为细小的等轴晶粒，消除形变硬化，恢复金属或合金的塑性和形变能力（回复和再结晶）。若欲保持金属或合金表面光亮，则可在可控气氛的炉中或真空炉中进行再结晶退火。
去除应力退火铸、锻、焊件在冷却时由于各部位冷却速度不同而产生内应力，金属及合金在冷变形加工中以及工件在切削加工过程中也产生内应力。若内应力较大而未及时予以去除，常导致工件变形甚至形成裂纹。去除应力退火是将工件缓慢加热到较低温度（例如，灰口铸铁是500～550℃，钢是500～650℃），保温一段时间，使金属内部发生弛豫，然后缓冷下来。应该指出，去除应力退火并不能将内应力完全去除，而只是部分去除，从而消除它的有害作用。
还有一些专用退火方法，如不锈耐酸钢稳定化退火；软磁合金磁场退火；硅钢片氢气退火；可锻铸铁可锻化退火等。
退火技术：
1、半导体退火
半导体芯片在经过离子注入以后就需要退火。因为往半导体中注入杂质离子时，高能量的入射离子会与半导体晶格上的原子碰撞，使一些晶格原子发生位移，结果造成大量的空位，将使得注入区中的原子排列混乱或者变成为非晶区，所以在离子注入以后必须把半导体放在一定的温度下进行退火，以恢复晶体的结构和消除缺陷。同时，退火还有激活施主和受主杂质的功能，即把有些处于间隙位置的杂质原子通过退火而让它们进入替代位置。退火的温度一般为200~800C，比热扩散掺杂的温度要低得多。
2、蒸发电极金属退火
蒸发电极金属以后需要进行退火，使得半导体表面与金属能够形成合金，以接触良好（减小接触电阻）。这时的退火温度要选取得稍高于金属-半导体的共熔点（对于Si-Al合金，为570度）。

③ 请问：硅片退火处理是怎么回事为什么要进行退火退火对电阻率和少子寿命有影响吗

硅片退火处理，是工艺的一个环节。是按一定的程序对硅片进行升温、降温.的过程；

为什么要进行退火？原因之一是，硅片中含有氧，氧有吸取杂质的作用。退火时可以将硅片表面附近的氧，从其表面挥发脱除，使表面附近的杂质数量减少。有利于器件的制造；

退火对电阻率和少子寿命有一定的影响：使其升高。

④ rt半导体蓝宝石退火工艺,原理和目的。简明的说一下。。。

我也不是怎么清楚，只是知道蓝宝石退火需要用氢气燃烧的高温才能退火，没有退火的蓝宝石如果碰到中间的子晶会裂成两半，而且不能切割，为了切割方便所以需要退火

⑤ 半导体中辐照有退火作用吗

退火有很多种办法，最早的是炉退火，近年来发展了多种快速退火工艺：脉冲激光法，扫描电子束，连续波激光，非相干宽带频光源。
你说的辐照应该是扫描电子束或是用红外设备吧，有退火作用。

⑥ 在半导体工艺中，金电镀后为什么要退火

PDA工艺要看你在什么气氛中了。
如果用氢气退火，就是修复材料界面。
如果氧气/氮气退火，就是改善金的体特性，消除缺陷。

⑦ 在半导体制造中，预退火的概念和条件要求

在半导体制造中，有多种工艺：氧化、扩散、外延、离子注入等，在每一个工艺步骤中都有一定的热处理程序（包括退火）。你说的“预退火”具体是指什么步骤？

⑧ 刚刚生产的玻璃产品为什么要退火退火是什么意思

中文名称：退火 英文名称：annealing

定 义： 将金属构件加热到高于或低于临界点，保持一定时间，随后缓慢冷却，从而获得接近平衡状态的组织与性能的金属热处理工艺。而玻璃和金属都是晶体结构的，成型方法类似，所以玻璃的这种消除应力从而获得接近平衡状态的组织与性能的热处理工艺也被称为 退火。

指熔融玻璃液在锡槽中成型后，于退火窑中通过适当控制温度降低速度，将玻璃带中产生的热应力控制在允许的范围内。防止玻璃成型后由于热应力爆裂。

⑨ 半导体P型晶棒退火有什么作用

P型掺杂半导体比N型更容易产生晶格缺陷，退火可以消除部分晶格缺陷。